設��投�@・新IP会社・�\��へと踏み出す半導���噞
半導���噞のさらなる成長に向けた設��投�@、新会社、�攵��ξ�の�\�咾覆匹瞭阿�が先週あった。さらに、セキュリティやAIに�棺茲垢襪燭瓩凌雄牋蘋�の��画が��出し、モノづくり�噞を��性する「Maker Movement」のイベントがビッグサイトで開かれた。すなわち、半導��を�W��する�笋���性化してきている。 [→��きを読む]
セミコンポータルによる分析
ZB時代のインターネットトラフィック
世�cのインターネットトラフィック（インターネット�屬鮃圓�来するデータ量）は、2016�Qの1.15ZB（ゼッタバイト(�R)）から2021�Qには3.3ZBに倍�\する、とCisco Systemsが発表した。2021�Qまでの�Q平均成長率CAGRは24%だが、日本のトラフィック量は26%と世�cよりも高い成長率を見込んでいる。 [→��きを読む]
ST-MRAMは1Gビットに、Everspinがサンプル出荷
Everspin Technologies社は、1Gビットという高集積のST（spin torque）-MRAM（Magnetoresistive random access memory）チップのサンプル出荷を始めた。複数の��定ユーザー向けのチップであり、量��は未定。これまでのST-MRAMの最高集積度は256Mビットだった。 [→��きを読む]
ローム傘下のラピス、2�擬阿�IoT専��LPWA通信ICを開発
旧沖電気工業の半導���靆腓鮓士�とし、現在ローム傘下にあるラピスセミコンダクタが、�u�Tな通信�\術を�擇�し、IoT専��のLPWA（Low Power Wide Area）通信チップ「ML7404」を開発した。�q害�Sに�咾�IEEE802.15.4kと、普及しつつあるSigFoxの両モデムを内�鼎垢襪海箸如��官��J囲を広げる狙いだ。 [→��きを読む]
�O動�Z業�cにウーバー化の�S
ウーバライゼーション（Uberization：ウーバー化）の�Sは�O動�Z�噞にやってきた。ウーバライゼーションとは、アプリ企業のウーバーがタクシー業�cに�j�]撃を与えたように、見�瑤蕕夢覿箸�突���O分の業�cにやってきて�jきな影�xを与える現��を指す。�O動�Z�噞にグーグルやアップル、アマゾンが参入し、その�e機感がトヨタとマツダの提携を�擇鵑澄� [→��きを読む]
東��とWD、共同投�@を巡る見解の食い違い
2017�Q8月3日に東��はプレスリリースを出したが、東��メモリ四日�x工場で建設中の��6���]棟に導入する�攵摚�△亡悗靴董⇒眛�のWestern Digitalのプレスリリースとは見解が違っている。東��が共同ラインの�攵摚�△鮹影箸播蟀@すると発表したのに�瓦靴董�WD�笋呂海旅臺杁�業は共同で投�@するというこれまでの約�Jを守る、と発表した。 [→��きを読む]
7月に最もよく読まれた記��はWestern Digitalの4ビット/セルの3D-NAND
2017�Q7月に最もよく読まれた記��は「Western Digital、4ビット/セルの768Gビット3D-NANDフラッシュを開発」であった。これは�M易度の高い4ビット/セル�\術を3D-NANDフラッシュメモリに適��して96GBのメモリ容量を実現した、という記��である。 [→��きを読む]
ムーアの法�Г寮茲僕茲襪發�
半導���噞の好調が�e��する中、7月28日の日本経済新聞は、オピニオンというコラムで「ムーアの法�А�限�cの先は」と��した記��が掲載された。ムーアの法�Г箸いΔ茲衄�細化の限�cの先を議�bしている。シリコンチップの微細化の先に来るものは何か。AIや�O動運転�Z、IoTなど未来を見つめた応��、ビジネスモデルを含めた「価値」を模索している。先週のいくつかの記��にもそれが表れている。 [→��きを読む]
2017�Q6月の半導�����]����の販売�Yは�k段落
![2017�Q6月の半導�����]����の販売�Yは�k段落](/assets_c/900px/170727-semiseaj.png "2017�Q6月の半導�����]����の販売�Yは�k段落")
2017�Q6月の半導�����]����の販売�YがSEMIとSEAJからそれぞれ発表された。それによると、������半導�����]����は�i�Q同月比33.4%�\の22億8890万ドル、日本��半導�����]����は同53.6%�\の1530億5200万��となった。依��、高水��にある。 [→��きを読む]
Western Digital、4ビット/セルの768Gビット3D-NANDフラッシュを開発
東��メモリと四日�x工場を共�~しているWestern Digitalは、64層の3D-NANDフラッシュ�\術を使った、4ビット/セルの768Gビット（96Gバイト）メモリを開発した（図1）。��来と同じ数のメモリセルを�eつ3ビット/セルのNANDフラッシュだと、メモリ容量は512Gビット（64Gバイト）だったが、これよりも50%�\加した。 [→��きを読む]
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