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VL@密がj(lu┛)阪にR&D拠点を設立、人材のpけになるか

VL@密がj(lu┛)阪にR&D拠点を設立、人材のpけになるか

湾のVL@密工業がj(lu┛)阪に研|開発拠点を設立した、と6月1日けの日本経済新聞が報じた。VLは]晶デバイスを開発することが狙いのようだ。スマートフォンやタブレット、テレビなどのタッチパネル]晶ディスプレイが今後も成長すると見ているのだろう。これらとリンクして半導]もv復しつつある。 [→きを読む]

EIDEC、グローバル協で10nmの加工にEUV導入`指す(3)〜レジスト

EIDEC、グローバル協で10nmの加工にEUV導入`指す(3)〜レジスト

フォトレジストでは、昨Qまではポジ型レジストを使い、解掬16nm以下、LWR(線幅のさ:line width roughness)1.3nm以下、感度10mJ/cm2以下、という数値をuていた。解掬戮LWR、感度のつのパラメータはトレードオフの関係にあるため、つのパラメータを最適化させる要がある(図8)。今Qは、ネガ型レジストを使ってどこまでいけるかの実xである。 [→きを読む]

EIDEC、グローバル協で10nmの加工にEUV導入`指す(2)〜マスク検h

EIDEC、グローバル協で10nmの加工にEUV導入`指す(2)〜マスク検h

EUVはを透圓靴笋垢X線のk|であるため、光学Uにはレンズではなく反o(j━)をW(w┌ng)する。反o(j━)光学Uのマスクブランクスは、W/Moの繰り返し積層構]を採っている。ここにL(f┘ng)陥が入るとパターンが歪んでしまうため、無L(f┘ng)陥にしたい。マスク検hは不可L(f┘ng)である。 [→きを読む]

EIDEC、グローバル協で10nmの加工にEUV導入`指す(1)〜要

EIDEC、グローバル協で10nmの加工にEUV導入`指す(1)〜要

EUVのマスク、レジスト\術開発のコンソーシアムである、EUVL基盤開発センター(EIDEC)が最Zの動報告を行った(図1)。S長13.4nmのX線を使うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが露光を開発しているが、EIDECは露光以外のEUV基本\術をpけeつ。出@は国内13社で、L外5社も共同研|で参加、原作所とレーザーテックは開発パートナーとして参加、3j(lu┛)学と噞\術総合研|所も参加するkj(lu┛)コンソーシアムだ(図2)。 [→きを読む]

アベノミクスの成長戦S、半導噞の發味(sh┫)か

アベノミクスの成長戦S、半導噞の發味(sh┫)か

アベノミクス3本`の矢に相当する、成長戦Sの要がW倍相から発表された。2012Q度のQ間63兆の設投@Yに瓦靴董∈83Qの間に70兆を`指すことが含まれた。他に、今週、「人とくるまのテクノロジーt」が開かれることでカーエレ\術の半導の発表が富士通、東からあった。半導材料メーカーも相次いで成長戦Sを発表した。 [→きを読む]

日本の半導・FPD]、共に峺いてきた

日本の半導・FPD]、共に峺いてきた

半導]x場がeち直してきた。日本半導]のpRYは5カ月連プラス成長しており、2013Q3月には販売YがpRYを?j┼n)vるほどにが売れた。このT果、B/Bレシオが1.00を割り0.96となったが、悲茲垢襪曚匹離譽戰襪任呂覆い世蹐Α [→きを読む]

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