図1　設��投�@�Yは今�Qの後半は�i半に比べ18%�\へ　出�Z：SEMI

設��投�@を�`的とする半導��は、やはりスマートフォンやノートパソコン/タブレットなどのモバイルデバイスがけん引し、�O動�Z向け、IoTデバイスへの期待も�j(lu┛)きい。主に二つの����がけん引する。10nm/7nmのロジックファウンドリと3D NANDフラッシュである。2016�Q�i半と比べ、ファウンドリは29%�\、メモリは21%�\と�\えている。

メモリの中では��に、NANDフラッシュはプレーナから3Dへのシフトが�j(lu┛)きく、3D NAND向け設��投�@の�Pびは、2017�Qも��く。SamsungやMicron、東��とSanDiskの共同ファブであるFlash Alliance、Intel、SK HynixなどのNANDフラッシュメーカーは、2016�Qには�i�Q比152%、2017�Qはさらに29%もの投�@を行うとSEMIは見ている。これだけの投�@を行ってもすぐには立ち�屬�らないため、新������の�n働率は2016�Qではまだ低いが2017�Qには高まるとしている。

他のデバイスはどうか。DRAMの設��投�@はDRAM�x場の在�Uがまだ�Hく残っており、2016�Qには31%��(f┫)と�j(lu┛)きく下がるが、2017�Qには2%�\を見込んでいる。パワー半導��は��実に成長が見込まれるため、設��投�@は2016�Qに�i�Q比25%�\、2017�Qには同16%�\を期待している。ただし、アナログ設��投�@は2016�Qには15%��(f┫)だが、2017�Qには20%�\に、MPU向け設��投�@は2016�Qには同20%��(f┫)だが、2017�Qには48%�\と�\えると期待している。

表1　地域別の設��投�@�Y　出�Z：SEMI

地域別では、2016�Qに�Pびると見込まれている地域は、157%と�����j(lu┛)きな東南アジアである(表1)。Micronのシンガポール新工場Fab10Xでの3D NANDフラッシュがけん引している。中国は2016�Qに64%�Pばすと見ているが、これは中国�j(lu┛)連にあるIntelの工場を3D NAND��にリフォームするようだ。またロジックファウンドリとしても同��度の投�@がおこなわれているとする。

2017�Qの成長率が最も�j(lu┛)きい地域は、欧��/中東の60%�\で、10nm設�△領�ち�屬欧砲茲襪箸垢襦�その次が�f国でSamsungによるDRAMとNANDフラッシュへの投�@であり、3番�`の日本はFlash Allianceによる3D NANDへの投�@だとしている。