更さ150µmのLiイオンバッテリ、染瞥攣プロセスで侯瀾、睛墑步1規
更さ0.15mm(150µm)とA4脫繪のように泅い泅遂のLiイオンバッテリが睛墑步された。Siウェ〖ハ懼に泅遂を妨喇する瀾恕を蝗うため、Si LSI攙烯も礁姥できるというメリットもある。附悸には、PoP∈Package on package∷や3D ICを瓢かすための排富としても蝗う。券卿したのは勢ベンチャ〖のCymbet家。 [ⅹ魯きを粕む]
パワ〖帴パワ〖マネジメント
クルマ脫バッテリのアクティブセルバランス數及を詞維步したams
オ〖ストリアの染瞥攣メ〖カ〖amsは、Liイオンセルを極圍弄にバランスさせるICを瀾墑步した。排丹極瓢賈やプラグインハイブリッドカ〖では、Li排糜セルを木誤に100改鎳刨儡魯したバッテリスタックが瓢蝸エネルギ〖となる。このICは、セル粗のバラつきを極圍弄にかつ詞帽に負らそうというもの。 [ⅹ魯きを粕む]
ITS坤腸柴的を溝え、カ〖エレ禱窖の券山陵肌ぐ
瑯かなCEATECが姜わり、海降幌まるITS坤腸柴的との眉董袋に碰たった黎降、ビッグニュ〖スはないが、クルマ簇息のニュ〖スがいくつか叫ている。トヨタの咀仆攙閏賈、デンソ〖とアイシン籃怠のカ〖エレクトロニクス、IMVの慷瓢活賦劉彌などのニュ〖スが謄惟った。 [ⅹ魯きを粕む]
CEATECと、SiCの柜狠柴的がバッティングした黎降の廈瑪
10奉1泣から5泣まで柜柒エレクトロニクス呵絡のショ〖、CEATEC 2013が籬駝俯の穗磨メッセで倡かれた。荒前ながらその憚滔は鉗」井さくなっている。廈瑪としては4Kテレビを泣沸緩度糠使も泣穿供度糠使も艱り懼げてはいたが、海辦つ攔り懼がりに風けていた。倡けてみると、癱欄怠達より嬸墑メ〖カ〖のヘルスケア簇息を泣沸緩度糠使は何りあげた。 [ⅹ魯きを粕む]
TowerJazz、デザインセンタ〖を家柒に彌きサポ〖トの郊悸哭る
イスラエルに塑家を彌くファウンドリメ〖カ〖のTowerJazzがこのほど、泣塑柜柒にもデザインセンタ〖を郊悸させることを湯らかにした。これは、票家CEOのRussel Ellwanger會が7奉布杰に倡かれたTowerJazz Technical Global Symposiumで揭べたもの。 [ⅹ魯きを粕む]
コスト弄にもSiに盡てるメド、TransphormのGaNパワ〖トランジスタ
Si IGBTやパワ〖MOSFETの拉墻を畝える、SiCやGaNといった光補染瞥攣トランジスタが袋略されながら絡きく喇墓していけない呵絡の啼瑪はコスト。SiCはSiよりも10擒も光い。Siのパワ〖トランジスタは瀾隴プロセスがSiCやGaNに孺べて窗喇しており、驕丸の肋灑が蝗え、你コストである。步圭濕染瞥攣はどうやってコストの噬を仆撬するか、その辦つのアイデアをTransphorm∈トランスフォ〖ム∷家が捏捌した。 [ⅹ魯きを粕む]
Infineonのパワ〖染瞥攣、糠パッケ〖ジ禱窖で汗を燒ける
パワ〖染瞥攣に蝸を掐れているInfineon Technologiesは、そのプロセス供眷で300mmウェ〖ハの欄緩を幌めたが、パッケ〖ジに簇しても糠しいコンセプトを肌」と慮ち叫している。毋えば、ボンディングワイヤ〖を蝗わずにCuピラ〖を脫いて、パワ〖トランジスタとドライバトランジスタの攙烯を儡魯するというマルチチップパワ〖パッケ〖ジ禱窖を、7奉17×19泣澎疊で倡號されたTechno Frontier2013で給倡した。 [ⅹ魯きを粕む]
Alteraが光跟唯排富メ〖カ〖Enpirionを傾箭した妄統とは々
Altera∈アルテラ∷家が排富メ〖カ〖のEnpirion∈エンピリオン∷家を傾箭したと券山した。FPGAメ〖カ〖であるAlteraがなぜ排富メ〖カ〖を傾箭したのか。辦斧簇犯のないように斧えるこの捏啡は、28nmや20nmといった呵黎眉の腮嘿なLSIを賴撅に瓢侯させるために排富がカギを愛ること、ソリュ〖ションビジネスが腳妥になってきたことと考く簇犯する。 [ⅹ魯きを粕む]
ルネサス、0.2Vⅹ1.8Vの競暗DC-DCコンと4μWで瓢侯するマイコンを倡券
墊端の畝你久銳排蝸瓢侯を謄回して、ルネサスエレクトロニクスがエネルギ〖ハ〖ベスティング脫デバイスを倡券、ユ〖ザ〖に捏捌するため、ESEC∈寥哈みシステム倡券禱窖鷗∷に叫鷗した∈哭1∷。このデバイスは、200mVを木儡1.8Vに競暗するDC-DCコンバ〖タと、4μWで瓢侯するマイクロコントロ〖ラ∈マイコン∷だ。 [ⅹ魯きを粕む]
