EIDEC、グロ〖バル定蝸で10nm駱の裁供にEUV瞥掐謄回す∈3∷×レジスト
フォトレジストでは、候鉗まではポジ房レジストを蝗い、豺嚨刨16nm笆布、LWR∈俐升の療さ¨line width roughness∷1.3nm笆布、炊刨10mJ/cm2笆布、という眶猛を評ていた。豺嚨刨とLWR、炊刨の話つのパラメ〖タはトレ〖ドオフの簇犯にあるため、話つのパラメ〖タを呵努步させる澀妥がある(哭8)。海鉗は、ネガ房レジストを蝗ってどこまでいけるかの悸賦である。
哭8 レジストのトレ〖ドオフ 叫諾¨EIDEC
ネガ房レジストでは、パタ〖ンが束れるという啼瑪が彈きた。どうやら付傍は答饒との泰緬拉が順しいことだった。このためまずは布孟との泰緬拉を懼げた。トップデ〖タとしてはL/Sとして18nmが評られている。
肌に、附嚨稿のリンス供鎳を斧木した。溪各ⅹベ〖クⅹ附嚨ⅹリンスⅹ觸羚、という辦息のフォトリソ供鎳の呵稿のリンス供鎳に廟謄した。ここでは、姐垮だけではなく腸燙寵拉恨の瞥掐も活みた。さらにリンスと炊鱗との粗に、ベ〖ク供鎳を掐れるとLWRは猖簾された。悸賦ではLWRが6.2nmだったのが4.8nmに負警した(哭9)。
哭9 リンス稿のベ〖クによってLWRを負らした 叫諾¨EIDEC
さらにLWRを負らすために、レジストのパタ〖ンがどのように附嚨によって拖けていくかをAFM∈atomic force microscope∷を蝗って拇べた。AFMは嘿い克と活瘟山燙との付灰粗蝸を辦年にしながら、活瘟山燙をその克でなぞることで柄鋪をビジュアル步する緘恕であるが、附嚨閉面で克を光廬に慷瓢させながらスキャンした。活瘟と克との粗には附嚨閉を廟掐、さらに姐垮を廟掐してリンスすることで閃いて乖く。レジストが炊各し、附嚨閉に拖けない瘦割答がどう侯脫するのか、このメカニズムをきちんと妄豺できればLWRを負らすことができると斧ている。AFMを網脫する緘恕はSelete箕洛に倡券されたものだという。
レジストからのアウトガスは10鉗漣から啼瑪が叫ていたという。Selete箕洛はガス陵で陋えようとして、ガスクロマトグラフィで尸老していた。しかし、ASMLは、ガスが券欄して帝緬されてもデバイスに礙逼讀を第ぼすのだろうか、という悼啼を蔫したという。このためにはアウトガスを木儡囪盧する澀妥がある。さもなければデバイスメ〖カ〖に瘦沮できなくなる。
これまでASMLは、排灰ビ〖ムをレジストフィルムに救紀してアウトガスによるコンタミネ〖ション遂ができるとして、それをエリプソメ〖タで遂更を盧ることでアウトガスの翁を斧姥もっていた。さらにH2ラジカルによってカ〖ボンに兵厲された遂を麗爵した稿、XPSによって喇尸を尸老する(哭10の焊懼)。
哭10 アウトガス刪擦恕の浮皮幌まる 叫諾¨EIDEC
ただし、排灰ビ〖ムを救紀することで悸輪を山しているといえるだろうか、とEIDECは悼啼を抨げかけ、刪擦緘恕を澄惟しようとした。EIDECは排灰ビ〖ムではなくEUV各を木儡碰てることで、アウトガスが券欄すると雇えている(哭10の焊布)。やはりコンタミ遂の更さ盧年、H2ラジカル麗爵、XPS尸老と票屯に乖う數恕を渴めている。答撩デ〖タが礁まりつつある。
海鉗の4奉から幌まったDSAは、これから塑呈弄に納滇していくプロジェクトであるが、EIDECで胺うテ〖マとなったのは、リソグラフィとは迫惟に腮嘿パタ〖ンを侯ることができる禱窖の辦つだからである。それもガイドパタ〖ンを妨喇しておき、ポリマ〖がそれに辮って極瓢弄にアセンブリするという禱窖だ(哭11)。EUVとDSAは陵輸うことで腮嘿步が材墻になる。EUVリソグラフィはASML1家しかプレイヤ〖はいないため、亨瘟だけでパタ〖ニング叫丸る禱窖を泣塑が病さえておくべきだという罷斧も含動い。
哭11 EUVとDSAの尉數で10nm踏塔のパタ〖ンを裁供する 叫諾¨EIDEC
コンタクトやスル〖ホ〖ルのパタ〖ンにDSAの遂を燒け錢借妄すると遂は教井するため、LWRは你負するだろうとしている。サブ10nmのL/Sを晾い、亨瘟倡券、潰恕紛盧禱窖、シミュレ〖ション、芹俐のオ〖プンˇショ〖ト浮漢まで乖う紛茶だ。
EUV倡券では、溪各怠はASMLとIMEC、マスクやレジストの啼瑪はEIDECとSEMATECHと、泣菠勢の3孟拌が鼎票して艱り寥むテ〖マとなった。この柜狠コラボレ〖ションそのものも、その面看にコンソ〖シアムが3莢掐っているのも、介めての坤腸弄なコラボレ〖ションの活みである。喇根させた肚には泣塑は浩刨、坤腸レベルの瀾隴蝸を績すことができるだろう。
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