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パワー・パワーマネジメント

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ON Semiが]充電官モバイル電池パック向けバッテリマネジメントを開発

ON Semiが]充電官モバイル電池パック向けバッテリマネジメントを開発

旧洋電機半導グループが所錣垢ON Semiconductor(図1)はモバイルバッテリ向けのバッテリマネジメントICを開発した。これはSB 2.0やUSB-PD、Quick Charge 2.0/3.0など6|類の]充電格に官する。Samsung Galaxy Note 7爆発の原因はいまだにらかではないが、バッテリマネジメントICは、リチウムイオン電池の管理に極めて_要な役割を担う。 [→きを読む]

ADI、エネルギーハーベスティングWIoT電源を提案

ADI、エネルギーハーベスティングWIoT電源を提案

Analog Devices(ADI)は、電池の要らないエネルギーハーベスティングをWしたIoTデバイス(端、あるいはセンサデバイス、センサノードなどとも言う)向けのパワーマネジメントIC、「ADP5091」の詳細をらかにした(図1)。エネルギーハーベスティングは発擇垢訶杜が小さく、しかも変動がjきいのにもかかわらず、送信電は数mWとjきい。充電マネジメントも含め、W定な電をどう供給するか。ここにPMICの腕の見せ所がある。 [→きを読む]

Infineon、SiC戦S転換、MOSFETで低コスト化狙う

Infineon、SiC戦S転換、MOSFETで低コスト化狙う

Infineon TechnologiesがSiC戦Sをjきく変える。これまでのJFETからMOSFETを充実させる疑砲らかにした。耐圧1200VでオンB^11mΩ〜45mΩの、CoolSiCシリーズをサンプル出荷し始めた。さらにCreeの子会社Wolfspeed社をA収、SiC材料を}に入れ、SiCとGaN(GaN-on-SiC)のポートフォリオを拡jできるUをDえた。 [→きを読む]

ドローン、ロボットを動かすパワー半導・センサの集合t

ドローン、ロボットを動かすパワー半導・センサの集合t

4月下旬に東Bビッグサイトで開かれたTechno-Frontier 2016では、パワーデバイスのさまざまな応、使いM}よく動かすためのドライバ、パワーで動くロボットやドローンなどのU御性を屬欧襪燭瓩離札鵐機△覆豹靴靴けと動\術が登場した。もともとこのイベントはモータU御やパワー半導、電源などに集中しているが、新しい応を指向する。 [→きを読む]

TI、満をeしてGaNパワーFETに進出、ドライバをパッケージに集積

TI、満をeしてGaNパワーFETに進出、ドライバをパッケージに集積

Texas InstrumentsがGaNパワーFETに進出した。これまでのGaNやSiCのFETは、少数キャリヤの蓄積時間がないため高]に動作するが、峻な立ち屬りゆえにリンギングをこしたりノイズを発擇気擦燭蝓▲押璽肇疋薀ぅv路の設がMしかった。TIの新(図1)はゲートドライブv路まで集積したため、使いやすいパワーデバイスとなった。 [→きを読む]

ワイヤレス充電の普及に尽くすWPC、ロームが咾ぅ汽檗璽

ワイヤレス充電の普及に尽くすWPC、ロームが咾ぅ汽檗璽

携帯電B・スマートフォンの無線充電が日本ではまだれている。国内でを入れているロームは、このほどWPC(Wireless Power Consortium)セミナーを開した。WPC会^企業は最新の無線充電\術を紹介すると同時に、t会によるデモも見せた。WPCの会長であるMenno Treffers(図1)へのD材も含めて、最新ワイヤレス充電をレポートする。 [→きを読む]

Maxim、世cのトレンドに合わせて戦Saり直し

Maxim、世cのトレンドに合わせて戦Saり直し

世c的な半導噞再の中、盜饕聟のアナログ半導メーカー、Maxim IntegratedはW益が出ているうちに業cのトレンドにあった形に再構築する、という疑砲膿靴靴だ鐓Sをaり直した。10以屬△辰慎業靆腓4靆腓帽覆蝓▲侫.屬眷箋僂靴拭再構築(リストラ)といっても人をカットしたlではない。 [→きを読む]

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