» セミコンポータルによる分析 » 週間ニュース分析
再び設��投�@、研�|投�@が��発になってきた。キオクシアがWestern Digitalと共同で運営するフラッシュメモリ工場の設��投�@に7290億��を投じると発表した。福�K県でも半導��研�|に2億8300万��を予�Q化し、レゾナックは半導��・電子材料に�R��することを�x言した。日本��策投�@銀行も1500億��を集中投�@する。ソニーの2023�Q10〜12月期���Qが報告され、半導���靆腓�21%成長を��した。 [→��きを読む]
先週も2023�Q10〜12月期の���Q発表が相次ぎ、ルネサス、Infineon、キオクシア、東�Bエレクトロンなどから発表があった。�O動�Z・�噞向けについてルネサスとInfineonが�款氾�な�T果で、この四半期ではルネサスはまずまずだが、Infineonが�jきく落ち込んだ。キオクシアは���Cだったが、�v復の兆しが見えてきた。また東�Bエレクトロンも��るさを見せてきた。 [→��きを読む]
先週、2023�Q��4四半期（4Q）におけるSamsungの���Q発表があり、SK hynixと共にメモリトップ2社の4Q業績が��らかになった。これによるとSamsungのDRAMはすでに���Cに転換したと述べ、NANDフラッシュはまだ���Cのままのようだ。DRAMはAIチップとセットで使われるため、�收�AI向けに��要の�v復が早い。NANDの�v復は��れているようだ。 [→��きを読む]
先週は、��Intelが立て��けに発表した週だった。2023�Q��4四半期（10〜12月）の業績を発表、久しぶりに�i�Q同期比プラス10%�\を��らかにした。�櫂縫紂璽瓮�シコ�Ε螢�ランチョの先端パッケージ工場を�o開した。さらに��湾UMCと12nmプロセスに関する業��提携を発表した。 [→��きを読む]
1月18日、今や世�cトップクラスの半導��メーカーに成長した��湾TSMCの���Q発表があった。TSMCの売り�屬欧蓮▲蹈献奪��U半導��の景気を��う指�Yの�kつとしても使えるため、その中身を紹介する。2023�Q��4四半期の同社売�幢Yがようやく戻ってきた。2023�Q��4四半期（10〜12月期）の売�幢Yは�i�Q同期比1.5%��の196.2億ドルとなった。ドル高・��湾元�Wの影�xで��湾元ベースだと�i�Q同期と��く同じ金�Yの6255.3億元である。 [→��きを読む]
先週、CES 2024からのレポートが�Hく、今�Qのテクノロジーの動向を�瑤��屬如△海譴泙任箸楼磴Χ\術の広がりが見られた。2つの基調講演は�j�}化粧��メーカーのL’OrealのCEOと�盜颪両�売最�j�}のWalmartのCEOであった。いずれも�\術の広がりを��している。IntelのPat Gelsinger��の講演（図1）はAIをテーマとし、スタートアップRabitt社はスマホに代わる可��性を秘めたデバイスを発表した。 [→��きを読む]
2024�Qの世�c半導���x場の動向は、9日から�盜颯薀好戰�ス（図1）で始まるCESで��らかになりそうだ。1月9日の日本経済新聞は、CESではAIを新機軸に�\術革新の可��性が広がってくると報じている。AIは�收�AIだけではなく、家電機�_やスマホなどの電子機�_にもさりげなく入ってき始めている。セミコンポータルで�J報したようにAIはますます拡�jする（参考�@料1）。 [→��きを読む]
新�Qあけましておめでとうございます。同時に、令和6�Q�ε佝���地震により被�uされた�機垢砲�見舞い申し�屬欧泙后�阪神・淡路�j震�uよりも��模が�jきいといわれる�ε佝���地震は、半導���噞やこの�噞に関わる�機垢砲匹里茲Δ扮惇xを及ぼしているのだろうか。現在わかる�J囲でのレポートを紹介したい。 [→��きを読む]
ようやく半導��不況からの脱出がメモリでも見られた。DRAM、NANDフラッシュとも値�屬欧妨�かい始めた。ロジックでもIntelの株価が1�Q7カ月ぶりに高値にシフトした。ルネサス、ロームも開発・量�喤点を充実、Samsungは横�pに先端パッケージングの研�|拠点を開設する。��井化学、旭化成など半導��材料メーカーが��発に投�@する。研�|開発を�W益につなげる企業の�岼未鉾焼���材料・����が�`立つ。 [→��きを読む]
ようやく半導��不況からの脱出が始まった。�櫂侫�ラデルフィア半導��株指数が1�Q11カ月ぶりの高値を��し、��湾IT19社の11月の収入が�i�Q同月比でプラス5.4%�\となった。投�@も�\術も�峺�き始めた。JIC（�噞革新投�@機構）が新光電気工業を�A収、���Bは4つの�O�E��を半導��拠点と定めインフラ�мqする。�\術としてはTSMCが1.4nmプロセスに言及、Micronは国内にEUVを導入する。PSMCが宮城工場で�Z載半導��を3割に�\やす。 [→��きを読む]
