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セミコンポータルによる分析

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「少量H|のAIチップにはFPGAが最適」、東工j発ベンチャー

「少量H|のAIチップにはFPGAが最適」、東工j発ベンチャー

AIチップならFPGAが向いている。こういった考えでAI(機械学{)プラットフォームを作り、さまざまな分野に応するため業した東B工業j学発のスタートアップがいる。Tokyo Artisan Intelligence(TAI)社だ。漁の養殖場での_数R作業をO動化し、鉄Oのレール検hなどにもAIをし、POC(実証実x)を終えたところにいる。 [→きを読む]

半導]の販売Yは下げVまったか

半導]の販売Yは下げVまったか

日本半導]協会(SEAJ)によると、2023Q1月における日本半導]の販売Yは2997憶4400万となり、iQ同月比で-2.1%、i月比で-2.2%というT果だった。半導]は2022Q9月の3809億2900万をピークに1月まで下がりけてきた。ただ、1月になり下がり気緩んできた。 [→きを読む]

收AIがAIレベルを格段に屬、AIと半導教育に点が集まる

收AIがAIレベルを格段に屬、AIと半導教育に点が集まる

AIが再び豸を浴びている。ChatGPTを開発したOpenAI社の時価総Yが圧倒的な咾気鮨し、MetaもB型AIのプラットフォームを提供、AI向けの半導株が峺をしている。ソニーはAI人材を確保するためフルリモートを導入した。AIと半導人材確保は_要で、TSMCは16nmと7nmノードのFinFETをPDKに組み込んだプログラムを学攜けに提供する。 [→きを読む]

ファウンドリのGlobalFoundriesがOSATのAmkorと}をTんだ理y

ファウンドリのGlobalFoundriesがOSATのAmkorと}をTんだ理y

ファウンドリのTSMCがOSATトップの湾ASEとタイアップしているように、ファウンドリのj}GlobalFoundriesもOSATのAmkorと戦S的なパートナーシップをTんだ。これにより、ファブレスや半導ユーザーは、プロセスからパッケージングまでのサプライチェーンを確保できる。狙うのは欧Δ離罅璽供爾里い諫x場だ。なぜか。 [→きを読む]

Gartner、2023Qの半導x場予RをiQ比6.5%に下巨T

Gartner、2023Qの半導x場予RをiQ比6.5%に下巨T

今Qの半導x場のQ成長率はiQ比6.5%になりそうだ。このように発表したのはx場調h会社のGartner。同社はWSTSとはく別に独Oに調hしているが、Gartnerの調べでは2022Qは同1.1%\の6,017億ドルと初めて6000億ドルをえたが、23Qは再び5000億の5627億ドルにx場が縮小すると予[する。 [→きを読む]

ラピダスの工場誘致にLOが@乗り、工場建設がさらにグローバルにt開

ラピダスの工場誘致にLOが@乗り、工場建設がさらにグローバルにt開

国策ファウンドリ会社ラピダスの工場誘致をめぐって、t地のkつにLOが屬っている。湾UMCが日本の_工場の敷地に新しい半導工場を検討している。また、世cの半導および関連メーカーがシンガポールに集Tし始めている。1月の湾IT企業は半導も含み2桁成長をした。半導業cは]期的に景気後期にあるが、長期的な成長への見通しは変わらない。 [→きを読む]

ChatGPTの半導噞へのインパクト、1万個のGPUがコア\術に

ChatGPTの半導噞へのインパクト、1万個のGPUがコア\術に

聞けばなんでも答えてくれるChatGPTがR`されているが、このAI(デープラーニング)は、これまでのAI(機械学{)とはjきく違う。これまでは定の専AIだったのに瓦靴、ChatGPTに使われるj模言語モデル(LLM)は@AIにつながる\術だからである。この実現のためには桁違いのHくの積和演Q半導チップ(GPU)が要である。ここに新たな半導要が擇泙譴襪海箸砲覆。 [→きを読む]

半導関係Q社の業績から読みDる半導景気の動向

半導関係Q社の業績から読みDる半導景気の動向

この半導不況を読みDるためのQ社の業績をセミコンポータルがまとめた。2月21日13:30からのSPIマーケットセミナーでも解説する予定だが、メモリメーカーやプロセッサメーカー、噞・Z載向けのメーカー、半導]メーカーなどの2022Q4四半期(10〜12月)Q報告をまとめることによって、ある度動向を読みDることができる。 [→きを読む]

ルネサスとTELのQ発表から景気動向を読みDる

ルネサスとTELのQ発表から景気動向を読みDる

直Zの半導x場にはパソコンやスマートフォン、テレビなどc旱x場は世c経済の影xをまともにpけて景気後だが、噞向けやO動Z向けはゆっくりとした成長がいている。このような仮説をもってルネサスエレクトロニクスと東BエレクトロンのQを見ていたが、この仮説がしそうなことがわかった。 [→きを読む]

GaNの常識を戮1200Vの\術でEVx場を狙うパワー半導ベンチャー

GaNの常識を戮1200Vの\術でEVx場を狙うパワー半導ベンチャー

高耐圧のパワー半導には、性としてSiよりも絶縁耐圧の高いSiCやGaNの気~Wだ。しかしながらSiCでは1200Vの耐圧をuられるが、高価でなかなか普及しない。GaNの横型HEMTトランジスタは650V度しか耐圧がuられない。こんな常識がSi、SiC、GaNのパワー半導でこれまでまかり通っていた。 [→きを読む]

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