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やっと半導不況から脱出、投@も\術も積極的に推進

ようやく半導不況からの脱出が始まった。櫂侫ラデルフィア半導株指数が1Q11カ月ぶりの高値をし、湾IT19社の11月の収入がiQ同月比でプラス5.4%\となった。投@も\術も峺き始めた。JIC(噞革新投@機構)が新光電気工業をA収、Bは4つのOEを半導拠点と定めインフラмqする。\術としてはTSMCが1.4nmプロセスに言及、Micronは国内にEUVを導入する。PSMCが宮城工場でZ載半導を3割に\やす。

主要な半導銘柄で構成する櫂侫ラデルフィア半導株指数(SOX)は11日、i週比3%高の3902とおよそ1Q11カ月ぶりの高水をつけた、と12月13日の日本経済新聞が報じた。SOXは半導の景気の先Dりを表す指数として見られている。これから半導噞は不況から脱出し、本来の成長路線に乗っていく。

湾のIT19社は月次の販売報告を発表しているが、11月は10カ月ぶりのプラス5.4%\の1兆4261億湾ドル(約6兆6000億)になった。AppleのiPhoneを攵するVL@密工業はiQ同月比18%\と好調。TSMCは10月の売幢Yが8カ月ぶりにプラスになったものの11月は7.5%となった。MediaTekは11月に同19.2%\、DRAMの南亜科\が同3.7%\となり、峺き始めたことをしている。


Micron広工場 / 筆v撮影

図1 Micronの広工場 出Z:筆v撮影


投@環境として、先週、パワー半導でロームと東が協業するというニュースの中でBからのмqが最j1294億にすることを伝えたが(参考@料1)、今後の半導工場の新設や\設に瓦靴董∀Bは半導拠点のインフラмqを行うことを発表した。その中で、4つのOEをIし、TSMCのFab23となるJASM工場の建屋をほぼ完成させたy本県陽町や、工場新設に工しているラピダスのあるLOh歳x、さらにはキオクシアのある岩}県巒x、Micronの広工場(図1)のある広県東広x、に2023Q度予Qで関連Jを60億屬靴拭9業水は3割、下水Oは半分、O路は55%をмqする。

富士通の子会社であった新光電気工業を富士通がJICに売却すると発表した。富士通は新光の株式の50.02%を保eしており、残りは金融関係の会社である。このため、JICはj日本印刷や井化学と共同で、TOB(株式o開Aいけ)などを組み合わせて最終的に株をDuする。新光電工株は崗貲凅Vとなる。報じた13日の日本経済新聞によると、A収総Yは7000億模だという。最終的な新光への出@比率は、JICが80%、j日本印刷が15%、井化学が5%となる。

これまでTSMCは2nmプロセスノード\術をN2と}んでいたが、さらに微細なプロセスノードについては言及していなかった。このほどIEDMが開された期間中に行われたパネルディスカッション「Future of Logic」の中で、1.4nmクラスの]\術を開発していることをらかにしたという。TSMCはA14と}ぶこのプロセスは、いつ頃量するのかについては言をcけているものの、N2プロセスの量僝は2025Q後半で、N2Pプロセスが2026Q後半と述べていることから、2027Q〜2028Qだろうと推Rしている向きがHい。トランジスタ\術では、pチャンネルFETの屬nチャンネルFETをスタックするCFETにはならないようで、GAA(Gate All Around)FETの2世代か3世代版になりそうだという。

Micronの日本法人社長のJoshua Leeは、先週、東Bビッグサイトで開かれたセミコンジャパンで「EUVを日本に導入する最初の半導企業となる」とBした、と14日の日経が報じた。Micronの広工場では、1γmプロセスのDRAMを立ち屬欧觴画で、DRAMを4ないし8積層するHBM(High Bandwidth Memory)を攵することをすでに発表している。HBMはHPCや收AI向けチップにLかせないバンド幅の広いDRAM。

SBIとの合弁で日本にファウンドリ工場を設立する湾のPowerchipUのPSMC社は、クルマに咾て本ではZ載向け半導の比率を現在の1割弱から3割に屬欧討いと、董長の黄崇nが日経のD材に答えたと報じられた。PSMCはc效半導を主にファウンドリを行ってきたが、c擇らZ載や噞向けにポートフォリオを変えていくようだ。12日の日経は「1期としてまず4200億を投じ、2027Qに月1万(12インチ基)の量を`指す。日本Bは最j約1400億の\を検討している。工場がフルn働する29Qには月4万とする」と報じている。

参考@料
1. 「「パワー半導、AIチップ、税U優遇などBの}厚いмq、出」、セミコンポータル (2023/12/11)

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