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\術分析

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新しい原理のタッチパネルが出、iPhone・DSLiteにく応開へ

新しい原理のタッチパネルが出、iPhone・DSLiteにく応開へ

タッチパネルディスプレイが櫂▲奪廛觴劼iPhoneや任W堂のDSLiteなどのヒット商によって新たなユーザーインターフェースとして見直されてきている。マイクロソフトのWindows 7ではタッチパネルをサポートすると言われている。に、指1本ではなく複数の指でジェスチャー操作できる}法がiPhoneに導入されて以来、タッチパネルへの関心が高まっている。横pのみなとみらいで開かれたFPD International 2008において、新しい原理に基づくタッチパネル\術が次々とtされた。 [→きを読む]

ARMがIBMコモンプラットフォームとの共同開発の詳細をらかに

ARMがIBMコモンプラットフォームとの共同開発の詳細をらかに

英ARM社はIBM社のコモンプラットフォームチームと共同でフィジカルIPを開発し、それをライセンス供与することを9月30日に発表していたが、その詳細をARMフォーラム2008でらかにした。ARMのようなIPを供与するというビジネスが実際のファウンドリなど半導]チームと直接、}を組むという例はこれまでになかった。 [→きを読む]

高]GbpsシリアルインターフェースのR定センターを日本テクトロが開設

高]GbpsシリアルインターフェースのR定センターを日本テクトロが開設

1Gbpsをすような高]のシリアルインターフェースが、PCI Express、SATA、HDMI、DisplayPortなどに加え、USB3.0と々出てきた。DRAMのバンド幅も1GHzをえるDDR3格も現実味を帯びてきており、高]インターフェースのレシーバ、トランスミッタの信ウ稜ГLかせなくなってきた。R_メーカーのテクトロニクスは、R定がMしい高]シリアルインターフェースの問を解するため、そのソリューションビジネスを始めた。 [→きを読む]

Bluetoothの主要な機ΔROMに搭載したBlueTunes ROMをCSRが開発

Bluetoothの主要な機ΔROMに搭載したBlueTunes ROMをCSRが開発

英CSR社は、ワイヤレスヘッドホン向けにステレオDSPを集積したBluetoothチップ、BlueTunes ROMを化した。この1チップBluetooth ICのROMにBluetoothのプロトコルスタックやプロファイルなどをファームウエアとして記{しておいたものである。Bluetooth機ΔROMでファームウエア化したためBluetoothシステムを低価格にできる。 [→きを読む]

NEC、3倍性Δ1/5以下の価格など4|のZ載画鞠Ъ吋廛蹈札奪気魍発

NEC、3倍性Δ1/5以下の価格など4|のZ載画鞠Ъ吋廛蹈札奪気魍発

NECエレクトロニクスおよびNECは、Z載画鞠Ъ雲戝のプロセッサIMAPCAR2を開発、NECエレクトロニクスが2009Q峇から順次サンプル出荷をしていく予定である。NECエレクトロニクスはZ載のマイクロコントローラ(マイコン)のx場シェアは3位で、個別半導でもZ載をeっているが、SoCの売り屬欧肋さい。このため、この画欺萢専プロセッサIMAPCAR2でハイエンドからローエンドまでクルマのWを担うを拡jしていく狙いがある。 [→きを読む]

イー・シャトル、富士通マイクロ、D2SがEB露光機のスループットを5倍に

イー・シャトル、富士通マイクロ、D2SがEB露光機のスループットを5倍に

電子ビーム露光\術を}Xける富士通マイクロエレクトロニクスとその]を个栄蕕イー・シャトルは、電子ビーム露光向けに設を最適化するツールベンダーのD2S社と組み、スループットを現在より5倍以屬欧討いプロジェクトを始める。このほど、3社の提携により、2009Q度からEB露光ASICのpRを開始する。そのiにまず、65nmプロセスによるテストチップを試作し、その~効性を実証する。 [→きを読む]

アルプス電気がホログラムをWする新しい原理のカラープロジェクタを開発

アルプス電気がホログラムをWする新しい原理のカラープロジェクタを開発

アルプス電気は、ホログラムをWするく新しい原理のプロジェクションディスプレイを開発、そのプライベートショーでtした。このホログラムディスプレイは、RGBの3原色のレーザーを使い、シリコンチップ屬哩]晶を載せたLCOS素子、そして100 GFLOPS以屬嗄なプロセッサを使い、携帯プロジェクタへの応を狙ったプロジェクタである。今v初めてカラーのビデオ映気鮓せた。 [→きを読む]

再配線インターポーザーの導入により3次元TSV ICを極薄に

再配線インターポーザーの導入により3次元TSV ICを極薄に

チップ間接がこれからの3次元ICにますます_要になり、TSV(through silicon via)いわゆる楉姪填砲今、R`を集めているが、接の問だけではなく設のMしさが指~され始めた。TSVでチップ間を3次元妓に接すると、性Δ20~30%向屬掘▲離ぅ困留惇xをpけにくいなどメリットは極めてjきい。しかし実化までには問が兩僂靴討い襦TSV電極を形成する時間が長いだけではなく、Xの問などもこれまで指~されてきた。最Z、設屬Oy度が小さくなるという問も指~されている。 [→きを読む]

NEC、IMECのTSVによる3次元IC、実化に向けk歩i進

NEC、IMECのTSVによる3次元IC、実化に向けk歩i進

楉姪填砲鮖箸辰董⇒椴未僚jきなデカップリングコンデンサを形成したり、逆に楉姪填砲Siチップあるいはインターポーザーとの寄斃椴未魏爾欧襪燭瓩妨い~機絶縁膜を設けたりするなど、3次元IC\術の実化が進んでいる。w素子材料コンファレンス(SSDM)2008では、NECとベルギーのIMECがそれぞれTSVの実化に向けた研|を発表した。 [→きを読む]

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