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IoTシステムの開発会社が始動

IoTシステムの開発会社が始動

IoTシステムの開発会社として、デバイス&システム・プラットフォーム開発センター(DSPC)が7月に設立されたことが発表された。終息したSTARCとSIRIJの後をpけて設立された会社(参考@料1)が、業会社という形に変わったもの。業内容は、IoT関連のサービス、ライセンス、コンサルティング、少量攵など。 [→きを読む]

ギガフォトン、EUVの出250W達成

ギガフォトン、EUVの出250W達成

小松作所の100%子会社であるギガフォトンは、EUVリソグラフィの実化レベルにZい出250WのEUV光源を開発したと7月6日発表した。EUVは今やオランダのASMLしか}Xけておらず、同社が微細化\術を先行している。先週は久しぶりにリソグラフィの発表があり、キヤノンが半導向けのリソグラフィを2機、発表した。 [→きを読む]

東、NANDフラッシュの微細化にナノインプリント

東、NANDフラッシュの微細化にナノインプリント

久しぶりに半導のるいニュースが先週~け巡った。東が、微細化\術としてナノインプリント\術を使ってNANDフラッシュを微細化するというニュースだ。6月3日の日本経済新聞が報じたもの。NANDフラッシュは、クラウドストレージ向けにこれから要性が\し、IoTシステムのk環を形成する。クラウドビジネスがIoTとk緒になりAI(人工Α砲砲茲襯如璽寝鮴呂砲きていく。 [→きを読む]

VLSI Symposium、日本\術のT在感

VLSI Symposium、日本\術のT在感

6月13〜17日ハワイで開される2016 Symposium on VLSI Technology and Circuits(通称、VLSI Symposium)の採Ib文がまった。VLSIのデバイス・プロセスを扱うTechnologyでは、投MP数214の内、採Iされたb文は85P、v路\術を扱うCircuitsでは、375Pの投Mに瓦靴97Pの採Iであった。v路関係の内容はIoTk色である。 [→きを読む]

2期`を迎えた東jCIESセンター

2期`を迎えた東jCIESセンター

東j学のキャンパス内に2012Qに設立された国際集積エレクトロニクス研|開発センター(CIES)が昨Qにき、今Qも\術報告会であるCIES Technology Forumを開した。今Qは2vとなる。CIESは、文隹奮愍覆任呂覆、c間企業からの出@をpけて構成された研|所であり、c間企業が求めるテーマを中心に研|されている。現在センター長である遠藤哲r(図1)にこれまでの研|所やコンソーシアムとの違い、成果などについて聞いた。 [→きを読む]

咾! 国内]メーカー

咾! 国内]メーカー

Intelが半導]や材料のサプライヤーに瓦靴突燭┐襦2016QのSCQI(Supplier Continuous Quality Improvement)賞のp賞企業が発表された。数h社からばれたp賞企業8社の内、7社が日本メーカーであった。 [→きを読む]

MRAMを軸に成長の機会を探る、2nd CIES Tech Forum

MRAMを軸に成長の機会を探る、2nd CIES Tech Forum

「東日本j震uからの復興とは、元に戻すことだけにとどまらない。次への成長を期待できる仕組みを作ることだ」。このような思いを胸に、東j学は「2nd CIES Technology Forum」3月17〜18日、仙で開する。東j学が進めているスピントロニクスWのMRAMとその応を中心とするテーマで、2日間に渡る。 [→きを読む]

NYSUNYとGlobalFoundries、EUVを共同開発、5億ドル投@で拠点設

NYSUNYとGlobalFoundries、EUVを共同開発、5億ドル投@で拠点設

盜颪砲ける先端半導開発の拠点のkつ、SUNY Polytechnic InstituteとGlobalFoundriesは、EUVリソグラフィの量僝に向けて5Q間で5億ドルのプログラムを推進すると共同発表した。このプログラムではIBMや東Bエレクトロンなど半導メーカー、・材料メーカーのネットワークを最j限にW、開発センターを設立する。 [→きを読む]

ASMLのEUV露光機、2015Qの攵掚は平均1000/日以

ASMLのEUV露光機、2015Qの攵掚は平均1000/日以

オランダをベースとするASMLの2015Qの業績と共に、EUVの最新情報がらかになった。これによると、2015Qに4世代のEUVNXE:3350Bは2出荷された。最初の実機NXE:3300Bは半導メーカーの工場で、1000/日以屬攵掚をuており、NXE:3350Bは1250/日以屬攵掚をuている。 [→きを読む]

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