トランスファー�`脂の圧��は100kg�_という��(d┛ng)い��が加わるといわれている。最�ZのロジックICは機械的な��(d┛ng)度の弱いLow-k材料を使っているため、チップ表�Cが�sれてしまう恐れがある。ボンディングワイヤーは今、直径25μm��度まで細線化しているが、材料�Jの高�_からさらに細くしたい。16μmを�`指すという開発も行われているが、��来のトランスファーモールド法だと、ここまで細くなると金線を倒したりショートさせたりする恐れが出てくる。

��来のトランスファーモールド�\術では、ゲートと�}ばれる�`脂タブレットを押し込む穴から、ランナーと�}ばれる細い管を通り�`脂をチップにまで到達させている。チップから遠く�`れたゲートから�`脂を押し込み流し入れるこの��(sh┫)法で、厚さ1mm未満のモールド�`脂をチップに被せてきた。さらに薄くするという要求もある。�攵掚が良いため長い間、この��(sh┫)式が使われてきた。

��に携帯電�Bやゲーム機、デジタル音楽プレイヤーなどの携帯機�_(d│)では、半導��チップをできるだけ薄くするため、モールドされたICは厚さが0.5mm��度のものも珍しくはない。IC����を薄くするためのコア�\術は半導��の後工���\術を�~使する。

ただ単に薄くするだけなら�`脂のさらなる改良で�官�できるはずだ、とあるコンパウンド�`脂メーカーのエンジニアはいう。0.25mm厚��度まで�官�できるようだ。しかし、Low-k材料の採��や、直径16μmの金ワイヤーの採��へと進むにつれ、��来のトランスファーモールド�\術の見直しも��要に��られてくる。

そこで、新しいモールディング�\術としてトランスファーに代わる��(sh┫)法を、モールド成形機械のトップメーカーであるTOWAや、そのライバルメーカーアピックヤマダが開発している。さらにコンパウンドメーカーの日東電工もモールドフィルムを使った��(sh┫)法を提案している。

TOWAが最�Z��を入れている����がコンプレッションモールド�\術を使うFFT（Flow Free Thin）モールド成形機である。コンプレッションモールド��(sh┫)式は、トランスファーモールドと違って溶かした�`脂に浸し型を形成するため、チップ表�Cに加わる圧��は小さく、金ワイヤーが切れたり倒れたりするようなことにはならない。�j(lu┛)型の基��による�k括モールドやウェーハレベルCSPのようにウェーハ����をモールディングする�\術に向く。

この��(sh┫)式は、図１に��(j┤)すように下�笋龍盞燭奔`脂を溶かし込み、�屬�ら封�Vしたい基��を�`脂の中に浸し、型に�wめてしまうという原理である。ゲートやランナーがいらないため、無�Gな�`脂を捨てるという作業がいらない。100%�`脂を�W(w┌ng)��できる。��に、高価な透���`脂を使う発光ダイオードの封�Vには�~効だとしている。

同様な原理で�j(lu┛)型基������に�k括モールドしたり、ウェーハレベルCSPのようにウェーハ����を�k括モールドしたりできる成型�\術を、ライバルメーカーのアピックヤマダはCDIM（Cavity Direct Injection Molding）�\術と�}び、�����@CDIM-200という����を開発している。

この����では、TOWAとは逆に下の金型�屬鉾焼���チップを載せた基��を��き、その�屬�ら常�a(b┳)で�]�X(ju└)の�`脂をたらす（図2）。それを�屬龍盞燭撚着X(qi│n)成型してICを封�Vする。トランスファーモールドとは違い、横からの余分な�`脂圧��がないため、機械的に弱いLow-k材料を使ったロジックチップや�H数の金ワイヤーを使っても横に流れることはほとんどない。直径25μmの金ワイヤーを長さ6mmで並べた実�xでもワイヤーの流れは1%以下だとしている。

ここでは、�屬龍盞燭留���に�pって�`型フィルムを使っているため、ICを型からはずすためのイジェクタピンを設ける��要がなく、半導��チップを搭載するプリント基��の設��の�O�y(t┓ng)度が高まる。PoP（パッケージオンパッケージ）といったランナーを設けられないような構�]の成型にも向いている。�]�X(ju└)�`脂とはいえ、��来のポッティング�`脂とは違い、信頼性試�xではトランスファーモールド並みの�T果が�u(p┴ng)られているとしている。

ここで使��している�`型フィルムは180℃以�屬梁刔X(qi│n)性を�eち、金型にぴたりと�aり��けられ、しかも�X(qi│n)による収縮が少ないという��徴をもつフィルムで、化学メーカーの旭硝子が開発したアフレックス(�����@)が使われることが�Hい。アピックヤマダは�`型フィルムを使う��(sh┫)式のモールド成形�\術FAMEとして����を�eっているという。

�`型フィルムを使う�W(w┌ng)点は、�`型性だけではない。BGAのように片?ji┐n)笋世越`脂成型したいパッケージは基��の下�笋奔`脂を�vり込ませたくないため、�`型フィルムが金型同士を合わせる時のクッションとして働き、�`脂の�vり込みがなくなるという。�屬龍盞燭奔`脂が直接接触しないため、金型の汚れが少なく、��浄�v数は毎日から数カ月に�k度という頻度で済むと言われている。

パッケージが0.4mm未満の薄型化に�官�できるだけではなく、PoP（Package on Package）のようにモールドが流れるランナーを設けることができないパッケージの封�Vに向く。

最�Z、日東電工が提案する封�Vシート�\術（実���\術5月��(gu┤)、�\術調�h会発行）もこれらのコンプレッション�\術と�瑤討�り、�屬�らシート�X(ju└)の�`脂を半導��チップに被せていく。これは、厚さ150〜400μmの封�V�`脂のシートを半導��チップの�屬�ら押えこみ、175℃で加�X(qi│n)し封�Vする。�`脂シートの両�CをPET保護フィルムであらかじめカバーしておき、使う時に1��をはがす。保護フィルムは�屬龍盞燭�����させ、�`型フィルムとして使うことができる。

いずれの��(sh┫)法も、最先端の半導��チップの�`脂封�V����を狙っている。トランスファーモールドと違い、�`脂を無�Gなく使えるという�W(w┌ng)点も見逃せない。透��なシリコーン封�V�`脂を使うLEDのレンズアレイには、すでにコンプレッションモールド法が使われている。このシリコーン�`脂は半導��ICに使うエポキシ�`脂の10倍以�屬塙皺舛覆燭瓮肇薀鵐好侫　璽癲璽襯匹醗磴辰謄癲璽襯布`脂をわずかでも無�Gにしたくない。照����のハイパワーLEDにはこれから�_要が�\えていくと見られる。