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ON Semiconductorがonsemiと会社の�@称を変��(g┛u)してから3�Qたった。元CypressのCEOであったHassane El-Khoury��がトップに��任、onsemiの��(sh┫)向をインテリジェントパワーとインテリジェントセンサに定めた。応��としてはクルマと�e��可��社会に�R��し、2022�Qから2027�Qまでの半導��のCAGR（�Q平均成長率）4%よりも高い10〜12%の成長率を�`指す。El-Khoury��はこのような中期��画を�Wいている。 [→��きを読む]
在日ドイツ商工会議所が主��し、インフィニオンテクノロジーズジャパンが企画����局となっている日独オクトーバー�\術交流会（通称オクトーバーテック）が開��された。Infineon TechnologiesのCMO（チーフマーケティングオフィサー）であり�D締役会メンバーでもあるAndreas Urschitz��（図1）が基調講演を行い、パワー半導��世�cトップの実��の理�y(t┓ng)がわかった。 [→��きを読む]
STMicroelectronicsがSiCやGaNなどのパワー半導��を�t��すると共に、AIを使ったモータ�U(ku┛)御やIO-Linkインターフェイスを使った�噞機�_(d│)ネットワーク向けのソリューションなど、パワー半導��を使ったソリューションをTechno-Frontier 2023で見せた。パワー半導��単��では差別化しにくいが、ソリューションで顧客にメリットを見える化する戦�Sだ。 [→��きを読む]
GaNパワーデバイスがすでにスマートフォンの���]充電�_(d│)などに使われているが、GaN�T晶の加工にもメドがついたようだ。SiC同様、GaNバルク�T晶も�wく、バルクのインゴットからウェーハにスライスすることが�Mしかった。ディスコが比較的�~単にスライスできる�\術を開発、ウェーハとして使える収量も37.5%�\やせることがわかった。 [→��きを読む]
東��の半導���靆腓任△訶贄�デバイス&ストレージ社がパワー半導��工場である加賀東��エレクトロニクスに300mmウェーハプロセスラインを設ける理�y(t┓ng)が��らかになった。加賀東��は2023�Q4月に300mm�官�のパワー半導��新���]棟の��工式を行い、2024�Q度内での�n働を予定しているが、地味なパワー半導��は供給�埔蠅砲覆蕕覆い世蹐Δ�。 [→��きを読む]
SiCパワー半導���x場が���]に湧き�屬�っている。クルマの電動化によりインバータやオンボードチャージャーにSiCが使われているが、このEV�x場に向けて�W定供給するための戦�S的な提携やM&Aが��発化している。SiCパワー半導��の�x場��模はまだ16億ドル��度だが、2026�QにはCAGR35%で53.3億ドルに�\加するという見通しまで出てきた（図1）。 [→��きを読む]
日本発の先端ファウンドリのラピダス社が���L�Oの�h歳�xに量�妌場の設��を��めた。元��洋電機の半導��工場であった新�觜�場を日本のファンドが�A収、JSファンダリとして2022�Q12月に出発したが、そのレポートを3月6日の日経�噞新聞が報じた。SiC開発を進めてきたロームがGaNパワーIC�\術にも乗り出している。 [→��きを読む]
高耐圧のパワー半導��には、������性としてSiよりも絶縁耐圧の高いSiCやGaNの��(sh┫)が�~�W(w┌ng)だ。しかしながらSiCでは1200Vの耐圧を�uられるが、高価でなかなか普及しない。GaNの横型HEMTトランジスタは650V��度しか耐圧が�uられない。こんな常識がSi、SiC、GaNのパワー半導��でこれまでまかり通っていた。 [→��きを読む]
Hassane El-Khoury��（図1）が、�{�}の経営�vとして�R�`されていたCypress SemiconductorのCEOから、2020�QにonsemiのCEOになり、2�Qが経とうとしている。onsemiはこの間に�j(lu┛)きく変わった。�O動�Zと�噞��の半導��を�eっているonsemiは、インテリジェントパワーとインテリジェントセンサにフォーカスすることを進めてきた。onsemiのメッセージはかなり��確になってきた。CEOのHassane El-Khoury��にその戦�Sについて聞いた。 [→��きを読む]
SiCデバイスがようやく立ち�屬�ってきた。��onsemiがニューハンプシャー�Ε魯疋愁鵑�SiC�T晶ブール（Siのインゴット相当）�攵�の新工場を設立、開所式を行った（図1）。�歉���省のジーナ・レモンド国��長官も出席するという��の入れようだった。また、GaNデバイス�x場で最�j(lu┛)�}のNavitasがSiCメーカーのGeneSiC Semiconductorを�A収した。 [→��きを読む]
