NEC、IMECのTSVによる3肌傅IC、悸脫步に羹け辦殊漣渴
從奶排端を蝗って、推翁の絡きなデカップリングコンデンサを妨喇したり、嫡に從奶排端とSiチップあるいはインタ〖ポ〖ザ〖との大欄推翁を布げるために更い銅怠冷憋遂を肋けたりするなど、3肌傅IC禱窖の悸脫步が渴んでいる。蓋攣燎灰亨瘟コンファレンス∈SSDM∷2008では、NECとベルギ〖のIMECがそれぞれTSVの悸脫步に羹けた甫墊を券山した。
NECデバイスプラットフォ〖ム甫墊疥は、3肌傅ICの從奶排端と浩芹俐の舔充を積つ、シリコンインタ〖ポ〖ザ〖にデカップリングコンデンサを侯り哈んでしまうという禱窖を倡券した。デジタルLSIが券欄するノイズを娃えるために、このデカプリングコンデンサの推翁をμFオ〖ダ〖と絡きくし、件僑眶炳批も廬くする澀妥がある。このため動投排攣亨瘟をキャパシタ冷憋遂に脫いた。
このインタ〖ポ〖ザ〖は、LSIとほぼ票じ絡きさで、LSIとの儡魯には從奶排端TSV∈through silicon via∷を脫いている。そのインタ〖ポ〖ザ〖はLSIパッケ〖ジ答饒とそのまま儡魯する。海攙、驢眶のチップをSiウェ〖ハインタ〖ポ〖ザ〖に悸劉し、ウェ〖ハレベルパッケ〖ジング∈WLP∷禱窖で悸劉したチップを磊り叫す、チップˇツ〖ˇウェ〖ハ儡魯禱窖を脫いた。
まず、Siウェ〖ハインタ〖ポ〖ザ〖鏈燙にMIM∈垛擄-冷憋遂-垛擄∷のキャパシタを妨喇する。キャパシタの投排攣SrTiO3の更みは60nm。その稿、シリコン答饒にTSVとなる嬸尸のシリコンを50μm鎳刨の考さまでエッチングし、冷憋遂を拆して排端を雖め哈む。叫丸た排端懼に驢眶のLSIチップを悸劉し、アンダ〖フィルで蓋年した稿、チップ嬸尸をモ〖ルディングする。その稿、Siインタ〖ポ〖ザ〖を50μmまで泅く猴ることでインタ〖ポ〖ザ〖に雖め哈んだ排端を溪叫させる。その懼にさらに排端パッドを肋けるとWLPが窗喇する。
Siインタ〖ポ〖ザ〖を姥霖した3肌傅ICチップを-40×+125☆の補刨サイクル活賦を1000攙乖ったが、8改の活瘟はすべてパスした。キャパシタンスはチップ1改につき1μF鎳刨ある。
IMECは、從奶排端とシリコンの噬との粗を5μmと更いポリマ〖遂で冷憋するという禱窖を倡券した。これまでは50×100nmのCVD煥步遂や免步遂で勝っていたが、從奶排端の大欄推翁が布がらなかった。海攙はその50×100擒もの更さのため大欄推翁は驕丸の1/50×1/100になる。
ここでは、パイレックスガラス懼にメタルをパタ〖ニングしておき、更さ50μmのSiウェ〖ハをその懼に很せる。レジスト派邵ˇパタ〖ニング、RIEエッチングにより邊渺をくり卻くようにリング覺にシリコンを猴る。冷憋遂として漂くポリマ〖を派邵により猴ったリング覺の逢を雖め、レジストを派邵パタ〖ニングした稿荒ったSiの邊渺をエッチングで猴る。その稿シ〖ドメタル、Cuメッキ雖め哈みにより排端を妨喇する。
券山したIMEC Process Technology DivisionのInterconnect, Packaging & Systems Integration么碰甫墊鎊、Deniz Sabuncuoglu Teczan會は、海攙の瘋め緘となるリング覺パタ〖ンのエッチングは驕丸のボッシュプロセスを蝗い、3μm/尸のエッチレ〖トで乖ったため布まで從奶するのに15~16尸ですんだと咐う。
