図1　国内プリント基���攵��Yの推�　―儘Z：JPCA

2017�QのJPCAショーは、登�{参加�v数が�\えたものの出�t社数は�i�Qの760社から456社と�j(lu┛)きく落とし、小間数も�i�Qの1421小間から1355小間へと��(f┫)らした。これまではアジアからの来場�v、出�t社が��(r┫n)常に�\え、出�t社・出�t小間数は2016�Qがピークだった。国内のプリント基���攵嚩�Yは、下�T線をたどってきた。JPCAショーを主��(h┐o)する日本電子�v路工業会（JPCA）によると、ピークの2000�Qには2兆5000億��を��していたが、2016�Qにはちょうどその半�Yまで��(f┫)少している（図1）。PCBの�攵�がアジアや中国へシフトしていったためだ。日本企業のアジア・中国進出もあるが、アジアや中国の地場�噞が�j(lu┛)量�攵�するようになった。

それでもJPCAショーで2016�Qまで出�t社が�\えてきたが、今�vは��(f┫)少へ転じた。確かに、会場における中国語やハングル語の会�Bが少なくなっていた。

プリント�v路�\術は、JPCAだけではなくJEITA（電子情報�\術�噞協会）内の「Jisso�\術ロードマップ専門委�^会」でも検討され、このほど2017�Q度版プリント配線���\術ロードマップを作成した。作成に携わったワーキンググループ（WG）5の主�hであり、インターコネクションテクノロジーズ社代表�D締役の宇都宮久�T��(hu━)は、これまでのロードマップ作業からプリント基��そのものを再定�Iすることを報告した（図2）。

図2　プリント基��を新機�Υ韶�とする新しい位��づけ　出�Z：JEITA Jisso�\術ロードマップ専門委�^会

��来のプリント基��にはシステムやサブシステムを提供するという��念がなかった。そこで、これからのプリント基��を「システムやサブシステムを提供するために、設��に基づき��要な電子����機�Δ版枩�パターンを絶縁基��の表裏�Cおよびその内�陲坊狙�した��の総称」と再定�Iした。最終����の��争優位性は、サブシステムを構成する�v路の設��と実�◆△△襪い賄纏�����の��(li│n)�Iで��まるとして、性�Δ肇灰好箸陵グ明�を�eたせるためサブシステムを機�Δ気擦觝把禪造�����点数と�v路の微細化、基��の�Dり数の最�j(lu┛)化などを��めていく。テクノロジーとしては、��来のリジッド基��に加え、フレキシブル基��、����内�鉄韶��\術、FO-WLP、パッケージレベルパッケージ（PLP）、3D配線�\術などが使える。

Apple Watchのような��小型の実��基��には����内�鉄韶�が�~効で、すでに使われているが、WG5が提案するような�ζ暗�なプリント基��の��念は、2次元平�Cだけで定�Iされたムーアの法�Г旅圓�詰まりとも絡んできそうだ。システム�笋任蓮▲轡鵐�ュラリティ（人間の1000億個の�Nのニューロン[神経細胞]に匹�發垢訖瑤離縫紂璽蹈鵑鮨郵�的に作り出す時：2045�Qごろといわれている）を信じ、さらに高集積化を望む�mはある。

さらに現実的なスマホのようなデバイスではバッテリをできる限り長�eちさせるため、バッテリを�j(lu┛)きくする反�C、プリント�v路�C積を小さくしている。すなわちシステム的にはできる限りの高集積化が望まれているが、2次元表�Cに限らない。3次元的に機�Δ魑佑畊�めばよい。ムーアの法�Г呂△�までも2次元にこだわっているから限�cといわれるのである。

JPCAショーでは、����内�鉄韶��\術や3次元配線（MID: Molded Interconnect Device）を�Г┐訖靴靴����]�\術や材料が登場した。いくつか�Rってみると、����内�鉄韶�やフレキシブル基��を��来よりも薄くできるポリマー材料や接���\術、MID向けにインクジェット法で配線を形成するナノインク�\術などがある。

