160nm径のビアに低�B�^のカーボンナノチューブをMIRAIが形成
半導��MIRAIプロジェクトは直径160nmと微細なビアにカーボンナノチューブ（CNT）を形成することに成功した。450℃の�XCVDで形成したビア�B�^は34Ω、400℃だと63Ωとこれまで最も低いという。 [→��きを読む]
�\術分析
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nMOSトランジスタのばらつきは不純�颪世韻任朗�まらない
65nmロジックプロセス（ハーフピッチでは90nmプロセスに相当するプロセスノードhp90）で100万個のnチャンネル/pチャンネルMOSトランジスタアレイ（両�気�200万個）を作り、ゲートしきい電圧Vthのばらつきの原因を突き�Vめた、と半導��MIRAIプロジェクトが、12月18日茨城県つくば�xで開かれた2007�Q半導��MIRAIプロジェクト成果報告会で発表した。pチャンネルMOSのばらつきは不純�颪陵�らぎにより、nチャンネルMOSは不純�颪陵�らぎと別の要因が加わっているとしている。 [→��きを読む]
NANDフラッシュを16個管理する携帯機�_向け周辺チップをCypressが開発
組み込みシステムの周辺チップであるウェストブリッジと�}ぶ周辺LSI「Antioch」を��Cypress Semiconductor社が昨�Q発売したが、このほど携帯機�_への組み込みシステムを�T識し、�Hビット/セルのNANDフラッシュを16チップサポートし、SD/MMICカードのサポートやSDインタフェースなどを�啣修靴深�辺チップ「Astoria」を開発、サンプル出荷した。 [→��きを読む]
加�]電圧の広いイオン�R入����をAxcelisが開発
![加�]電圧の広いイオン�R入����をAxcelisが開発](/assets_c/900px/axcelis.png "加�]電圧の広いイオン�R入����をAxcelisが開発")
��Axcelis Technologies社は、加�]エネルギー�J囲が500eVから4MeVと広いイオン�R入����Optima XEをセミコンジャパン2007で発表した。CMOSデバイスの深いウェルやツインウェルの形成に高い加�]エネルギーを��要とするほか、イメージセンサーのCCDやNORフラッシュメモリーにも使われる。 [→��きを読む]
Credence社がオーディオ/ビデオ共�T�v路のテスターモジュールを����化
Credence Systems社は、オーディオとビデオ�v路を搭載したLSI向けのテスター��モジュールMultiWaveインスツルメントを����化した。このモジュールをテスターのプラットフォームDiamondに組み込むと4つの独立した、オーディオとビデオ�v路搭載LSIデバイスを同時にテストできる。セミコンジャパン2007で、このモジュールと�R定テストプラットフォームを�t��した。 [→��きを読む]
ナノテクの代表���}、フラーレンC60を塗布加工できる
炭素原子がサッカーボール�Xに構成されているフラーレンC60が、半導��プロセスに威��を発ｧしそうになってきた。��菱商��、��菱化学などが出�@するフロンティアカーボン社は、フラーレンを添加した電子ビームレジストがパターンを加工できることを実証した。 [→��きを読む]
Mears社の��格子MOSFETはサブスレ電流も1桁低��
シリコンMOSトランジスタのチャンネル層表�Cに、半導��-��半導��-半導��という繰り返し構�]から成る��格子層を形成し、ゲートリーク電流の低��とドレイン電流の�\加というメリットを�eつ、��く新しい構�]のトランジスタを��Mears Technologies社が開発したが、メリットはそれだけではなく、サブスレッショルド電流も1桁�Zく��ることがわかった。 [→��きを読む]
Avizaがデュアルインジェクション�擬阿能�様式ALDのスループットを確保
ALD(原子層�\積)�\術の応��が�j量�攵�のDRAMから少量�攵�のロジックへと広がりつつある。��Aviza Technology社は、国内�j�}ロジックメーカーからCelsior FXP��様式のALD����を�p�Rしたと発表した。セミコンジャパン2007で、その詳細を��らかにした。 [→��きを読む]
ITRSロードマップでMore Moore、More than Mooreを定�I
セミコンジャパン2008では2005�Q以来のITRS（International Technology Roadmap for Semiconductors）を見直し、最新�X況について報告した。��来のような微細化の�Q次推�，鬟蹇璽疋泪奪廚箸靴栃鷙陲垢襪世韻任呂覆�、今�Qは最�Z言われている、More MooreとMore than Mooreを定�Iしたことがこれまでとは�jきく違う。 [→��きを読む]
ギガビットEthernet向け最新チップが相次いで登場
ギガビットEthernetのチップがネットワーク半導��企業から出てきているが、�j容量のデータをネットワーク間で転送するためのチップの����化が��発になっている。このほど10GビットEthernet��のチップセットを��Solarflare Communications社が、ROC（ルーターオンチップ）と�}ぶ1GビットEthernetに��要な機�Δ鬚曚榲觝椶靴�SoCチップを��Vitesse Semiconductor社が、それぞれ����化した。 [→��きを読む]
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