2023�Q、SiCパワーデバイスのトップ5社ランキング
2023�QにおけるSiCパワー半導��のトップ5社ランキングが発表された。これによると1位のSTMicroelectronicsは�i�Qと同様だが、onsemiが�i�Qの4位から2位に浮�屬靴拭�トップ5社でSiCデバイス����販売�Yの92%を��めているという。これは�x場調�h会社TrendForceが��らかにしたもの。SiCは電気�O動�Zで今後の発�tが見込まれる。 [→��きを読む]
パワー･パワーマネジメント
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TI、GaNとドライバICを1パッケージに集積したモジュールを����化
GaNやSiCのような高�]のパワー半導��は性�Δ陵グ明�は��確にあるものの、ノイズやオーバーシュート、アンダーシュート、リンギングなどプリント基���屬濃箸い砲�さが残る。ノイズを抑えるドライバICがカギを�曚襪海箸鬚垢任謀舛┐燭�（参考�@料1）、ドライバICとGaNパワートランジスタを集積したモジュール（図1）をTexas Instrumentsが開発した。 [→��きを読む]
Analog Devices、GaNパワーFETを�~動するシリコンICでGaN�v路設��を容易に
Analog Devicesは、GaNパワーFETのゲートをドライブするためのシリコンのドライバICを2023�Qに新����として発売していたが、このほどその背景について��らかにした。GaNパワーFETはシリコンのパワーMOSFETと比べて、絶縁耐圧が10倍高く、電子�‘暗戮�2000cm2/Vsと高く高�]動作に適している。�k�機�高�]すぎて使いにくい点もある。 [→��きを読む]
��湾のファウンドリ、�歟翦焼���戦争をしり�`に漁夫の�W狙う
�歟翦焼���戦争は、��湾に恩�Lを及ぼしそうだ。�盜駭��Bは中国��半導��（中国でアセンブリされた�盜�����を含む）の輸入に50%の関税をかけることを発表したが、これが��湾のファウンドリにとって�~�Wに働く、と��湾�Uの�x場調�h会社TrendForceは見ている。4月に東�Bで開��された「2024�Q��湾半導��デー」（参考�@料1）でも��湾のジャーナリストが述べていた言��がそれを��唆していた。 [→��きを読む]
Infineon,SiCのセルの微細化、新ダイボンディング�\術で性�Α�信頼性を向��
Infineon Technologiesは、��2世代のトレンチ構�]のSiC パワーMOSFET「CoolSiC MOSFET G2」を3月に発表していたが、このほどその詳細について��らかにした。このG2（��2世代）では、オン�B�^を1桁ミリオームに下げると共に、�X�B�^を12%��らし電流容量を�屬欧拭�新����は650Vと1200Vの2�|類で、パッケージもピン�U入型と表�C実��型を���Tする。G2でパワーMOSFETのチップ設��から見直している。 [→��きを読む]
電源��ICの効率アップに賭けるTI、GaNパワーFETやトランス内������も
電源アダプタの�jきさを見れば、電源��ICの実��がわかる。パソコンや電気����の電源アダプタは最新なものほど小さくなっている。�O動�Z内やデータセンターなどでも電源は、より小さくなってきている。アナログ半導��トップのTexas Instruments社は電源の小型化を�`指し、より効率を�屬欧��v路や材料などに��を入れている。このほど2�|類の小型電源ICを発表した。 [→��きを読む]
新工場の立ち�屬欧��мqするXceleratorの��例をSiemensが�o開
半導��や���]����、材料など��ての工場でのデジタル化を推進するための統合ソフトウエアSiemens Xceleratorをバッテリ工場に適��した��例をSiemensが��らかにした。かつての3D-CADソフトは今や半導��の世�c、��に先端パッケージでは�Lかせない�T在となりつつある。Siemensだけではなく、仏Dassault Systemesや��PTCなども半導���噞にやってきている。 [→��きを読む]
GaNパワー半導��の逆バイアス試�x�桔，�JEDEC�Y��となった
化合�颯僖錙屡焼���のGaNデバイスの逆バイアス信頼性�h価法（図1）がJEDECで�Y��化された（参考�@料1）。JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）はメモリのピン配��などの�Y��化をみんなで��めるための世�c的な�Y��化団��。ここで��まった仕様は半導������の�Y��となり、����の普及だけではなくコストを下げる役割もある。 [→��きを読む]
SiC、�Z載向け800Vインバータ、OBCの実�v路を��す時代へ、GaNも�Z載可�Δ�
SiC・GaNのWBG（Wide Band Gap）半導��がもはや単��ではなくシステムボードを��い合う時代に入った。東�Bビッグサイトで開かれたオートモーティブワールド2024では、パワー半導��トップのInfineon Technologiesと、SiCトップのSTMicroelectronicsがガチンコ�M負を見せた。InfineonがGaN応������ポートフォリオを��し、STは8インチウェーハSiCデバイスとシステムを見せた。 [→��きを読む]
パワー半導��、AIチップ、税�U優遇など���Bの�}厚い�мq、��出
ロームと東��デバイス&ストレージ（図1）が申�个靴討い織僖錙屡焼���の供給確保��画を経済�噞省が認定し、両社に���\金が交��されることが��まった。��相および経���j臣がNvidia CEOのJensen Huang��と会いGPUの日本への供給確保を要�个靴拭Ｏ��BはAIチップにも���\金を�мqする。���Bは半導��など�攵盋に応じて税優遇する仕組みを提案している。法人税の�峺托Yを20%とする。 [→��きを読む]
