��Mentor Graphics社は、45nmプロセス以�TのLSIを歩�里衫匹�作るための�駘�設��・検証・歩�里泙蠍��屬泙任魎泙瓩��駘�設��ツールをDAC (Design Automation Conference) 2008でリリースした。半導��プロセスのリソグラフィ�∨，�光の�S長（かつてはリソグラフィの限�c�∨，噺世錣譴拭砲茲蠅��]くなってきているため、パターン通りの�∨，魏湛�することが�Mしくなってきている。それを試行�惴蹐培���してきたが、今�vのツールはタイミングからプロセスのバラツキまで含めて�O動化しようというもの。 [→��きを読む]
LSI設��最�jのイベントである��45�vDAC（design automation conference）が始まった。ここロサンゼルス郊外にありディズニーランドの莂箸靴��瑤蕕譴討い襯▲淵魯ぅ爐砲�、世�c中からLSI設���vやツールベンダーだけではなく、ファブレス半導��メーカー、IPベンダーなどが集まった。6月9日から始まる�t��会およびコンファレンスに先�~けて、6月8日�呂�DAC General Chair's Receptionではアナリスト、ファブレス経営�vがEDA世�cの��来�t望を講演した。1時間�iに終わった講演会をレポートする。 [→��きを読む]
英国スコットランドのエジンバラに拠点を��くファブレス半導��メーカーのWolfson Microelectronicsは、入��インターフェースから左��のADCおよびDAC、デジタルフィルタ、ダイナミックコントロール�v路、左��の出��アンプ、左��のラインドライバ、左��の差動ラインドライバなどを集積しながら、���V時の消�J電��4.5mWと少ない、オーディオコーデックIC、WM8903を開発、サンプル出荷を始め、6月9日に世�c同時発表した。 [→��きを読む]
DRAMメモリーテスターで定�hあるアドバンテストが、DRAMテスターを�啣修垢襪汎瓜�にミクストシグナル、あるいは2チャンネル同期をとりながら�莟Rできるスペクトラムアナライザ、パワーICの耐圧150Vを�R定できるパワーIC向けテスター、などメモリーテスターから����ポートフォリオを広げつつある。テスターだけではない。デバイスまでも。。 [→��きを読む]
Bluetooth半導��チップを設��、最�jの�x場シェアを誇る英国のファブレスメーカー、CSR社は、1チップのBluetooth�v路の最新バージョンに、enhanced GPS、FM送�p信機�Δ鮟言僂靴覆�ら、消�J電��の�\加を抑えたBlueCore7チップをサンプル出荷している。この低消�J電��化は、Nokia社が提案していた低消�J電��の�Z�{�`無線通信��格WibreeをBluetooth��格に導入し、Bluetooth Low Energyとして�@�iを変えたもの。 [→��きを読む]
ドイツのInfineon Technologies社は、スマートセンサーからマイクロコントローラ(マイコン)、パワー半導��と、�O動�Zに��要なセンサーから�U御�U、アクチュエータまで����のポートフォリオをカバーする総合��を���_に日本�x場のシェア拡�jに向けギアを切り��え始めた。これまで、世�c�x場で��2位に食い込んではいるものの、日本�x場ではまだ5位にとどまっているという。 [→��きを読む]
世�c半導���x場統��(WSTS)は2008�Qの世�c半導���x場を2007�Q秋��予�Rの9.1�\%から�jきく下�巨T��し、�i�Q比4.7%�\の2677億ドルになる見通しを��した。WSTSには世�cの半導��メーカー65社が加盟しており、この��、今後3�Q間の�x場を予�Rした。 [→��きを読む]
Selete (半導��先端テクノロジーズ)の��二研�|�陲�、Low-k/Cu配線�\術の開発を進めているが、機械的にもろいLow-k膜はハーフピッチ(hp)45nm以�Tのプロセスで、エッチング形�X、高���I比、ダメージフリー、低環境負荷、といった問��をクリヤーしなくてはならない。このほど新しいエッチングガスとしてCF3Iがこれらを満�Bさせることを同社はSelete Symposium2008で��らかにした。 [→��きを読む]
��Hewlett-Packard社が光配線�\術を2009�Qにも同社����に使うことを��らかにしたが、5月26日につくば�xで開かれたSelete Symposium2008において、Selete（半導��先端テクノロジーズ）はLSIチップ�屬北�4mmほどの光導�S路を作��、5GHzのパルスを崩すことなく�p信できることを確認した。 [→��きを読む]
SICAS（世�c半導��キャパシティ統��）から2008�Q��1四半期の半導��ウェーハの�攵��ξ�と実績、�n働率が発表された。���i期比1.7%�\の211万7900��/月（8インチウェーハ換�Q）、���i�Q同期比で15.1%�\という�T果であった。SICASのデータをよく見ると新しい半導���噞のトレンドがはっきりと見えてくる。 [→��きを読む]
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