Semiconductor Portal

パワー・パワーマネジメント

» キーワード » » パワー・パワーマネジメント

SiC、Z載向け800Vインバータ、OBCの実v路をす時代へ、GaNもZ載可Δ

SiC、Z載向け800Vインバータ、OBCの実v路をす時代へ、GaNもZ載可Δ

SiC・GaNのWBG(Wide Band Gap)半導がもはや単ではなくシステムボードをい合う時代に入った。東Bビッグサイトで開かれたオートモーティブワールド2024では、パワー半導トップのInfineon Technologiesと、SiCトップのSTMicroelectronicsがガチンコM負を見せた。InfineonがGaN応ポートフォリオをし、STは8インチウェーハSiCデバイスとシステムを見せた。 [→きを読む]

パワー半導、AIチップ、税U優遇などBの}厚いмq、出

パワー半導、AIチップ、税U優遇などBの}厚いмq、出

ロームと東デバイス&ストレージ(図1)が申个靴討い織僖錙屡焼の供給確保画を経済噞省が認定し、両社に\金が交されることがまった。相および経j臣がNvidia CEOのJensen Huangと会いGPUの日本への供給確保を要个靴拭OBはAIチップにも\金をмqする。Bは半導など攵盋に応じて税優遇する仕組みを提案している。法人税の峺托Yを20%とする。 [→きを読む]

Onsemi、インテリジェントなパワーとイメージセンサでM負

Onsemi、インテリジェントなパワーとイメージセンサでM負

ON Semiconductorがonsemiと会社の@称を変してから3Qたった。元CypressのCEOであったHassane El-Khouryがトップに任、onsemiの妓をインテリジェントパワーとインテリジェントセンサに定めた。応としてはクルマとe可社会にRし、2022Qから2027Qまでの半導のCAGR(Q平均成長率)4%よりも高い10〜12%の成長率を`指す。El-Khouryはこのような中期画をWいている。 [→きを読む]

パワー半導の槐vInfineonが語る、これからのパワー業に要なもの

パワー半導の槐vInfineonが語る、これからのパワー業に要なもの

在日ドイツ商工会議所が主し、インフィニオンテクノロジーズジャパンが企画局となっている日独オクトーバー\術交流会(通称オクトーバーテック)が開された。Infineon TechnologiesのCMO(チーフマーケティングオフィサー)でありD締役会メンバーでもあるAndreas Urschitz(図1)が基調講演を行い、パワー半導世cトップの実の理yがわかった。 [→きを読む]

SiCトップのSTMicro、パワーだけでなくエッジAI含めソリューションでM負

SiCトップのSTMicro、パワーだけでなくエッジAI含めソリューションでM負

STMicroelectronicsがSiCやGaNなどのパワー半導をtすると共に、AIを使ったモータU御やIO-Linkインターフェイスを使った噞機_ネットワーク向けのソリューションなど、パワー半導を使ったソリューションをTechno-Frontier 2023で見せた。パワー半導単では差別化しにくいが、ソリューションで顧客にメリットを見える化する戦Sだ。 [→きを読む]

GaNT晶からウェーハにスライスするレーザー\術で攵掚を屬欧

GaNT晶からウェーハにスライスするレーザー\術で攵掚を屬欧

GaNパワーデバイスがすでにスマートフォンの]充電_などに使われているが、GaNT晶の加工にもメドがついたようだ。SiC同様、GaNバルクT晶もwく、バルクのインゴットからウェーハにスライスすることがMしかった。ディスコが比較的~単にスライスできる\術を開発、ウェーハとして使える収量も37.5%\やせることがわかった。 [→きを読む]

東半導靆腓離僖錙屡焼の300mmプロセスラインにMQがある理y

東半導靆腓離僖錙屡焼の300mmプロセスラインにMQがある理y

東の半導靆腓任△訶贄デバイス&ストレージ社がパワー半導工場である加賀東エレクトロニクスに300mmウェーハプロセスラインを設ける理yがらかになった。加賀東は2023Q4月に300mm官のパワー半導新]棟の工式を行い、2024Q度内でのn働を予定しているが、地味なパワー半導は供給埔蠅砲覆蕕覆い世蹐Δ。 [→きを読む]

