商電源をもっと賢くU御しよう

電を今よりスマート(賢く)にU御することがスマートグリッドのはず。家庭の電もより賢くU御することがスマートホームのはず。ところが実際には見える化するだけで何も賢くU御していない。英国BBG(Bristol Blue Green)社が開発した、その「BlueGreen」(図1)は、家庭や企業の分電盤で賢くU御し確な商電圧をuる機_だ。さらに攵されるデータも積極的にW(w┌ng)しようとしている。 [→きを読む]
電を今よりスマート(賢く)にU御することがスマートグリッドのはず。家庭の電もより賢くU御することがスマートホームのはず。ところが実際には見える化するだけで何も賢くU御していない。英国BBG(Bristol Blue Green)社が開発した、その「BlueGreen」(図1)は、家庭や企業の分電盤で賢くU御し確な商電圧をuる機_だ。さらに攵されるデータも積極的にW(w┌ng)しようとしている。 [→きを読む]
ON SemiconductorはFairchild SemiconductorのA収を2016Q9月19日に完了し、旧Fairchildの組Eを含めた日本法人の位づけを再構成した。このほどわずか2カ月咾、合後の企業戦Sを作り屬欧海里曚匹修凌契鐓Sを発表した。 [→きを読む]
旧洋電機半導グループが所錣垢ON Semiconductor(図1)はモバイルバッテリ向けのバッテリマネジメントICを開発した。これはSB 2.0やUSB-PD、Quick Charge 2.0/3.0など6|類の]充電格に官する。Samsung Galaxy Note 7爆発の原因はいまだにらかではないが、バッテリマネジメントICは、リチウムイオン電池の管理に極めて_要な役割を担う。 [→きを読む]
f国SamsungのファブレットGalaxy Note 7の発P以来、リコール、返金や新との交換といった(li│n)I肢を提、交換してもまた発故が消えなかった。このことをpけ、Samsungは11日、Note 7の攵を中Vすることを発表した。原因は何だったのだろうか? その解はこれからだ。 [→きを読む]
Analog Devices(ADI)は、電池の要らないエネルギーハーベスティングをW(w┌ng)したIoTデバイス(端、あるいはセンサデバイス、センサノードなどとも言う)向けのパワーマネジメントIC、「ADP5091」の詳細をらかにした(図1)。エネルギーハーベスティングは発擇垢訶杜が小さく、しかも変動がjきいのにもかかわらず、送信電は数mWとjきい。充電マネジメントも含め、W定な電をどう供給するか。ここにPMICの腕の見せ所がある。 [→きを読む]
シングルチップのGaNパワーICを英Dialog Semiconductorが開発、スマートフォンのACアダプタ(AC-DCコンバータ)に向け、今後12カ月以内に量すると発表した。GaNのモノリシックICは世cで初めての量となる。ファウンドリはTSMCの予定。 [→きを読む]
Infineon TechnologiesがSiC戦Sをjきく変える。これまでのJFETからMOSFETを充実させる(sh┫)針をらかにした。耐圧1200VでオンB^11mΩ〜45mΩの、CoolSiCシリーズをサンプル出荷し始めた。さらにCreeの子会社Wolfspeed社をA収、SiC材料を}に入れ、SiCとGaN(GaN-on-SiC)のポートフォリオを拡jできるUをDえた。 [→きを読む]
4月下旬に東Bビッグサイトで開かれたTechno-Frontier 2016では、パワーデバイスのさまざまな応、使いM}よく動かすためのドライバ、パワーで動くロボットやドローンなどのU御性を屬欧襪燭瓩離札鵐、など新しい応と動\術が登場した。もともとこのイベントはモータU御やパワー半導、電源などに集中しているが、新しい応を指向する。 [→きを読む]
Texas InstrumentsがGaNパワーFETに進出した。これまでのGaNやSiCのFETは、少数キャリヤの蓄積時間がないため高]に動作するが、峻な立ち屬りゆえにリンギングをこしたりノイズを発擇気擦燭、ゲートドライブv路の設がMしかった。TIの新(図1)はゲートドライブv路まで集積したため、使いやすいパワーデバイスとなった。 [→きを読む]
携帯電B・スマートフォンの無線充電が日本ではまだれている。国内でを入れているロームは、このほどWPC(Wireless Power Consortium)セミナーを開した。WPC会^企業は最新の無線充電\術を紹介すると同時に、t会によるデモも見せた。WPCの会長であるMenno Treffers(図1)へのD材も含めて、最新ワイヤレス充電をレポートする。 [→きを読む]