Brionのリソグラフィシミュレーション、モデルの最適化で�@度向�崔�
オランダASML社傘下にある、��Brion Technologies Incは、これまでのマスクを�T��するOPCなどの�}法を���Qするリソグラフィシミュレーションを開発してきたが、最�Zマスクレベルだけではなく、照���Uと光絞り�U、ウェーハレベルの4つの光学�Uイメージプレーンについてモデルの開発と、�Qレベル間の最適化についてのシミュレーション�}法を開発していることを��らかにした。
この�}法を使えば、例えば光源の形�Xを最適化することで、コントラストのはっきりしたパターンを�Wくことができる。4つの照��形�Xを�eつ��来のクェーサー型の光源形�Xの場合だと、パターン線�屬離圈璽�値とパターン線以外（バックグラウンド）の光�單戮箸虜垢�少なかった。このため、4つの照��形�Xを�T��した光源でシミュレーションしたところ、パターン線�屬離圈璽�値は��来のクェーサー型よりも高く、パターン線以外の値は低かった。つまりコントラストはより�z��になった。これが光源形�Xの最適化である。
マスクパターンを�T��するためのシミュレーションは今後ともやはり�_要な�\術であると、Brion社社長のJun Ye��は述べている。プロセスウインドウを確保するOPC�\術のTachyon-OPC+という����は、解�掬抂焚爾離僖拭璽鵑虜播�配��をプロセス条�Pの�U限の元で行う。ラインの�k�陲�くびれるネッキングやパターンがつながってしまうブリッジングなどの歩�里泙蠅妨�くパラメータを発見できるというメリットがある。そのようなパラメータを最適化すると歩�里泙蠍��屬北鯲�つ。
光絞り(pupil)�Uは、�Z接効果の振る舞いを��めるが、光源�Uよりも設��の�O�y度が少ないという。光絞り�Uの最適化は、プロセスドリフトを����するために使われるが、まだ最適化�}法を確立していない。
4番�`のウェーハプレーンでの最適化については、光の照�o量やアラインメント�U御などをモデル化する。ここでは親会社のASML��のモデルを使う。
これらの最適化�}法は共通で、まず�莟Rするパラメータ----マスクプレーンならウェーハ形�Xやプロセスウインドウ----を集める。このパラメータは�`�Y値との差となる。次に�`�Yとの差を最適化するためのアルゴリズムを実行する。その�T果、�U御すべきパラメータをチューニングし設定しなおす。それを最初のパラメータ収集に戻し、この作業ルーチンを繰り返す。
マスクを作成した後でも、光源･光絞り･ウェーハの3つのプレーンでチューニングは可�Δ世箸靴討い襦�
