�\術分析（���]・検�h����）

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GaNデバイス���]��8インチウェーハ�官�のMOCVD����を�j陽日�┐�発売へ

 2011年12月22日 ｜�\術分析（���]・検�h����）

LEDのチップ�C積�\�jや個数�\加に�官�したり、あるいはチップ�C積の�jきなパワー半導��にも使えたりするような、8インチGaNウェーハが入�}できるようになる。�j陽日�┐�8インチSiウェーハ�屬�GaN膜を形成できるMOCVD����、モデルUR26Kを開発、セミコンジャパンで�t��した。 [→��きを読む]

アプライドマテリアルズ、22/20nmノードに合わせた���]・検�h����を発表

 2011年12月15日 ｜�\術分析（���]・検�h����）

�櫂▲廛薀ぅ疋泪謄螢▲襯瑳劼蓮�22nm/20nmノード以�Tの微細化プロセスに�官�した新しい���]����OptivaおよびOnyxと検�h����1機�|を発表した。Optivaはチップ同士を�_ねる3次元IC向けのTSV�\術の�篳��┣祝譴��\積にも使える����。ウェーハプロセスメーカー、アセンブリメーカー、どちらにも供給できる。 [→��きを読む]

ワイヤレス機�_の普及に向けスペアナも表��できるオシロをテクトロが発売

 2011年9月 9日 ｜�\術分析（���]・検�h����）

�櫂謄�トロニクス社は、周�S数を横軸とするスペクトルアナライザ機�Δ函∋�間を横軸とするオシロスコープの機�Δ魴eたせた新型のオシロスコープMDO4000シリーズを発売する。最�Zの流行語であるコネクティビティとワイヤレスインターネットという言��で代表されるモバイル機�_にはRF�v路は�Lかせない。このオシロはRFからデジタルまで使える。 [→��きを読む]

��ハイエンドのリアルタイムオシロをテクトロが発売、高�]シリコンの�h価に

 2011年8月 2日 ｜�\術分析（���]・検�h����）

�櫂謄�トロニクス（Tektronix）社は周�S数帯域33GHz、2チャンネルでサンプリング周�S数100Gサンプル/秒という��ハイエンドのリアルタイムオシロスコープを発売した。�R定�_は���Rすべき試料の�eつ��性をカバーしなければならないため、ただでさえ高性�Δ�求められるがこのオシロの設��にはIBMの高�]SiGeバイCMOS�\術を使った。 [→��きを読む]

アルバック理工、3kWクラスの排�X�W��の発電機を開発、パートナーを探す

 2011年6月 3日 ｜�\術分析（���]・検�h����）

アルバックの100%子会社で、�X�U御�\術をコアとするアルバック理工は、�a度差を�W��する3kWクラスの発電機を開発した。�a度差を�W��するもののゼーベック効果のような半導��素子を使うのではなく、機械式の�v転子に冷��の�^気圧を加えることで�v転子を�vしモーターを�v転させ発電するという原理だ。工場の排�X�W��を�膿覆任�る。 [→��きを読む]

テクトロニクス、信�ｰ盟蝓�振幅・周�S数、単発ノイズを時間軸で捉える�R定�_

 2011年1月12日 ｜�\術分析（���]・検�h����）

無線LANやCDMA�擬阿侶搬單��B、Bluetooth、などのスペクトラム拡�g�擬阿量祇�通信、LTEや地デジなどのOFDM変調といったデジタル変調�擬阿量祇�通信が華やかになっているが、これらの�擬阿任六�間軸での振幅や位相の�S形が��常かどうか�荵，靴燭ぁ�テクトロニクスはこれまでの振幅に加え位相、周�S数をリアルタイムに時間軸で�荵，任�るシグナルアナライザRSA5000を発売した。 [→��きを読む]

�H様化するセミコンJ（II）〜MEMSプローブ、�`脂フレーム、�~易クリーンルーム

 2010年12月14日 ｜�\術分析（���]・検�h����）

セミコンジャパン2010においても、半導��の高集積化や高機�Σ修砲茲辰謄轡好謄爐離灰好肇瀬Ε鵑鮨泙襪箸いΕ船奪廛罅璽供爾���点は変わらない。半導��メーカーが常に�T識していることはコストダウンである。コストアップを�cけるため、テスター分野でもスループットを�屬欧襯廛蹇璽屮�ードや、450mmの薄いウェーハを�Хeする軽いフレーム、�}軽に実�xできるクリーンルームなどもデモされた。 [→��きを読む]

ダブルパターニング��エッチャー、高�]テスターなど�H様化するセミコンJ（I）

 2010年12月14日 ｜�\術分析（���]・検�h����）

12月はじめ幕張で開かれたセミコンジャパン2010では、これまでの微細化�k本�gからスループットの改��や新型クリーンルームなど、�H様化する半導��プロセスを��徴するような�t����に�jきな関心が集まった。出�t社は昨�Qよりも��少し�v復が��れてはいるものの、微細化、�j口径といったこれまでとの違いがはっきり見える。 [→��きを読む]

アルバック、TSVコストを削��するターンキーソリューション����を発売

 2010年11月26日 ｜�\術分析（���]・検�h����）

アルバックが3次元実���\術であるTSV（through silicon via）プロセスを穴あけからメタル�mめ込みまでターンキーで行う���]����を開発、セミコンジャパンで発表する。ターンキーソリューションの最�jのメリットは、リソグラフィとウェーハ薄型加工を除く工��の����コストが4割も��ること。スループットも高くなるとしている。 [→��きを読む]

テスト時間�]縮、高�]DRAMやRF�v路への�官�も��ぐヴェリジー

 2010年8月 3日 ｜�\術分析（���]・検�h����）

高周�S�R定�_でかつて定�hのあったヒューレット-パッカード社から1999�Qスピンオフしたアジレントテクノロジーだが、さらに2006�Qスピンオフしたヴェリジー社が高�]メモリーのテスターV93000プラットフォームや、53,000本以�屬離廛蹇璽屬鮖箸辰�1�vで試�xするテスターV6000メモリー専��テスターなど進化させている。 [→��きを読む]

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