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パワー・パワーマネジメント

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Onsemi、インテリジェントなパワーとイメージセンサでM負

Onsemi、インテリジェントなパワーとイメージセンサでM負

ON Semiconductorがonsemiと会社の@称を変してから3Qたった。元CypressのCEOであったHassane El-Khouryがトップに任、onsemiの妓をインテリジェントパワーとインテリジェントセンサに定めた。応としてはクルマとe可社会にRし、2022Qから2027Qまでの半導のCAGR(Q平均成長率)4%よりも高い10〜12%の成長率を`指す。El-Khouryはこのような中期画をWいている。 [→きを読む]

パワー半導の槐vInfineonが語る、これからのパワー業に要なもの

パワー半導の槐vInfineonが語る、これからのパワー業に要なもの

在日ドイツ商工会議所が主し、インフィニオンテクノロジーズジャパンが企画局となっている日独オクトーバー\術交流会(通称オクトーバーテック)が開された。Infineon TechnologiesのCMO(チーフマーケティングオフィサー)でありD締役会メンバーでもあるAndreas Urschitz(図1)が基調講演を行い、パワー半導世cトップの実の理y(t┓ng)がわかった。 [→きを読む]

SiCトップのSTMicro、パワーだけでなくエッジAI含めソリューションでM負

SiCトップのSTMicro、パワーだけでなくエッジAI含めソリューションでM負

STMicroelectronicsがSiCやGaNなどのパワー半導をtすると共に、AIを使ったモータU御やIO-Linkインターフェイスを使った噞機_ネットワーク向けのソリューションなど、パワー半導を使ったソリューションをTechno-Frontier 2023で見せた。パワー半導単では差別化しにくいが、ソリューションで顧客にメリットを見える化する戦Sだ。 [→きを読む]

GaNT晶からウェーハにスライスするレーザー\術で攵掚を屬欧

GaNT晶からウェーハにスライスするレーザー\術で攵掚を屬欧

GaNパワーデバイスがすでにスマートフォンの]充電_などに使われているが、GaNT晶の加工にもメドがついたようだ。SiC同様、GaNバルクT晶もwく、バルクのインゴットからウェーハにスライスすることがMしかった。ディスコが比較的~単にスライスできる\術を開発、ウェーハとして使える収量も37.5%\やせることがわかった。 [→きを読む]

東半導靆腓離僖錙屡焼の300mmプロセスラインにMQがある理y(t┓ng)

東半導靆腓離僖錙屡焼の300mmプロセスラインにMQがある理y(t┓ng)

東の半導靆腓任△訶贄デバイス&ストレージ社がパワー半導工場である加賀東エレクトロニクスに300mmウェーハプロセスラインを設ける理y(t┓ng)がらかになった。加賀東は2023Q4月に300mm官のパワー半導新]棟の工式を行い、2024Q度内でのn働を予定しているが、地味なパワー半導は供給埔蠅砲覆蕕覆い世蹐Δ。 [→きを読む]

SiCパワー半導、サプライチェーンからOEM確保まで貭湘合化へ動く

SiCパワー半導、サプライチェーンからOEM確保まで貭湘合化へ動く

SiCパワー半導x場が]に湧き屬っている。クルマの電動化によりインバータやオンボードチャージャーにSiCが使われているが、このEVx場に向けてW定供給するための戦S的な提携やM&Aが発化している。SiCパワー半導のx場模はまだ16億ドル度だが、2026QにはCAGR35%で53.3億ドルに\加するという見通しまで出てきた(図1)。 [→きを読む]

ラピダスの2nmノードに瓦掘JSファンダリはパワーでM負

ラピダスの2nmノードに瓦掘JSファンダリはパワーでM負

日本発の先端ファウンドリのラピダス社がLOのh歳xに量妌場の設をめた。元洋電機の半導工場であった新觜場を日本のファンドがA収、JSファンダリとして2022Q12月に出発したが、そのレポートを3月6日の日経噞新聞が報じた。SiC開発を進めてきたロームがGaNパワーIC\術にも乗り出している。 [→きを読む]

GaNの常識を戮1200Vの\術でEVx場を狙うパワー半導ベンチャー

GaNの常識を戮1200Vの\術でEVx場を狙うパワー半導ベンチャー

高耐圧のパワー半導には、性としてSiよりも絶縁耐圧の高いSiCやGaNの気~Wだ。しかしながらSiCでは1200Vの耐圧をuられるが、高価でなかなか普及しない。GaNの横型HEMTトランジスタは650V度しか耐圧がuられない。こんな常識がSi、SiC、GaNのパワー半導でこれまでまかり通っていた。 [→きを読む]

パワーとセンサのインテリジェント化でM負するonsemi

パワーとセンサのインテリジェント化でM負するonsemi

Hassane El-Khoury(図1)が、{}の経営vとしてR`されていたCypress SemiconductorのCEOから、2020QにonsemiのCEOになり、2Qが経とうとしている。onsemiはこの間にjきく変わった。O動Zと噞の半導をeっているonsemiは、インテリジェントパワーとインテリジェントセンサにフォーカスすることを進めてきた。onsemiのメッセージはかなり確になってきた。CEOのHassane El-Khouryにその戦Sについて聞いた。 [→きを読む]

発なSiCパワー半導:T晶新工場の建設、MOSFET企業のA収

発なSiCパワー半導:T晶新工場の建設、MOSFET企業のA収

SiCデバイスがようやく立ち屬ってきた。onsemiがニューハンプシャーΕ魯疋愁鵑SiCT晶ブール(Siのインゴット相当)攵の新工場を設立、開所式を行った(図1)。歉省のジーナ・レモンド国長官も出席するというの入れようだった。また、GaNデバイスx場で最j}のNavitasがSiCメーカーのGeneSiC SemiconductorをA収した。 [→きを読む]

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