グリーントランスフォーメーションの基本、バッテリ\術の進t進む

IoTがDX(デジタルトランスフォーメーション)の基本\術としてQ率20%で実に成長している間に、エネルギーの効率化を`指すグリーントランスフォーメーション(GX)も実に始まっている。ここでは半導とバッテリが基本\術となる。トヨタが家庭電池業に参入、櫂好拭璽肇▲奪廚W価な材料で低価格電池の開発、パナソニックがj(lu┛)\、日立が送電線の点検監サービス開始、といった動きが`立つ。 [→きを読む]
IoTがDX(デジタルトランスフォーメーション)の基本\術としてQ率20%で実に成長している間に、エネルギーの効率化を`指すグリーントランスフォーメーション(GX)も実に始まっている。ここでは半導とバッテリが基本\術となる。トヨタが家庭電池業に参入、櫂好拭璽肇▲奪廚W価な材料で低価格電池の開発、パナソニックがj(lu┛)\、日立が送電線の点検監サービス開始、といった動きが`立つ。 [→きを読む]
EV(電気O動Z)の]充電や再擴Ε┘優襯ーのDC-ACコンバータなどのに向け、1200Vあるいは2000VのパワーSiC MOSFETでオンB^をらしたがい合っている。UnitedSiCをA収したQorvoが1200V耐圧でオンB^23mΩ(図1)、SiCデバイス販売YトップのSTMicroelectronicsを{いかけるInfineonが2000V耐圧でオンB^20mΩ度のSiC MOSFETを発表した。 [→きを読む]
電気O動Z(EV)が充電_のコスト削やサブスクリプションモデル導入など新しい試みを推進しており、また再擴Ε┘優襯ー発電の出をVめるなど、これからのパワー半導のx場拡j(lu┛)の可性が広がっている。経済噞省が@けたグリーントランスフォーメーション(GX)は、皮肉にも日本が出れただけにパワー半導x場の余地は広い。 [→きを読む]
耐圧1200Vと高く、しかもオンB^7mΩと失の小さなSiCパワーMOSFETをInfineon Technologiesが出荷し始めた。このCoolSiC MOSFET 1200V M1Hファミリには、YのTO247パッケージの単トランジスタに加え、インバータなどに適したパワーモジュールEasy 3Bパッケージも提供する。 [→きを読む]
このところパワー半導の要の高まりをす実が々出てきている。EV(電気O動Z)x場の立ち屬りと共に充電設△僚室族宗△気蕕謀杜供給不Bによる停電の解消、再擴Ε┘優襯ー導入の高まりなどだ。これらの実はパワー半導の要拡j(lu┛)をしている。インドでも半導噞が立ち屬りを見せている。ここでもEVとスマホがカギを曚襦 [→きを読む]
東デバイス&ストレージ社は、加賀東エレクトロニクス社の構内にパワー半導向け300mmの攵ラインを新設すると発表した。O動Zの電動化や噞機_のO動化が狙いとしているが、点はやはりEVだ。世c中のO動ZメーカーがEVに舵をDり始めた中でトヨタは昨Q12月になってようやくEV戦Sを発表した。日経は慎_すぎたと表現した。 [→きを読む]
SPI会^限定Free Webinar:ウェブだけではお伝えしきれないような_要なニュースを分析し、kつのテーマをウェビナーでより深堀していきます。 [→きを読む]
ドイツInfineon Technologiesがオーストリアのフィラハに建設していた300mm完O動化の新工場をn働させた(図1)。9月17日(同日日本時間20時30分)にオープニングセレモニーを開、セレモニーの最後に、クリーンルームから完成ウェーハをeち出して~けけるというデモまで披露した(参考@料1)。300mmの薄いウェーハを攵するが、2022〜23QのEVや再擴Ε┘優襯ー要拡j(lu┛)を予[して建設した。 [→きを読む]
Texas Instruments社は、さまざまな電動工困筌檗璽織屮襪焚氾典×_に使われるブラシレスDCモーターの@音をらすためのU御\術をrり込んだモータードライブICを発売した。ノートPCの最もかなファンよりも6〜7dB低いとしている。終段のパワーMOSFETも集積しているため、チップを搭載した基C積はディスクリートで組む場合の1/3と小さくなる。 [→きを読む]
カーボンニュートラルの動きが発化している。再擴Ε┘優襯ーを使った電を直接P(gu─n)入する企業が\えている。その動きから電線の要\を捉え、住友電工が送電線業の売幢Yを2030Q度に2019Q度比2倍に\やすという`Yを掲げた。さらにスマホメーカーの中国小櫃本格的にEVに乗り出す。それに向けたSiC半導要がようやく\え始めた。 [→きを読む]