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インドに外�@�U企業の進出ラッシュ、東南アジアでのビジネスも加�]

2013年7月16日｜週間ニュース分析

グローバル化は極めて�]い�]度で進�tしている。1週間の新聞では、インドの人材確保が�壹X、中国工場の��の�Mしさ、中国内半導��業の�れ、IBMのグローバルマインド、日本人IT�業家のアジア拠点化、アピックヤマダのウェーハレベルパッケージング（WLP）��のアジア売り込み、タツタ電線のマレーシア工場開設、など世�cのニュースが�`立った。 [→�きを読む]

半導��]��は好調、TSMC積極投�@、G450C/SEMATECHへニコン/東レ参加

2013年7月 8日｜週間ニュース分析

半導��]��が好調だ。SEAJが発表した5月の�p�R�Y・販売�Y・B/Bレシオを見る限り（参考�@料1）、今�Qは�峺�④砲覆蠅修Δ�。SEAJは先週、2013～2015�Q度の日本��半導��]��の見通しを発表、日本経済新聞も7月5日��韻任修離縫紂璽垢魴悩椶靴拭�莉気魯縫灰鵑�450mm向け��開発のG450Cに参加するというニュースもあった。 [→�きを読む]

ミニマルファブ、LED光源のリソ��でMEMSカンチレバーを作��

2013年7月 5日｜会議報告（プレビュー）

ミニマルファブのプロジェクトが組�E化され、昨�Q12月のセミコンジャパンにおいて初めて��のモックアップが�t�された。今どこまで進�tしたのか。その��1�vの報告会とも言うべき「ミニマルファブ・シンポジウム2013」が東�B��川で開�された。 [→�きを読む]

欧�Δ�100億ユーロ�画、�盜颪�450mmを本格化、先端半導��開発を推進

2013年7月 4日｜�業分析

欧�Δ�100億ユーロの半導��開発プロジェクトを発表、�盜�VLSI Researchは450mmウェーハの��開発が300mmの時よりもずっと少ない金�Yで開発できるというレポートを発表した。英国からも電子�業を主��業に育てようというレポートが出た。先端半導��の開発�画が欧�櫃��発になっている。 [→�きを読む]

モバイル端�にけん引され、半導��・FPDとも日本��]��は好調

2013年6月25日｜�x場分析

SEAJ（日本半導��]��協会）が発表した、2013�Q5月における日本��半導��]��の1.17というB/Bレシオ（販売�Yに�瓦垢�p�R�Yの比）は、�p�R�Yが�\え�けている好調さをよく表している。昨�Q10月を�fとして、�p�R�Yは�Pび�け、5月には1�Qぶりに1000億�の�j�に乗った。 [→�きを読む]

�要が�峺��、�めの�e勢を見せ始めた半導��・��]��企業

2013年6月24日｜週間ニュース分析

スマートフォンやタブレットの�要拡�jを�pけ、半導��チップだけではなく、半導��]��も好調に推�，靴討い襦�SEAJが発表したB/Bレシオは1.17で、6月22日の日本経済新聞は「�p�R�嵜兇譟徂集修妊妊�好海旅ツ瓦気鯏舛┐討い襦ｉL外�t開は��に半導��]��が��発で、後工��のTOWAは現地�攵�ると24日の日刊工業新聞が報じた。 [→�きを読む]

日本の半導��]��メーカー、世�cでも顧客満�B度依�として高い

2013年6月17日｜週間ニュース分析

日本の半導��]��メーカーは世�c�x場で依�、健�hしている。VLSI Researchが行った半導��]・検�h��j�}の顧客満�B度調�hでは、日本企業が�岼�10社中6社を�めている、と6月17日の日経�業新聞が伝えた。先週は、設��愀犬離縫紂璽垢�羈單�犬泙辰討い�。また、NANDフラッシュの新�x場SSDは爆発しそうな勢いだ。 [→�きを読む]

2013�Qの世�cの半導��設��蟀@は2%�\だが、14�Qは23%�\以�屐�SEMI予�R

$2013�Qの世�cの半導��設��蟀@は2%�\だが、14�Qは23%�\以��、SEMI予�R$

2013年6月14日｜�x場分析

2013�Qの半導��設��蟀@総�Yは��i�Q比2%�\の325億ドルになりそうだ、という予�RをSEMIが発表した。これはSEMIが5月に発行したWorld Fab Forecastレポートによるもの。このレポートは半導��LSIだけではなく、LEDやオプトエレクトロニクスの工場も��箸靴討い�。 [→�きを読む]

�V�L�@密が�j阪にR&D拠点を設立、人材の�pけ��になるか

2013年6月 3日｜週間ニュース分析

�湾の�V�L�@密工業が�j阪に研�|開発拠点を設立した、と6月1日��韻瞭鐱楫从竸景垢�鵑犬拭�V�Lは�]晶デバイスを開発することが狙いのようだ。スマートフォンやタブレット、テレビなどのタッチパネル�]晶ディスプレイが今後も成長すると見ているのだろう。これらとリンクして半導��]��も�v復しつつある。 [→�きを読む]

EIDEC、グローバル協�で10nm�の加工にEUV導入�`指す（3）～レジスト

2013年5月31日｜会議報告（プレビュー）

フォトレジストでは、昨�Qまではポジ型レジストを使い、解�掬�16nm以下、LWR（線幅の�さ：line width roughness）1.3nm以下、感度10mJ/cm2以下、という数値を�uていた。解�掬戮�LWR、感度の�つのパラメータはトレードオフの関係にあるため、�つのパラメータを最適化させる�㌫廚�△�(図8)。今�Qは、ネガ型レジストを使ってどこまでいけるかの実�xである。 [→�きを読む]

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