図1　フレキシブル基����のフィルムにバリア層を形成した神戸��?zh┐n)^所のロール

�~機ELディスプレイやフレキシブルエレクトロニクスの基��となる�~機フィルムは、元々�Pび縮み曲げなどに�咾と��C、水分を通しやすいという弱点がある。このため、�~機材料よりももっと密度の高い材料をバリアに��いてカバーしようとしてきた。この材料としてSiO2やSiNなどが�t��として�屬辰討い拭�シリコン半導��でおなじみのSiO2やSiNは、カバー膜に�科�適しているが、反�C、�~機フィルムと比べると�wい。このため曲げ半径にはある��度限度がある。ただ、最�Zはガラスを薄く加工すると、ロールツーロール（R2R）��(sh┫)式で�攵�できるほど曲げられるガラスが登場している。

図1は、神戸��?zh┐n)^所がある顧客の量��ラインに向け最�Z納入した、プラズマCVD搭載のR2R����を使って、SiO2バリア層を形成したフィルムである。同社は幅1300mmと1600mmのフィルムに�官�したR2R��(sh┫)式のバリア層形成��のロールコータ����を���]している。プラズマCVD����で�\積させたSiO2の厚さデータとして500µmをフィルムの幅の端から端まで均�kに�\積できることをデータで��している(図2)。CVD����のチャンバは数Paの真空度で�\積を行い、R2R����の��中に真空チャンバを入れている。また、同社はスパッタ��のチャンバ����もあり、こちらは透��電極ITOを形成するのに使い、その真空度はCVDよりも1桁高い。

図2　幅1300mmのフィルムに形成した厚さ500µmのバリア層は均�k

今�vの、東レエンジニアリングの�咁��業�陲�R2Rの機械そのものではないが、R2Rのバリア膜��のCVD成膜����をパネル�t��した。ただし、バリア膜の形成には厚い均�kな膜ではなく、薄い膜を積層した構成の成膜を狙っている。バリア膜とバッファ膜を交互に数層積み�屬欧襪海箸如�曲げに�咾�することが狙いだ。SiO2バリア層はCVD、バッファ層をスパッタ����で�\積する。最�j(lu┛)6層まで�\積するようになっている。成膜コストは1平��(sh┫)メートル当たり400��と見積もっている。曲率半径20mmまで曲げられるとしている。東レエンジニアリングは、東レの関連会社で�噞機械を扱っている。こちらもスパッタ����を�eっている。

神�^、東レ共、このR2Rバリア層成膜����は、�k�陲離罅璽供爾貿柴�されているとしている。�~機ELだけではなく、ウェアラブル端��などに向けたフレキシブルエレクトロニクスが立ち�屬�る日は�Zづいた。