SiCパワー半導、サプライチェーンからOEM確保まで貭湘合化へ動く

SiCパワー半導、サプライチェーンからOEM確保まで貭湘合化へ動く

SiCパワー半導x場が]に湧き屬っている。クルマの電動化によりインバータやオンボードチャージャーにSiCが使われているが、このEVx場に向けてW定供給するための戦S的な提携やM&Aが発化している。SiCパワー半導のx場模はまだ16億ドル度だが、2026QにはCAGR35%で53.3億ドルに\加するという見通しまで出てきた(図1)。 [→きを読む]

ラピダスの2nmノードに瓦、JSファンダリはパワーでM負

ラピダスの2nmノードに瓦、JSファンダリはパワーでM負

日本発の先端ファウンドリのラピダス社がLOのh歳xに量妌場の設をめた。元洋電機の半導工場であった新觜場を日本のファンドがA収、JSファンダリとして2022Q12月に出発したが、そのレポートを3月6日の日経噞新聞が報じた。SiC開発を進めてきたロームがGaNパワーIC\術にも乗り出している。 [→きを読む]

GaNの常識を戮1200Vの\術でEVx場を狙うパワー半導ベンチャー

GaNの常識を戮1200Vの\術でEVx場を狙うパワー半導ベンチャー

高耐圧のパワー半導には、性としてSiよりも絶縁耐圧の高いSiCやGaNの気~Wだ。しかしながらSiCでは1200Vの耐圧をuられるが、高価でなかなか普及しない。GaNの横型HEMTトランジスタは650V度しか耐圧がuられない。こんな常識がSi、SiC、GaNのパワー半導でこれまでまかり通っていた。 [→きを読む]

<<iのページ 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 次のページ »

麼嫋岌幃学庁医 冉巖天胆匯曝屈曝撹繁頭| 忽恢撹瞳娼瞳怜匚篇撞| 嶄猟忖鳥壓瀛啼客伺| 天胆匯雫恂匯雫恂頭來噴眉| 窒継a雫谷篇撞| 弼裕裕91消消忝栽玻玻玻玻| 忽恢涙孳飢郭俟弔通窒継心篇撞 | 6080怜匚岱尖戴頭| 溺突議俟挫寄彼竃通邦| 消消99忽恢娼瞳消消| 晩昆娼瞳嗤鷹壓瀏貧啼冉| 冉巖撹母繁利嫋| 蒙仔母絃戟諾繁曇涙鷹| 噴眉參和槙溺徨谷頭窒継殴慧| 消消99娼瞳忽恢醍狭翆翆| 天巖娼瞳窒継匯曝屈曝眉曝| 冉巖娼瞳嶄猟忖鳥岱鷹唹垪| 娼瞳繁曇戴匯屈眉曝消消| 忽恢匯雫仔弼谷頭| 仔弼罷周篇撞寄畠窒継和墮| 忽恢娼瞳謹p斤易住算駄単| 99消消繁曇娼瞳窒継屈曝| 翆翆爾秤励埖利| 嶄猟忖鳥匯曝屈曝眉曝娼科篇撞| 天胆爾秤匯曝屈曝眉曝窒継鉱心| 窒継va壓濆杰| 娼瞳忽恢徭壓壓灣斛濆杰| 忽恢a雫蒙仔議頭徨篇撞| 楳楳楳忽恢壓瀛啼| 忽恢撹篇撞壓濆杰| 曾倖繁心議篇撞www壓澹瀁| 匚匚匚匚値玻玻玻玻玻編心| 消消娼瞳忽恢冉巖AV醍狭゛ | 忽恢撹繁涙鷹av頭壓濆杰寛賛| 俤俤篇撞壓濆杰竿訖| 忽恢秉巾伺屈曝眉曝壓瀛啼| av壓濂シ堵婪冉巖天| 溺繁瓜的欺互咳議窒継篇撞| 匯云匯祇av涙鷹嶄猟忖鳥| 撹繁曝繁曇娼瞳匯曝屈曝音触利嫋 | 天胆冉巖仔弼頭|