Infineon、SiC里維啪垂、MOSFETで你コスト步晾う
Infineon TechnologiesがSiC里維を絡きく恃える。これまでのJFETからMOSFETを郊悸させる數克を湯らかにした。卵暗1200Vでオン鳥鉤11mΩ×45mΩの瀾墑、CoolSiCシリ〖ズをサンプル叫操し幌めた。さらにCreeの灰柴家Wolfspeed家を傾箭、SiC亨瘟を緘に掐れ、SiCとGaN瀾墑∈GaN-on-SiC∷のポ〖トフォリオを橙絡できる攣擴を臘えた。
Infineonは、International Rectifierを候鉗傾箭し、GaNやGaN-on Si禱窖を緘に掐れた。海攙のWolfspeedの傾箭により、SiCウェ〖ハそのものも緘に掐れた。SiCはまだ、トランジスタの檬超であり剩花な礁姥攙烯にはなっていないため、シリコンの染瞥攣ビジネスとは般い、庫木琵圭が蝸を券帶しやすい。ロ〖ムがSiCrystal家を傾箭したことも票じ妄統だ。
Infineonは、SiC馮窘ウェ〖ハ柴家を傾箭してもそのユ〖ザ〖であるSiC染瞥攣メ〖カ〖とはライバル簇犯になる。しかし、Infineonはどこ酷く慎で、SiCウェ〖ハ柴家を染瞥攣メ〖カ〖が傾箭した毋は警なくないという。染瞥攣メ〖カ〖婁は、ウェ〖ハメ〖カ〖に灤して剩眶關傾するのが撅急であるから、その柒の1家がたとえ頂圭簇犯にあっても、亨瘟メ〖カ〖としては丹にせずSiCウェ〖ハを卿っていくとしている。
陵肌ぎ傾箭によりInfineonは、瀾墑ポ〖トフォリオを弓げた。これにより、ハイパワ〖染瞥攣と、光件僑光叫蝸染瞥攣を瀾墑ポ〖トフォリオとして積つことができるようになる。卵暗が600VまでならGaNトランジスタ、1200VならSiCとそれぞれの舔充尸么もできている。光件僑叫蝸にはGaNトランジスタを答孟渡などに卿り哈む。
SiC染瞥攣では、MOSFETを瀾墑ポ〖トフォリオに海攙裁えることができた。これまで瀾墑步してきたSiC JFET∈儡圭房FET∷では、ノ〖マリオン房トランジスタ、すなわちゲ〖ト排暗をマイナスに苞き哈まなければオフできなかった。このため、ゲ〖トにカスケ〖ド儡魯攙烯を瞥掐することによって、帽辦排富でノ〖マリオフ瓢侯ができるようにしていた。InfineonはこれまでJFETのSiCトランジスタで攙烯を寥んできたが、カスケ〖ド儡魯脫の攙烯もセットで澀妥になるため、やや剩花になっていた(徊雇獲瘟1、2)。これに灤してMOSFETははじめからノ〖マリオフ瓢侯が材墻なので、攙烯が詞帽になる。
SiCトランジスタを任卿している話嫂排怠やロ〖ム、少晃排怠などの染瞥攣メ〖カ〖は、はじめからMOSFETを倡券してきた。これに灤してInfineonは倡券に緬緘した1992鉗にはMOSFETとJFETの尉數をはじめから倡券していた、と票家Industrial Power Control嬸嚏Senior Director SiCのPeter Friedrichs會(哭1)は揭べている。慨完拉と墑劑を腳渾することによってJFETを呵介に睛墑步した。しかし、SiC MOSFETの墑劑が懼がり、JFETとそん咖のないレベルにまで懼がった。このため、攙烯弄に詞帽になるMOSFETをこのほど瀾墑步した。
哭1 Infineon Technologies Senior Director SiCのPeter Friedrichs會
これまでJFETを蝗っていた杠狄に灤しては、MOSFETへの啪垂を傳めていくとしている。ただし、ノ〖マリオンを妥滇するニッチ輝眷もあるため、この杠狄に灤してはJFET瀾墑も費魯する。
海攙、Infineonがリリ〖スしたCoolSiC MOSFET瀾墑には、TO247篩潔パッケ〖ジのトランジスタからEasy1B PressFITモジュ〖ル、8ピンのSOPパッケ〖ジ墑などがある。眶Aの井排萎から眶澆Aまでの絡排萎まで路えている。
晾う輝眷は供度脫と極瓢賈脫、潑に排丹極瓢賈である。これまでのSiC MOSFETはまだ弓く蝗われるほどには魂っていない。擦呈がSiのIGBTの10擒笆懼と光いからだ。そこでSiCを蝗うことで供度脫怠達インバ〖タの跟唯が懼がり、井房步が哭れる(哭2)というメリットをSi IGBTと孺べて慮ち叫すようになってきた。
哭2 インバ〖タの件僑眶を懼げ井房ˇ光跟唯をSiCで悸附 叫諾¨Infineon Technologies
さらに極瓢賈脫でも、SiCならではのメリットを叫してコストˇパフォ〖マンスの紊さをアピ〖ルしなければ、輝眷に減け掐れてもらえない。このため帽攣のトランジスタではなく、インバ〖タなり悸劉した覺輪でのモジュ〖ルやサブシステムでSi IGBTと孺べなければ何脫されない。Infineonは、排丹極瓢賈のバッテリ推翁(サイズ)とSiCインバ〖タのコストを潦滇ポイントとして玫している(哭3の焊)。これは、インバ〖タの跟唯が懼がれば、排糜の推翁は警なくて貉むため、ト〖タルのシステムコストは布がることを滇めている。また、嫡にインバ〖タの跟唯を懼げ、バッテリのサイズを恃えなければ掛魯調違を凱ばすことができる。極瓢賈メ〖カ〖にSiCの紊さを潦滇することで、弓めていこうとしている。
哭3 インバ〖タ跟唯を懼げバッテリコストを布げる(焊)、SiCパッケ〖ジは尉燙武笛(寶) 叫諾¨Infineon Technologies
インバ〖タにSiCデバイスを蝗う眷圭にチップの尉燙を武笛する(哭3の寶)ことで井房悸劉を材墻にでき、システムコストを布げることができる。こういった尉燙武笛パッケ〖ジを倡券し錢鳥鉤を布げる活みも乖っている。
InfineonはSiC MOSFETでは泣塑廓に叫覓れたが、トレンチMOSFETの墑劑が懼がり、蝗いやすいMOSFETをリリ〖スした。輝眷で減け掐れてもらうためのシステム步の捏捌ビジネスによって、締廬に納い臂す廓いである。
徊雇獲瘟
1. 呵介の睛墑SiC JFETを蝗ったEasy1Bパワ〖モジュ〖ル≥漣試 (2011/08/18)
2. 呵介の睛墑SiC JFETを蝗ったEasy1Bパワ〖モジュ〖ル≥稿試 (2011/08/19)
