IoTブ〖ムで浩び廟謄を礁めるエネルギ〖ハ〖ベスティング
咳の攙りにある極臉のエネルギ〖を排富とする、エネルギ〖ハ〖ベスティング禱窖がIoTセンサの惟ち懼がりによって、舍第が裁廬しそうだ。その禱窖答茸を稿病しする≈エネルギ〖ハ〖ベスティングコンソ〖シアム∽の徊裁措度ˇ怠簇も籠えつつある。 [ⅹ魯きを粕む]
咳の攙りにある極臉のエネルギ〖を排富とする、エネルギ〖ハ〖ベスティング禱窖がIoTセンサの惟ち懼がりによって、舍第が裁廬しそうだ。その禱窖答茸を稿病しする≈エネルギ〖ハ〖ベスティングコンソ〖シアム∽の徊裁措度ˇ怠簇も籠えつつある。 [ⅹ魯きを粕む]
排蝸を海よりスマ〖ト(腑く)に擴告することがスマ〖トグリッドのはず。踩捻の排蝸もより腑く擴告することがスマ〖トホ〖ムのはず。ところが悸狠には斧える步するだけで部も腑く擴告していない。毖柜BBG∈Bristol Blue Green∷家が倡券した、その瀾墑≈BlueGreen∽∈哭1∷は、踩捻や措度の尸排茸で腑く擴告し賴澄な睛脫排暗を評る怠達だ。さらに欄緩されるデ〖タも姥端弄に網脫しようとしている。 [ⅹ魯きを粕む]
ON SemiconductorはFairchild Semiconductorの傾箭を2016鉗9奉19泣に窗位し、奠Fairchildの寥駿を崔めた泣塑恕客の疤彌づけを浩菇喇した。このほどわずか2カ奉動で、圭駛稿の措度里維を侯り懼げこのほどその糠里維を券山した。 [ⅹ魯きを粕む]
奠話臀排怠染瞥攣グル〖プが疥擄するON Semiconductor∈哭1∷はモバイルバッテリ羹けのバッテリマネジメントICを倡券した。これはSB 2.0やUSB-PD、Quick Charge 2.0/3.0など6鹼梧の締廬郊排憚呈に灤炳する。Samsung Galaxy Note 7曲券の付傍はいまだに湯らかではないが、バッテリマネジメントICは、リチウムイオン排糜の瓷妄に端めて腳妥な舔充を么う。 [ⅹ魯きを粕む]
躥柜SamsungのファブレットGalaxy Note 7の券殘禍鳳笆丸、リコ〖ル、手垛や糠墑との蛤垂といった聯買昏を捏績、蛤垂してもまた券殘禍肝が久えなかった。このことを減け、Samsungは11泣、Note 7の欄緩を面賄することを券山した。付傍は部だったのだろうか? その豺湯はこれからだ。 [ⅹ魯きを粕む]
Analog Devices∈ADI∷は、排糜の妥らないエネルギ〖ハ〖ベスティングを網脫したIoTデバイス(眉瑣、あるいはセンサデバイス、センサノ〖ドなどとも咐う)羹けのパワ〖マネジメントIC、≈ADP5091∽の拒嘿を湯らかにした(哭1)。エネルギ〖ハ〖ベスティングは券欄する排蝸が井さく、しかも恃瓢が絡きいのにもかかわらず、流慨排蝸は眶澆mWと絡きい。郊排マネジメントも崔め、奧年な排蝸をどう丁惦するか。ここにPMICの嫌の斧せ疥がある。 [ⅹ魯きを粕む]
シングルチップのGaNパワ〖ICを毖Dialog Semiconductorが倡券、スマ〖トフォンのACアダプタ∈AC-DCコンバ〖タ∷に羹け、海稿12カ奉笆柒に翁緩すると券山した。GaNのモノリシックICは坤腸で介めての翁緩となる。ファウンドリはTSMCの徒年。 [ⅹ魯きを粕む]
Infineon TechnologiesがSiC里維を絡きく恃える。これまでのJFETからMOSFETを郊悸させる數克を湯らかにした。卵暗1200Vでオン鳥鉤11mΩ×45mΩの瀾墑、CoolSiCシリ〖ズをサンプル叫操し幌めた。さらにCreeの灰柴家Wolfspeed家を傾箭、SiC亨瘟を緘に掐れ、SiCとGaN瀾墑∈GaN-on-SiC∷のポ〖トフォリオを橙絡できる攣擴を臘えた。 [ⅹ魯きを粕む]
4奉布杰に澎疊ビッグサイトで倡かれたTechno-Frontier 2016では、パワ〖デバイスのさまざまな炳脫、蝗い盡緘よく瓢かすためのドライバ、パワ〖で瓢くロボットやドロ〖ンなどの擴告拉を懼げるためのセンサ、など糠しい炳脫と瓢蝸禱窖が判眷した。もともとこのイベントはモ〖タ擴告やパワ〖染瞥攣、排富などに礁面しているが、糠しい炳脫を回羹する。 [ⅹ魯きを粕む]
Texas InstrumentsがGaNパワ〖FETに渴叫した。これまでのGaNやSiCのFETは、警眶キャリヤの眠姥箕粗がないため光廬に瓢侯するが、締皆な惟ち懼がりゆえにリンギングを彈こしたりノイズを券欄させたり、ゲ〖トドライブ攙烯の肋紛が豈しかった。TIの糠瀾墑(哭1)はゲ〖トドライブ攙烯まで礁姥したため、蝗いやすいパワ〖デバイスとなった。 [ⅹ魯きを粕む]