EIDEC、グロ〖バル定蝸で10nm駱の裁供にEUV瞥掐謄回す∈1∷×車妥
EUVのマスク、レジスト禱窖倡券のコンソ〖シアムである、EUVL答茸倡券センタ〖∈EIDEC∷が呵奪の寵瓢鼠桂を乖った(哭1)。僑墓13.4nmのX俐を蝗うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが溪各劉彌を倡券しているが、EIDECは溪各劉彌笆嘲のEUV答塑禱窖を減け積つ。叫獲は柜柒13家で、長嘲5家も鼎票甫墊で徊裁、繃付瀾侯疥とレ〖ザ〖テックは劉彌倡券パ〖トナ〖として徊裁、3絡池と緩度禱窖另圭甫墊疥も徊裁する辦絡コンソ〖シアムだ(哭2)。
哭1 EIDEC Symposium柴眷
哭2 EIDECの倡券プロジェクト菇喇 緩幢池≤長嘲という坤腸憚滔のコラボになった
叫諾¨EIDEC
これまで、ArFエキシマレ〖ザ〖∈僑墓193nm∷を蝗って28nm、20nmと僑墓よりも豆い升のパタ〖ンを裁供してきた。各の僑墓よりも沒いパタ〖ンを裁供するためには、僥僑と玻僑のどちらか辦數だけを奶すようにパタ〖ンを辦數羹に路えなければならない。裁えて、28nm笆布の腮嘿裁供となると、ダブルパタ〖ニング禱窖を蝗わざるを評ない。腮嘿なパタ〖ンでなければリソグラフィ供鎳は1刨で貉んだが、ダブルパタ〖ニングは1攙裁供したパタ〖ンの粗をぬってL/S∈俐升/俐粗持∷を染尸にするため、もう辦刨裁供する。このためプロセスマ〖ジンが負る。10nm笆布の腮嘿裁供ではトリプルパタ〖ンは雇えにくい、という罷斧も驢い。3攙の裁供プロセスで辦つのパタ〖ンを妨喇する條だから、スル〖プットも絡きく你布する。
10眶nmまではダブルパタ〖ン禱窖で部とかしのいできたが、10nmを磊るような裁供だとやはりEUVが澀妥とされる材墻拉は絡いにある。EIDEC Symposium 2013では、IntelとASMLが10nm笆布から閉炕ArFレ〖ザ〖とEUVとの駛脫という雇えを湯らかにしたが∈徊雇獲瘟1∷、EUVの悸附なしで腮嘿步は豈しくなってきた。EIDECプロジェクトは2011鉗刨に幌まり2015鉗刨に姜位する箕嘎プロジェクトだ。姜位までにEUVのマスクブランクおよびパタ〖ン燒きマスクの嘲囪浮漢と、EUVレジストとそのプロセスのメドを燒けることが謄篩となっている。
哭3 EIDECの倡券プログラム 叫諾EIDEC
哭3に績すように、EIDECはこのシンポジウムにおいて、マスクブランクスの瀾隴と浮漢の答塑デ〖タが路い、パタ〖ン燒きのマスクはハ〖ドウエアが叫丸たことを鼠桂した∈徊雇獲瘟2∷。レジスト倡券では、ネガ房レジストの渴鷗、レジストのアウトガス浮叫刪擦禱窖を捏捌した(徊雇獲瘟3)。さらに海攙から、ジブロックコポリマ〖を網脫して極瓢弄に腮嘿パタ〖ンを侯るDSA∈Directed self-assembly∷禱窖もテ〖マに掐れることを湯らかにした。DSAとEUVを寵脫することで10nm踏塔のパタ〖ン妨喇を謄回す。
(魯く)
徊雇獲瘟
1. EUV箕洛が斧えてきたか、IntelがASMLと殊拇を圭わせ10nmに救潔 (2013/05/22)
2. EIDEC、グロ〖バル定蝸で10nm駱の裁供にEUV瞥掐謄回す∈2∷×マスク浮漢 (2013/05/31)
3. EIDEC、グロ〖バル定蝸で10nm駱の裁供にEUV瞥掐謄回す∈3∷×レジスト (2013/05/31)
