160nm径のビアに低�B�^のカーボンナノチューブをMIRAIが形成
半導��MIRAIプロジェクトは直径160nmと微細なビアにカーボンナノチューブ（CNT）を形成することに成功した。450℃の�XCVDで形成したビア�B�^は34Ω、400℃だと63Ωとこれまで最も低いという。 [→��きを読む]
セミコンポータルによる分析
���]����のB/Bレシオ、連���峺�するも1.0をまだ��えず
![���]����のB/Bレシオ、連���峺�するも1.0をまだ��えず](/assets_c/900px/bb10_1.png "���]����のB/Bレシオ、連���峺�するも1.0をまだ��えず")
日本��半導�����]����のB/Bレシオが下げ�Vまったことを、11月29日のマーケット情報でレポートしたが、その読みはほぼ現実的になってきた。SEAJ（日本半導�����]����協会）が発表した11月のB/Bレシオ（出荷�Yに�瓦垢��p�R�Yの比）は�]報値ではあるが、0.87と先月の0.78よりも�峺�した。 [→��きを読む]
nMOSトランジスタのばらつきは不純�颪世韻任朗�まらない
65nmロジックプロセス（ハーフピッチでは90nmプロセスに相当するプロセスノードhp90）で100万個のnチャンネル/pチャンネルMOSトランジスタアレイ（両�気�200万個）を作り、ゲートしきい電圧Vthのばらつきの原因を突き�Vめた、と半導��MIRAIプロジェクトが、12月18日茨城県つくば�xで開かれた2007�Q半導��MIRAIプロジェクト成果報告会で発表した。pチャンネルMOSのばらつきは不純�颪陵�らぎにより、nチャンネルMOSは不純�颪陵�らぎと別の要因が加わっているとしている。 [→��きを読む]
アナログ�k筋26�Q、差別化商��で高収益を�e�△垢襯螢縫▲謄�ノロジー
Lothar Maier、��Linear Technology社 CEO 昨�Q、�櫂咼献優好Ε�ーク誌が高収益のハイテク企業のトップテンを発表したが、売り�屬欧��瓦垢訃W益（経常�W益）の割合、�W益率が40％を��え、トップ5社にランキングされたリニアテクノロジー。その下にマイクロソフトやヤフーなどがランクされていた。リニアテクノロジーは2007�Q度売り�屬欧�ほぼ横ばいと�Pびなかったのにもかかわらず、�W益率はきっちり守っている。常に40%�i後の純�W益率であり40-50%の経常�W益率を保�eする。その秘密は何か。他社との違いは何か。ほかの半導��ビジネスモデルとは何が違うのか。ローサー･マイヤーCEOに聞いた。 [→��きを読む]
NANDフラッシュを16個管理する携帯機�_向け周辺チップをCypressが開発
組み込みシステムの周辺チップであるウェストブリッジと�}ぶ周辺LSI「Antioch」を��Cypress Semiconductor社が昨�Q発売したが、このほど携帯機�_への組み込みシステムを�T識し、�Hビット/セルのNANDフラッシュを16チップサポートし、SD/MMICカードのサポートやSDインタフェースなどを�啣修靴深�辺チップ「Astoria」を開発、サンプル出荷した。 [→��きを読む]
加�]電圧の広いイオン�R入����をAxcelisが開発
![加�]電圧の広いイオン�R入����をAxcelisが開発](/assets_c/900px/axcelis.png "加�]電圧の広いイオン�R入����をAxcelisが開発")
��Axcelis Technologies社は、加�]エネルギー�J囲が500eVから4MeVと広いイオン�R入����Optima XEをセミコンジャパン2007で発表した。CMOSデバイスの深いウェルやツインウェルの形成に高い加�]エネルギーを��要とするほか、イメージセンサーのCCDやNORフラッシュメモリーにも使われる。 [→��きを読む]
Credence社がオーディオ/ビデオ共�T�v路のテスターモジュールを����化
Credence Systems社は、オーディオとビデオ�v路を搭載したLSI向けのテスター��モジュールMultiWaveインスツルメントを����化した。このモジュールをテスターのプラットフォームDiamondに組み込むと4つの独立した、オーディオとビデオ�v路搭載LSIデバイスを同時にテストできる。セミコンジャパン2007で、このモジュールと�R定テストプラットフォームを�t��した。 [→��きを読む]
ナノテクの代表���}、フラーレンC60を塗布加工できる
炭素原子がサッカーボール�Xに構成されているフラーレンC60が、半導��プロセスに威��を発ｧしそうになってきた。��菱商��、��菱化学などが出�@するフロンティアカーボン社は、フラーレンを添加した電子ビームレジストがパターンを加工できることを実証した。 [→��きを読む]
Mears社の��格子MOSFETはサブスレ電流も1桁低��
シリコンMOSトランジスタのチャンネル層表�Cに、半導��-��半導��-半導��という繰り返し構�]から成る��格子層を形成し、ゲートリーク電流の低��とドレイン電流の�\加というメリットを�eつ、��く新しい構�]のトランジスタを��Mears Technologies社が開発したが、メリットはそれだけではなく、サブスレッショルド電流も1桁�Zく��ることがわかった。 [→��きを読む]
デバイス試作・プロセス開発のファウンドリが合��で��模拡�jへ
�盜颪糧焼���コンソシアムSEMATECHの関連会社の�kつで試作ファウンドリのATDF社と、Cypress Semiconductor 社から2007�Q3月にスピンオフして独立した試作ファウンドリになったSVTC Technologies社が合弁し、�kつの�jきな試作専門ファウンドリ企業を形成することになった。 [→��きを読む]
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