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23�Qの半導��]��x場は�i�Q比22%�の760億ドルとSEMIが下�巨T�

2023年3月23日｜�x場分析

今�Qの半導��]��x場は�i�Q比22%�と、昨�Q�のセミコンジャパンで予�[した16%�よりも下�巨T�の760億ドルに低下すると発表した。2022�Qは980億ドルという販売�Yで�垉邵嚢發鮨�していた。2023�Qは�i�Qよりも予�[以�屬傍Kそうだ。 [→�きを読む]

配線金�鑠譴鬚匹里茲Δ粉韶�にも��韻蕕譴�i-SB�\術を岩�}�jが�業化へ

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2023年3月22日｜�\術分析（プロセス）

プリント基�だけではなく、テフロンなどの基�にも密�性の良い配線を形成できる�\術を岩�}�j学が開発、高周�S��性の優れた�v路を容易に形成できるようになる。岩�}�jのi-SBと�}ばれる�\術は、分子接合材を�いる異�|材料接合�\術である。�業�cもすでに��`し始め、実�化に向けたエコシステムの構築中だ。この�\術を普及させるためのプラットフォームを今秋には構築する�画で進めている。 [→�きを読む]

Samsungが20�Q間で31兆�投�@、�菱電機は8インチのSiCラインに投�@

2023年3月20日｜週間ニュース分析

Samsungが�f国内に今後20�Q間で300兆ウォン（約31兆�）を投じ、新たな半導��攵妌場を設立すると表��靴拭�泙拭�鐱椶任�f国との懸案�項であった半導��材料3��`の輸出管理を緩和すると経済�業省が発表した。また、�菱電機は�y本のパワー半導��工場において1000億�を投�@、SiCのための新棟を建設する。Infineonが�Z載マイコンでUMCと長期契約した。 [→�きを読む]

直�Zのファウンドリトップ10社ランキング、TSMCのシェア58.5%にも

2023年3月16日｜�x場分析

2022�Q��4四半期におけるファウンドリの�岼�10社ビジネス��では、�i四半期比4.7%�の335.3億ドルだが、1位のTSMCは同1%�の199.2億ドルにとどまった。TSMCはファウンドリ��ではまずまずの業績だが、�c�を始め中国の業績が��に�Kい。 [→�きを読む]

Imec、脱炭素のためのリソとエッチング工�の�h価�}法を開発

2023年3月15日｜�\術分析（プロセス）

半導��工場の脱炭素化が求められるようになってきたが、ベルギーの研�|開発会社であるimecは、リソグラフィとエッチング工�における環境負荷を定量的に�h価するシミュレーションを発表した。半導��プロセスの環境�h価によりCO2削�への�敢��]つことができる。まずはリソとエッチング工�でEUVの優位性が�された。 [→�きを読む]

半導��の人材育成、プログラムを創設する経�省、レゾナックは新人��U度

2023年3月13日｜週間ニュース分析

半導��業がかつてないほど�rり�屬�蠅鮓�擦討い襪�￢筱�となっている人材育成に関して経済�業省から新しいプログラムを創設するという�画が発表された。旧昭和電工は日立化成を�A収してレゾナックと社�@を改め、半導��を念頭に�いた人��U度を刷新する。��L�Oもラピダス�мqの新組�Eを作る。�盜颪魯ぅ鵐匹犯焼��で協�するという覚書を交わした。 [→�きを読む]

Omdiaも2022�Q世�c半導��トップ10を発表、Gartnerと比較する

2023年3月 8日｜�x場分析

2022�Qの世�c半導��x場と�岼�10社ランキングを�x場調�h会社のOmdiaが発表した。Gartnerと同様（参考�@料1）、1位はSamsung、2位Intelだが、3位にはSK Hynixを�sいてQualcommが入った。また、5位にはMicronを�sいてBroadcomが浮�屬靴拭Ｆ鵑弔猟�h機関の違いは何で�まるのであろうか。 [→�きを読む]

2023�QはDRAMの主��がモバイルからサーバー向けに�jきく転換する�Qに

2023年3月 8日｜�x場分析

サーバー�のDRAMが2023�Q中にモバイルDRAMを記憶容量のビット数で�えるという見込みをTrendForceが発表した。DRAMの総ビット出荷量は、サーバー向けが37.6%になるのに�瓦靴謄皀丱ぅ觚�韻�36.8%に�里泙襪藩女[した。つまりこれまで、DRAMのビット出荷量��をけん引していたモバイル向けがとって代わられることになる。 [→�きを読む]

2月に最もよく読まれた記�は「1200VのパワーGaNベンチャー」

2023年3月 7日｜�Q月のトップ5

2023�Q2月に最もよく読まれた記�は、「GaNの常識を�戮�1200Vの�\術でEV�x場を狙うパワー半導��ベンチャー」であった。GaNは650Vまで、SiCは1200V以�屬皺帖△箸いΔ海譴泙任両鐚韻�戮�GaN HEMT構�]を見直した�T果、横型HEMTでも1200V、20A�度のパワートランジスタを作れることを実証した。ソニー出身のエンジニアが設立したGaNのベンチャー「パウデック」を紹介した記�だ。GaNでも�e型にすれば1200Vは可�Δ世噺世錣譴討い襪�∈遒蠅笋垢�W価な可��④里△覯７燭嚢眤儖気鮗存修靴拭� [→�きを読む]

ラピダスの2nmノードに�瓦掘�JSファンダリはパワーで�M負

2023年3月 6日｜週間ニュース分析

日本発の先端ファウンドリのラピダス社が��L�Oの�h歳�xに量�工場の設�を�めた。元�洋電機の半導��工場であった新�觜�譴鯑鐱椶離侫．鵐匹�A収、JSファンダリとして2022�Q12月に出発したが、そのレポートを3月6日の日経�業新聞が報じた。SiC開発を進めてきたロームがGaNパワーIC�\術にも乗り出している。 [→�きを読む]

セミコンポータルによる分析