図1　ウェーハを搭載したMOCVDサセプタ　出�Z：�j陽日��

通常の豆ランプなどに使うLEDのチップ�C積は0.25~0.3mm角しかないが、�O動�Zのヘッドライト��LEDでは�j光量を�uるため1mm角と�jきくしているチップがある。通常のLED照���_�困魯船奪廚鴦H数並べて光量を�\すと同時に、配��によって照らしたい�覦茲鮃�げたり絞ったりする。いずれの応��でも照��に使うLEDのトータルの�C積（チップ�C積×個数）はますます�\えていく。LED��MOCVD����の�j口径化への�官�が��られている。

MOCVD�����x場は、ドイツのアイクストロン（Aixtron）社と�盜颪離咫璽魁�Veeco Instruments）社が双壁で、�j陽日�┐禄jきく引き�`されている。とはいえ、今後の�x場次��で、のし�屬�る余地は�jきい。また、8インチウェーハ��の����は、アイクストロンがG4-TMあるいはG5-HTという����を�eってはいるが、1�vでロードできるウェーハ数は8インチウェーハ最�jでも5��である。

今�v、�j陽日�┐�開発した����はSiウェーハ�屬�MOCVD法でGaN膜を形成するもの。これまではGaN-on-Siの����は6インチ径��度にとどまり、GaN�T晶ウェーハとなると2インチ、3インチが主流となっていた。GaN�T晶ウェーハがまだ最�jでも6インチがせいぜいだからである。6インチから8インチに��えると2.25倍のチップ数がとれるようになり、�攵掚が向�屬垢襦�

GaNで8インチウェーハを��作することはまだ�Mしいため、�j口径化の容易なシリコンを基��にしてその�屬�GaNを形成する動きが�盜颪任睚�数社、ベンチャー企業を中心に出てき始めている（参考�@料1）。ただし、SiとGaNの�T晶格子定数が�jきく違うため、それらの間に格子定数を�D合させるためのバッファ層を導入することは����である。AlNをバッファ層に��いるが、格子定数を合わせるためSiから徐々にGaNに�k致するようにその組成をAlN、AlGaN、GaNと変えていく。

UR26Kでは、8インチウェーハを6��、あるいは6インチウェーハなら10��ロードできる。MOCVD����はSiと同様、均�k性が�_要なので、ガスをウェーハよりも下の��(sh┫)から導入し、ウェーハより�屬離離坤襪�らガスをラミナーフロー（層流）で流す。さらにウェーハ�屬離�ス流を均�kにするため、サセプタを�v転させると共に�Qウェーハも�v転させる。すなわち�O転と�o転を同時に行うという�lだ。この�O�o転させるのに、��来はベルトを使う例が�Hいなか、�j陽日�┐魯�アを�W(w┌ng)��する。ギアはロータリエンコーダを使えば�v転しているウェーハの�v転位��を��定でき、インサイチュモニターできるからだとしている。インサイチュモニターによってウェーハの反りを�Rっているという。この��(sh┫)式は同社が�eつUR25Kという6インチ�官�機と同じ仕組みであり、均�k性を�_��するため、この仕組みを変えていない。

図2　UR26Kの��念図　ガスは下から導入、�屬離離坤襪�ら流す　出�Z：�j陽日��

ウェーハを加�Xするための機構にはPBNによる6�茲恋B�^加�X��(sh┫)式を��いているが、これもUR25Kの基本設��を変えていない。ウェーハを6��載せられる�jきなサセプタの中心から6�_の�茲魏着X��の�B�^とし、ウェーハに均�kに�Xが加わるようにしている。ウェーハを加�Xする�a度は1000℃��度とシリコンプロセスに比べて高い。ただし、����の�o�C積はほとんど変わっていないとしている。

もともと半導����のガスを�u�Tとしている�j陽日�┐蓮�MOCVD����メーカーとしては後発ではあるが、今�vの8インチウェーハ��のMOCVD����が��合����を負かすほどの高い�攵掚を�△┐討い襪海箸如∪つc�x場にも乗り出せるようになる。

参考�@料
1. GaN-on-Siのベンチャー��出、白色LED・パワーHEMTを狙いVCも��発に投�@（2011/08/17）