シリコンウェーハの出荷�C積、5四半期連���垉邵嚢�
2017�Q��2四半期におけるシリコンウェーハ�C積が�i�Q同期比10.1%�\の29億7800万平��(sh┫)インチとなり、5四半期連���垉邵嚢發箸覆辰拭△�SEMIが発表した。�i四半期比でも4.2%�\であり、ここの所、�\加の�k��をたどっている。 [→��きを読む]
セミコンポータルによる分析
半導���噞の��況は��く
半導���噞の��況は、しばらく��きそうだ。先週は、それを��唆するニュースが相次いだ。ARMのCPUが�垉�25�Q間に集積された半導��チップの����個数1000億個が今後4�Q間で達成されるという見通しを述べ、ソニーのCMOSイメージセンサのウェーハを�\��する。その先の�O動運転への投�@、���]業を�Г┐觜�作機械への投�@も��発だ。 [→��きを読む]
Intel、エネルギーデータ収集・分析プラットフォームを提案
「デジタルトランスフォーメーション」。エレクトロニクス�\術を使って、社会を変革するテクノロジーを最�Zこう�}ぶ。エレクトロニクスの肝はもちろん半導��。半導��を使うエネルギーの変革をIntelが進めている。「スマートメータ」をもっと賢くして電��コストも抑えるという「エネルギーコレクティブプラットフォーム」(図1)をIntelが提案した。 [→��きを読む]
CypressがUSB-Cチップを��々発売できる理�y(t┓ng)
USB Type-Cは、iPhoneのケーブルのように裏表を逆にしても接��でき、しかも電��を100Wまで供給できるというメリットがある。ディスプレイのHDMIやDisplayPortなどもType-CのAltモードで使えるようになり、パソコンやスマートフォンのケーブルはType-C1本ですむようになる。USB Type-Cの認証チップを最も�HくそろえているCypressがUSB-Cチップを��々出せる理�y(t┓ng)は何か。 [→��きを読む]
SK Hynixがファウンドリサービスを開始
東��を�A収するらしいと�@がれている�f国のSK Hynixがファウンドリサービスを開始した。7月10日に工場の��式オープンを発表し、12日の日本経済新聞もそれを報じた。また、SEMIが2017�Qの見通しを発表し、半導���噞の好況さを日経や日経�噞新聞などが報じた。 [→��きを読む]
5G�‘按命�の�R定�_(d│)が充実してきた
世�c的には4G(��4世代の�‘���通信)と�}ばれるLTEの次の5G（��5世代の�‘���通信）の�R定実�xが始まっている。National Instruments、Tektronix、Keysight Technologiesなどが��々5G向け�R定�_(d│)やその実�xを発表している。 [→��きを読む]
電子システムに��める半導��の価値は今後も高まる
2017�Qの世�cの電子システムの売�幢Yは、�i�Q比わずか2%�\の1兆4930億ドル(約160兆��)にとどまるが、半導��販売�Yは15%�\の4191億ドルに成長する。これはIC Insightsが最�Z発表したもの。この�x場調�h会社は、2021�Qには半導���x場は5000億ドルに達するとみている。 [→��きを読む]
Inotera��故で半導��供給不�Bはさらに加�]
![Inotera��故で半導��供給不�Bはさらに加�]](/assets_c/900px/170711-chipmarket.png "Inotera��故で半導��供給不�Bはさらに加�]")
2017�Q5月の世�c半導��販売�Yは、3カ月の�‘以振冀佑��i�Q同月比22.6％だとSIA（�殀焼���工業会）が発表した(参考�@料1)が、5月単月の数�C(j┤)がWSTSから発表された。それによると、�i�Q同月比23.8%�\の316.2億ドルと単月で3カ月連��300億ドルを��えた。好調さは�e��するようだ。 [→��きを読む]
VolvoがEV化を加�]、2019�Qから内�\エンジン�Zの�攵�を中�Vへ
![VolvoがEV化を加�]、2019�Qから内�\エンジン�Zの�攵�を中�Vへ](/assets_c/900px/170710-electrification.png "VolvoがEV化を加�]、2019�Qから内�\エンジン�Zの�攵�を中�Vへ")
スウェーデンの乗���ZメーカーVolvo Carsが、2019�Qから発売するクルマは��て電動化すると現地時間7月5日に�x言した。��来のガソリンやディーゼルを使う内�\エンジンの乗���Zを�攵榼�Vする。7月7日の日経�噞新聞が報じたが、翌8日にはフランス���Bが2040�Qまでに内�\エンジン�Zの国内販売を�Vめる��(sh┫)針を�]ち出した、と日本経済新聞が報じた。 [→��きを読む]
IGBTの高�]化に向け2�|類のイオン�R入����をアルバックが発売
![IGBTの高�]化に向け2�|類のイオン�R入����をアルバックが発売](/assets_c/900px/170707-ulvac.png "IGBTの高�]化に向け2�|類のイオン�R入����をアルバックが発売")
半導�����]����もニッチ�x場で�M負する時代といえそうだ。アルバックは、IGBTパワー半導��に��化した加�]エネルギーが2keV〜30keVと低い加�]電圧と、最�j(lu┛)2400keVと極めて高い加�]電圧の2�|類のイオン�R入����を発売する。それぞれ浅い、深いpn接合を作るのに使う、両極端のニッチ向け����だ(図1)。 [→��きを読む]
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