フラーレンは直径約0.7nm中に炭素原子が60個詰まったサッカーボール�Xの分子構�]を�eつ。密度が高いため機械的な硬度は高い。半導��チップの最小加工�∨，�32nm、22nmなどと原子レベルに�Zづくにつれ、�~機レジストの分子の�jきさがパターン形�Xを左��するだろうと言われている。フラーレンは分子が小さいため微細な�∨，魏湛�するのに�~望��されていた。

しかし、フラーレンは�~機溶��に溶かすことが�Mしく、レジスト材料に応��することが�Mしかった。溶��に溶けにくいのは、フラーレン分子の凝集��が�咾�直径20μm��度の�修砲覆襪海箸��Hかったからだという。クラスタ�X��になるのを防ぐため、溶��と親和��の�咾���換基をつけることに成功した。このほど、その量��のめどが立ち、フロンティアカーボンはフラーレンの販売に��を入れ始めた。

これまでの��換基をつけないフラーレンなら1wt%未満しか溶��に溶けなかったという。同社は新しいフロンティアカーボンの����化を進めるため、��換基をできるだけ少なくしてフラーレンの��性を確保しながら、溶��に溶けるものを捜し求めた。レジスト材料として実績のあるPGMEA（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）やPGME（プロピレングリコールモノメチルエーテル）、���┘┘船�、アニソールなどの溶��には10wt%以�嵳呂韻�。この�T果、レジストを��来と同じように塗布できるようになった。

加えて、フォトレジストのエッチング耐性は同じような�|類のレジストと比べ15~30%向�屬靴燭箸い�。これはCF�Uのドライエッチング条�P下にレジストパターンをさらし、その細り�差腓鬟船Д奪�した。実際のレジストパターンは�o開できないが、LER（ラインエッジラフネス）も向�屬靴燭箸靴討い襦Ｇ枩�幅、配線間隔として、50nm,70nm,100nmのパターンを加工したという。

今�vのEBレジストに加え、ArFレジストにも使えそうだ。これまでの�~機レジストでは加工が�Mしくなるような微細な�∨，硫湛�に向くためだ。加えて、誘電率が2��度のlow-k材料への応��や、電極表�C積の�jきな電気二�_層キャパシタへの応��も期待されている。もともとn型半導��であるフラーレンを�~機溶剤に溶かしp型半導��に塗れば�陵枦澱咾�出来るという発表も�噞�\術総合研�|所からも出ている。

本格的な量��が進めば価格は、��来の10万��/gから量�巤には500��/g��度まで下げられるとしている。

フロンティアカーボン社は、フラーレンそのもの、および溶�]に溶かしたフラーレンを販売する材料メーカーだけに、レジストパターン加工の実�x条�Pや露光、エッチング条�Pなどの詳細はまだ�Bせないとしている。