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Selete (半導��先端テクノロジーズ)の��二研�|�陲蓮�Low-k/Cu配線�\術の開発を進めているが、機械的にもろいLow-k膜はハーフピッチ(hp)45nm以�Tのプロセスで、エッチング形�X、高���I比、ダメージフリー、低環境負荷、といった問��をクリヤーしなくてはならない。このほど新しいエッチングガスとしてCF3Iがこれらを満�Bさせることを同社はSelete Symposium2008で��らかにした。 [→��きを読む]
��Hewlett-Packard社が光配線�\術を2009�Qにも同社����に使うことを��らかにしたが、5月26日につくば�xで開かれたSelete Symposium2008において、Selete（半導��先端テクノロジーズ）はLSIチップ�屬北�4mmほどの光導�S路を作��、5GHzのパルスを崩すことなく�p信できることを確認した。 [→��きを読む]
トヨタ�O動�Zのティア1サプライヤであるデンソーは、�O社で成長させたSiCインゴットのウェーハを使って、パワーMOSFETとパワーショットキーダイオード（SBD）を�O社開発していることを「人とくるまのテクノロジー�t2008」で��らかにした。開発した半導��デバイスと、それを使った3相モーター�~動��のパワーモジュールを�t��した。 [→��きを読む]
英Imagination Technologies社のグラフィックスおよびビデオデコーディング��IPであるPOWERVR SGXおよびPOWERVR VXEが��Intel社のモバイルPC��のマイクロプロセッサAtomのチップセットに集積されていることが��らかになったが、このほど同社のグラフィックスIPのロードマップの�k�陲��o開された。 [→��きを読む]
��菱電機とルネサステクノロジは、直径13μmと小さな�lフリーはんだボールをインクジェットのような�擬阿如�基���屬坊狙�する�\術を共同で開発し、東�B�kツ橋講堂で開かれた2008�Q国際3次元システム集積会議（International 3D System Integration Conference 2008）で発表した。マスクを使わずに直径13μmのハンダボールを実現できるため、狭ピッチの�Hピンパッケージの試作に使うことができる。 [→��きを読む]
��Intel社は、3次元チップスタック実�△�マルチコアプロセッサシステムのメモリーバンド幅を広げるのに�~効であることを、ASET（��先端電子�\術開発機構）主��のInternational 3D System Integration Conference 2008で��した。東�B�h代田区の�kツ橋講堂で開��された、今�Qの3D-SICは、基調講演を含め28�Pの講演発表と18�Pのポスターセッションがあった。 [→��きを読む]
シリコンチップを3次元に�_ね合わせて、�kつのICパッケージに集積する�\術、3次元SiP�\術が新しいフェーズに入った。TSV（through silicon via）と�}ばれる楉姪填法△修譴鉾爾Ε┘奪船鵐亜�電極穴�mめといったこれまでの���]プロセスに��点が当たっていた3D集積�\術の応��が見え始め、設��や信頼性�h価、テストへとシステム的な広がりを見せてきた。ASET（��先端電子�\術開発機構）が主��したInternational 3D System Integration Conference (3D SIC) 2008においてこういった��向が見えてきた。 [→��きを読む]
�i�h判で、松下電�_�噞の150インチのプラズマディスプレイ(�^真1)や、厚さ0.3mmと薄いソニー11インチ(�^真2)、および27インチの�~機ELテレビなどが�R�`されていた、Display2008では、それらのブースに人だかりはあった。しかし、��来のビデオ映�気篦名錣離謄譽啀��気�ら、立��映�気鯀呂蟒个垢箸いΑ�2次元-3次元変換�\術にも�Hくの人だかりが見られた。昨�Q10月26日にこのコラムで紹介したSeeReal社の立��映�汽妊�スプレイでは3�`にも渡る長��の�`が出来ていた。 [→��きを読む]
CMOSドライバICの�屬�AlGaAs LEDを搭載したLEDプリントヘッドを、沖デジタルイメージング（Oki Digital Imaging Corp www.odij.co.jp/indexe.html）が月��10〜20万個量��していることを、INC4 （Fourth International Nanotechnology Conference on Communication and Corporation）において��らかにした。 [→��きを読む]
IBM社と共同開発チームである、チャータードセミコンダクター社、フリースケールセミコンダクター社、インフィニオン・テクノロジーズ社、サムスン電子、STマイクロエレクトロニクス、東��は、共同で開発してきた32nmプロセスがビジネスフェーズに入ったと発表した。�j�}半導��メーカーが同じ32nmプロセスを共同で開発し共通のプロセス基盤（コモンプラットフォーム）を作ることで、�Q社の��識の共�~や、投�@リスクの軽��だけではなく、設��リソース（デザインキットやライブラリ、EDA、DFM）も共同で�W��できるため、素早い量�癉ち�屬�りが可�Δ砲覆襦� [→��きを読む]
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