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Brionのリソグラフィシミュレーション、モデルの最適化で@度向崔

オランダASML社傘下にある、(sh━)Brion Technologies Incは、これまでのマスクをTするOPCなどの}法をQするリソグラフィシミュレーションを開発してきたが、最Zマスクレベルだけではなく、照Uと光絞りU、ウェーハレベルの4つの光学Uイメージプレーンについてモデルの開発と、Qレベル間の最適化についてのシミュレーション}法を開発していることをらかにした。

この}法を使えば、例えば光源の形X(ju└)を最適化することで、コントラストのはっきりしたパターンをWくことができる。4つの照形X(ju└)をeつ来のクェーサー型の光源形X(ju└)の場合だと、パターン線屬離圈璽値とパターン線以外(バックグラウンド)の光(d┛ng)度との差が少なかった。このため、4つの照形X(ju└)をTした光源でシミュレーションしたところ、パターン線屬離圈璽値は来のクェーサー型よりも高く、パターン線以外の値は低かった。つまりコントラストはよりzになった。これが光源形X(ju└)の最適化である。

マスクパターンをTするためのシミュレーションは今後ともやはり_要な\術であると、Brion社社長のJun Ye(hu━)は述べている。プロセスウインドウを確保するOPC\術のTachyon-OPC+というは、解掬抂焚爾離僖拭璽鵑虜播配をプロセス条PのU(ku┛)限の元で行う。ラインのk陲くびれるネッキングやパターンがつながってしまうブリッジングなどの歩里泙蠅妨くパラメータを発見できるというメリットがある。そのようなパラメータを最適化すると歩里泙蠍屬北鯲つ。

光絞り(pupil)Uは、Z接効果の振る舞いをめるが、光源Uよりも設のOy(t┓ng)度が少ないという。光絞りUの最適化は、プロセスドリフトをするために使われるが、まだ最適化}法を確立していない。

4番`のウェーハプレーンでの最適化については、光の照o(j━)量やアラインメントU(ku┛)御などをモデル化する。ここでは親会社のASMLのモデルを使う。

これらの最適化}法は共通で、まず莟Rするパラメータ----マスクプレーンならウェーハ形X(ju└)やプロセスウインドウ----を集める。このパラメータは`Y値との差となる。次に`Yとの差を最適化するためのアルゴリズムを実行する。そのT果、U(ku┛)御すべきパラメータをチューニングし設定しなおす。それを最初のパラメータ収集に戻し、この作業ルーチンを繰り返す。

マスクを作成した後でも、光源・光絞り・ウェーハの3つのプレーンでチューニングは可Δ世箸靴討い襦

ごT見・ご感[
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