図1　Low-k材料の機械的�啣修藩凝杜�低��を図る����Onyxの威��

22/20nm時代の消�J電��は「トランジスタが2/3、配線が1/3と言われている」（アプライドマテリアルズジャパン　代表�D締役社長　渡辺徹��）が、配線����を��らす効��のあるlow-k材料とCu配線とTSV配線�\術。アプライドはまずlow-k薄膜を改��するための処理����Onyxを発表した。アプライドは、以�iからlow-k材料としてBlackdiamondと称する誘電��材料を開発してきた。�k般にlow-k材料は原理的に膜をスカスカの低い密度にすれば誘電率は下がる。しかし、機械的な�單戮皺爾�ってしまう。このためプラスチックモールド�`脂を流す後工��で膜にダメージを与えたり時には破�sしてしまう恐れがあり、誘電率の�科�低いlow-k材料を使うのには���澆靴討�た。

今�vアプライドが開発した����Onyxは、�\積させた膜にある�|の処理を施すことで膜の機械的�單戮��屬欧茲Δ箸いΔ發痢５ヽＥ��單戮�8〜10%�啣修気譴襪箸靴討い襦�この処理は表�C処理ではなく、原子レベルの化学処理であり、10〜20nmの深さに原子や分子を浸透させることで膜を�啣修垢襪箸いΑ�カーボンの中にSiを�Qめ込む、という言い��(sh┫)をしているが詳細はつかめない。�T果的に機械�單戮六\すうえに誘電率も下がる(図1)、と�k石二鳥の効果があるとしている。

もう�kつの����Optivaは、コンフォーマリティが優れた低�a（200度以下）CVD����であり、イメージセンサのマイクロレンズの保護膜形成や、TSVのようなアスペクト比の高い溝の���Cを�戮Δ里謀�している。��に集光効果が高いとして最�Z�R�`を集めている裏�C照�o型のCMOSイメージセンサのマイクロレンズの保護膜に効��を発ｧする。保護膜が不�科�だと下のレンズを�aつけてしまう恐れがあった。レンズ形�Xでのコンフォーマリティは95%以�屬世箸靴討い�(図2)

図2　コンフォーマリティの高い低�aCVD����Optivaの効果

Optivaはコンフォーマリティの高さを�W(w┌ng)��してTSVの���C保護膜の形成にも威��を発ｧする。��来の�k般的なCVDと比べビアのコンフォーマリティは15倍も高いとしている。

3つ�`の新����G5は、�L(f┘ng)陥検�hを�O動化した����である。これまで、まず�j(lu┛)きなスケールで����をグローバルに�`��検�hし、次に細かい�霾�をSEMで位��合わせし、�荵　�合否判定してきた。これをグローバル検�hからSEM検�h、分類までを�O動化した。例えば、表�Cパターンの�L(f┘ng)陥を検�hする場合、表�Cの下に見える本来の�L(f┘ng)陥ではないもの（ニューサンス�L(f┘ng)陥：Nuisance defectと�}ぶ）までも�L(f┘ng)陥と判定しないように、より分けるアルゴリズムを開発した。SEM後のフィルタをかけると真の�L(f┘ng)陥だけを�Dり出すことができる(図3)。

図3　偽の�L(f┘ng)陥をよりわけるアルゴリズムを開発

この�L(f┘ng)陥検�h����は20nm��のノードに使える����だとして、10nmの�L(f┘ng)陥を検出する。使��する画素は1nmに相当するという。

アプライドは、これらの����によって、これからの3次元トランジスタや、ダマシンプロセスのCu配線、ダブルパターニング、TSVなどに向けた�\術に�官�していく。