染瞥攣ロジックの肥丹黎乖回篩となるTSMCの度烙が提ってきた
1奉18泣、海や坤腸トップクラスの染瞥攣メ〖カ〖に喇墓した駱涎TSMCの瘋換券山があった。TSMCの卿り懼げは、ロジック廢染瞥攣の肥丹を貍う回篩の辦つとしても蝗えるため、その面咳を疽拆する。2023鉗媽4煌染袋の票家卿懼馳がようやく提ってきた。2023鉗媽4煌染袋∈10×12奉袋∷の卿懼馳は漣鉗票袋孺1.5%負の196.2帛ドルとなった。ドル光ˇ駱涎傅奧の逼讀で駱涎傅ベ〖スだと漣鉗票袋と鏈く票じ垛馳の6255.3帛傅である。
哭1 2023鉗媽4煌染袋のTSMC卿懼馳のプロセス侍柒條 叫諾¨TSMC
海袋呵絡の潑魔は、3nmプロセスノ〖ドが鏈卿り懼げの15%も貍めるように絡きく凱びたことだ∈哭1∷。2023鉗媽3煌染袋に3nm墑の卿り懼げが惟ち幌めてから媽4煌染袋には15%も貍めるようになったことは、このプロセスの翁緩がしっかり蓋まったといえる。漣袋の3nm墑は鏈卿り懼げの6%にすぎなかった。
海袋には3nm墑と5nm墑の圭紛で鏈卿懼馳の50%を貍めている。また、7nm墑が票17%、16nm墑が8%となっており、16nm笆布のプロセスノ〖ドが票家卿り懼げ鏈攣の75%を貍めており、TSMCの卿り懼げ菇喇は撅に黎眉墑で蒼いでいる。つまり16nmプロセスから瞥掐されたFinFET禱窖から幌まった、エリアスケ〖リング∈帽疤燙姥碰たりの礁姥刨を懼げること¨廟1∷がしっかり含燒いたことを績している。それまでは、芹俐升/粗持を帽姐に腮嘿步するリニアスケ〖リングだった。
脫龐侍では∈哭2∷、デ〖タセンタ〖やス〖パ〖コンピュ〖タなどのHPC∈High Performance Computing∷尸填とスマ〖トフォン脫が呵も絡きく、尉莢圭わせて卿り懼げ鏈攣の86%を貍めている。光礁姥なICを澀妥とする尸填は、井さな娶の面に、30鉗漣のスパコンに嗓濃するほどの拉墻を積つSoC∈システムオンチップ∷を低め哈むスマホがこれまでリ〖ドしてきた。スマホでは怠墻をたくさん低め哈みながら瓢侯箕粗を變ばすため、排糜を絡きくし、その尸排灰攙烯を井さくし、染瞥攣SoCに怠墻をたくさん低め哈んでいる。
哭2 2023鉗媽4煌染袋におけるTSMC卿懼馳の脫龐侍柒條 叫諾¨TSMC
HPCでもSoCプロセッサを事誤借妄させるためマルチコアを肋けCPUコアの眶を籠やと鼎に礁姥するメモリも籠やして瓢侯廬刨を懼げる緘恕が蝗われている。SoCに眶猛遍換に澀妥な姥下遍換達を驢眶事べていることからGPUやDSPを礁姥する飯羹が動い。呵奪ではAI∈怠常池漿∷漓脫の攙烯も礁姥する飯羹が叫ている。このため礁姥刨は懼がる辦數になっている。
海攙のTSMCの度烙で丹になる炳脫尸填は、カ〖エレクトロニクスである。賈很羹けプロセスの卿り懼げが海袋も漣袋票屯5%ある。海袋の卿懼馳は漣袋孺で14%籠であるため、極瓢賈羹けプロセスも14%喇墓していると斧て紊い。賈很羹けの染瞥攣は、擴告廢は65nm笆懼の此いル〖ルだが、インフォテインメント廢は16nm笆布の黎眉エリアスケ〖リング禱窖を蝗う。
クルマは、ビデオ茶嚨を額蝗した極瓢笨啪や極瓢ブレ〖キなど奧鏈拉炳脫へと渴乖しつつある。このため奪い經丸はもっと黎眉エリアスケ〖リング禱窖がクルマにも滇められるようになる。TSMCがクルマ脫の卿懼孺唯を靳」に光めているのはこのためであり、Fab 23供眷∈泣塑の閥塑俯JASM∷での16nm笆布のプロセスが滇められることもその辦茨である。TSMCは閥塑だけではなく、ドイツのドレスデンにも票屯な供眷を侯る晾いは、菠劍も泣塑と票屯クルマ緩度が攔んだからだ。菠劍でも票屯のプロセスの供眷を侯ることになっている。
廟堅
1. エリアスケ〖リングは、芹俐潰恕をほとんど恃えずに3肌傅步を寵脫して帽疤燙姥碰たりのトランジスタ眶、すなわち礁姥刨を懼げる禱窖である。FinFETのFinの眶を負らしたり、芹俐を材墻な嘎り沒くしたりスル〖ホ〖ルを芹俐撾拌懼に妨喇したりするため3肌傅芹俐を寵脫して燙姥碰たりの礁姥刨を懼げている。池柴などではエリアスケ〖リングをDTCO∈Design Technology Co-Optimization∷と鈣んでいる。TSMCはデンシティスケ〖リングと鈣び、TSMCのユ〖ザ〖の辦客はエリアスケ〖リングと鈣んでいる。ここでは呵もわかりやすい努磊な鈣び嘆としてエリアスケ〖リングを脫いた。
