TSMC vs. Samsungの頂凌楓步
駱涎廓と躥柜Samsungのニュ〖スが驢い1降粗だった。6奉9泣の泣塑沸貉糠使は駱涎TSMCと躥柜Samsungのライバル凌いについて淡禍を非很、NANDフラッシュでSamsungが面柜供眷に1名邊を抨獲するなどの瓢きも謄に燒く。
9泣の泣沸が帕えたのは、7nmプロセスを戒るSamsungとTSMCの凌い。Samsungは勢テキサス劍オ〖スチンにファウンドリ供眷を積っているが、ここに候鉗僵から10帛ドルを納裁抨獲してきた。SamsungはAppleのiPhone 8羹けとみられる糠房アプリケ〖ションプロセッサA11の瀾隴で、TSMCにさらわれた。にもかかわらず納裁抨獲に僻み磊るのは、Qualcommの糠房Snapdragon 835を減廟できたからだ。これまでSnapdragonはTSMCのプロセスで侯られてきたが、10nmプロセスを蝗うため、10nmではSamsungが辦殊リ〖ドしていたことでSnapdragonを減廟できた。
しかも、Snapdragonの積つ勵哼見妥は海稿弓がっていくとみられている。スマ〖トフォンだけではなく、Windows 10のモバイルパソコンにも烹很されることが呵奪瘋まったためだ。Snapdragon 835はARMv8-Aのア〖キテクチャを蝗っており、これまでの∵86ア〖キテクチャではないパソコンが底しぶりに輝眷に叫てくるようになる。Intelの茬倦であったモバイルパソコン撾拌を束す呈攻だ。
TSMCはA11プロセッサを翁緩する懼に、NvidiaのGPU∈グラフィックスプロセッサ∷も翁緩している。海稿のAI羹けのGPUは畝事誤なマッシブコアを事べており、Nvidia の賂哼炊はTSMCにとって動い蹋數となっている。また、Samsungがファウンドリ禍度を動步するときにTSMCからエンジニアを絡翁に氓われたという蕊巢莢罷急も、尉家の頂凌ˇ灤惟に秋賈をかけているとみられる。
泣沸によると、Samsungは2018鉗漣染にEUVリソグラフィを蝗った7nm墑の翁緩を倡幌し、TSMCも2018鉗漣染から7nm墑を翁緩し、EUVリソグラフィは外19鉗から瞥掐する徒年だとしている。呵介から7nmでのEUVはリスクが燃うため、TSMCの數が緬悸なロ〖ドマップである。しかし、翁緩殊偽まりを澄瘦できる數が盡ちなので、どちらが庭れているとはまだ咐えない檬超だ。
9泣の泣沸緩度糠使は、Samsungが面柜の讕奧供眷に3D-NANDを欄緩するため、2019鉗までの3鉗粗で檬超弄に1名邊を抨獲すると鼠じた。NANDフラッシュの欄緩墻蝸を奉緩22它綏に懼げるとしている。このSamsungの抨獲は澎記に汗をつけるためと斧られており、澎記が柒嬸禍攫でもたつく粗に絡抨獲を乖い、暗泡弄な汗を弓げようとみることはごく極臉である。すでにSamsungは澎記に灤して汗を弓げている。2家の輝眷シェアは、2016鉗媽3煌染袋に16.8%ポイントの汗であったが、票鉗媽4煌染袋には18.8%ポイントの汗に弓がっている∈徊雇獲瘟1∷。
Samsungの茍廓はスマホにまで第んでおり、泣塑羹けのGalaxy Feelを6奉面杰に抨掐する、と7泣の泣沸が帕えた。そのデビュ〖漣に、澎疊鉸毛-付繳粗にある≈ギャラクシ〖スタジオ∽でヘッドマウントディスプレイを劉緬しVR∈簿鱗附悸∷を寵脫したアトラクションを痰瘟で攣賦できる。これまでSamsungのスマホは泣塑笆嘲では暗泡弄な賂哼炊を績すが、泣塑では懼疤5疤にも掐らない。糠房Galaxyで泣塑輝眷に茍廓をかける。
駱涎のOSAT∈稿供鎳とテストの懶砷度莢∷トップのASEと媽3疤のSPILとの圭駛に簇して面柜睛壇臼が迫貍敦賄恕に答づく砍漢怠簇を變墓したことが冉湯したと8泣の泣沸が鼠じた。傅」SPILはASEからの傾箭捏捌に瓤券して、面柜獲塑を瞥掐しようとした沸稗がある。駱涎の癱肩渴殊呸の桉毖矢蠟涪が欄まれたことで、面柜がSPIL傾箭を們前した。海攙の良彌は、この罷撿手しではないかとの斧數は動い。
徊雇獲瘟
1. NANDフラッシュ、Samsungが汗を弓げ、Micronが納いかける (2017/03/08)
