より高耐圧、より�j電��、より高効率により、SiCパワーMOSFET�x場拡�jに向けたニュースが相次いでいる。ロームは、出光興��の100%子会社であるソーラーフロンティアの旧国富工場の�@��を�D�uすることで合�Tに達したと発表した。敷地�C積40万平�汽瓠璽肇襦�建�騅�べ�o�C積23万平�汽瓠璽肇襪箸覆辰討�り、�D�u時期は2023�Q10月を予定している。元�陵枦澱咾����]工場であったが、これをSICパワー半導��の�攵剦�jに使う。

ロームはすでに宮崎�xと福�K県筑後�xに6インチのSiCラインを�eっているが、今�vの国富の工場では8インチのSiC�T晶ブールを�攵�する。7月13日の日本経済新聞によると、ロームは27�Q度までの7�Q間にSiC��業����で5100億��を投じる�疑砲如�22�Q度に約300億��だったSiC��パワー半導��の売�峭發蓮�27�Q度に2700億��を見込む。

14日の日経地�吉任任蓮▲妊鵐宗爾�SiCパワー半導��を使ったインバータを開発、電��効率を10%改��できると報じている。SiCウェーハの8インチ�攵�ラインはSTMicroelectronicsが先行しているとみられるが、デンソーも8インチラインの構築に�Dり組むとしている。

図1　DeepDrive社の新型デュアルローターを�eつモーター　出�Z：DeepDrive

SiCパワー半導��に新�x場ができた。モーターやインバータを�Z�茲涼罎貌各�するインホィールモーター（In-Wheel Motor）�擬阿澄�4�茲鯑販�に�U御できるため、�e�`駐�Zが�~単にできる。これまでは効率がさほど高くなく、��来のクルマとの差別化要因が少なかった。新しいモーターを開発してIWMを実��化しようとしているのは、21�Qに誕�擇靴織疋ぅ弔離好拭璽肇▲奪�DeepDrive社だ（14日の日経�噞新聞）。BMWやContinentalのベンチャーキャピタルなどから出�@を��ぎ、総�Y1500万ユーロ（24億��）を調達した。

DeepDrive社のモーターはユニークだ。��来のモーターは�v転するローター�陲伴�囲の�w定�陲箸覆襯好董璽��陲嚢柔�されるが、この新会社はデュアルローターを使い、互いに逆�v転することで、モーターの�v転のパワーが2倍になりトルクを�\�jする。その�T果、磁性材料は半分、鉄の使��量は80%削��され、レアアースの使��はゼロ、トルクNm当たりのコストは30%�Wいという（参考�@料1）。SiCパワーMOSFETをインバータに使うことで小型化を図ることができる。2026�Qの量��に向けて協議していると日経�噞は報じている。

��ずしもSiCを使う�lではないが、ハンドルと�Z軸とが�`れていて、�Z�茲慮�きを小型モーターで変えるステアリング-バイ-ワイヤーもパワー半導��の�x場となりうる。14日の日経�噞は、ドイツのZFが2023�Q内にその量��をはじめ、日本のジェイテクトも間�Zに�呂┐襦△畔鵑犬拭�ステアリング-バイ-ワイヤーは、ハンドルの�v転を検出するECUと、タイヤの操舵角を変えるモーターを�~動するECUとの間を電気信�ﾇ枩�で�Tび、�Z軸がいらない。�O動運転になれば、ハンドルそのものが不要になるため、いまからステアリング-バイ-ワイヤー�\術が浮�屬靴討�るという�lだ。タイヤの効率を優先するならここでもSiCが使われる可��性は残されている。

SiCだけではなくGaNでもこれまでの常識を��えた高耐圧、�j電��のパワー半導��になりうることを、セミコンポータルですでに報じたが（参考�@料2）、14日の日経�噞でも栃�vのパウデック社の紹介記��が掲載された。GaNはSiCよりも高�]、低オン�B�^という��長があるが、これまでは耐圧がせいぜい650V�Vまりだったが、パウデック社が��来の横型MOSFETで1200Vが可�Δ覆海箸鮨�し、SiCの次にクルマや再エネなど電��グリッドに使われる可��性を��している。

�Z載�x場はこれからも拡�jしていくため、�f国の総合電機であるLG電子が�Z載������業の売�峭發�2030�Qに22�Q比で2倍��となる20兆ウォン（約2兆��）に引き�屬欧襦△�13日の日経が報じた。同社は2030�Qの��社売�幢Yを100兆ウォンと�`�Yに掲げており、�Z載������業はその20%に相当する。

参考�@料
1. DeepDriveホームページ
2. 「GaNの常識を�戮�1200Vの�\術でEV�x場を狙うパワー半導��ベンチャー」、セミコンポータル (2023/02/10)