ドイツMerck社の英国の拠点Merck Chemicalが開発し、メルクジャパンが����内�鉄韶�を検討しているポリマー材料は、誘電率が数1000と高く、耐圧は10Vあるという。��来の基��に内�鼎垢�����だとその厚さを100µm以下にすることは�Mしいが、このポリマーは1µm〜30µmの間で誘電率が変わらない、という��性を�eつ。また、��来のポリマー材料を使って誘電率を�屬欧訃豺腓砲茲���いられる導電性のフィラーを入れると、��失角tanδも�j(lu┛)きくなり��失が�\えてしまう。

新材料はフィラーを入れていない。薄膜形成にはスピンコートを��いるが、この材料を溶かす�~機溶剤の濃度を変えることで形成する膜厚を変えていく。また、使���a(b┳)度は数��°Cどまりで、�H層基��形成における�a(b┳)度の�U(ku┛)約はないという。�L(f┘ng)点は高誘電率につきものの高周�S��性。今のところ10kHz��度しか動作できない。このため低周�S��だが、誘電率が高くtanδが低いという��長を�擇�し、電源やパワーマネジメント周りに使える����がありそうだ。

東��は、ポリイミド膜�屬肪荏悗諒�子膜を形成し、その�屬剖��鑠譴鬚弔韻蕕譴覿\術を開発、JPCAで�r�K�x�劜官連携センターのいおう化学研�|所と共に出�tした。これはわずか1層の分子膜を��けることで接����が��(d┛ng)化され、その�屬縫瓮奪�で厚めのメタルを形成できる（図3）。ピール（はがし）��(d┛ng)度は、25°Cでは��来��と��色ないが、�a(b┳)度を�屬欧襪砲弔譟△呂�れにくくなる。��来だとピール��(d┛ng)度が150°Cで40%に下がり、200°Cでは25%に下がるのに�瓦靴董∈��vの�\術を使えばピール��(d┛ng)度はほとんど低下しない。

図3　プリント基��に��けた銅��　はがれにくいことが��長

メタルの�|類は、銅、ニッケル、アルミニウムとも��(d┛ng)度は��来の処理�\術よりもはるかに��(d┛ng)い優位性が見られた。今�vの処理は、トリアジンを含むシラン処理を行っているとしている。処理によって共�~�T合ができるため��(d┛ng)度が�屬�ると東��の八甫谷���}��(hu━)はみている。分子層を1層入れても�X�B�^はほとんど変化しないという。メタルとしては下地にNiを��けCuメッキすることでパワー半導��などの実�△忙箸┐襪箸靴討い襦�

MIDのような立��形�Xそのものに配線を形成するのに使われるインクジェット向けのナノインク材料はEMC�敢�にも�~効だ。インクジェット法を使えるようにするためには、インクの�`詰まりを防ぐため�l度を下げることが�L(f┘ng)かせない。�K�儻�のC-INC社は金�鑒���子をナノメータレベルに細かくし、�~機溶剤に溶かしたインクを出�tした。AuやAg、Cuなどの微細��子をインクに溶かした����を揃えており、�l度は10�_量%で4cpsという。塗布後に120°Cで1時間�|燥させた後、�R定した��積�B�^率はAgが2.5×10の-5乗Ωcm、Auは5.0×10の-5乗Ωcmである。インクジェットの他、スプレイ、ディップ、ディスペンサなどの塗布が可�Δ如�電磁�S吸収膜を3次元曲�C形�Xに塗布できる。

JPCAショーでは、フレキシブル基��、薄い����の内�鉄韶�など、これからの新機����きプリント基��に向けた�\術が��出した。プリント基��は、�p動的な�Хe基��ではなく、�ζ暗�な機�ε�基��となることにより、ムーアの法�Г慮堕cを3次元、2.5次元などの実�△培�っていく�\術となりうる。