9日の日経が伝えたのは、7nmプロセスを巡るSamsungとTSMCの争い。Samsungは�櫂謄�サス�Ε�ースチンにファウンドリ工場を�eっているが、ここに昨�Q秋から10億ドルを�{加投�@してきた。SamsungはAppleのiPhone 8向けとみられる新型アプリケーションプロセッサA11の���]で、TSMCにさらわれた。にもかかわらず�{加投�@に踏み切るのは、Qualcommの新型Snapdragon 835を�p�Rできたからだ。これまでSnapdragonはTSMCのプロセスで作られてきたが、10nmプロセスを使うため、10nmではSamsungが�k歩リードしていたことでSnapdragonを�p�Rできた。

しかも、Snapdragonの�eつ�邵瀲�要は今後広がっていくとみられている。スマートフォンだけではなく、Windows 10のモバイルパソコンにも搭載されることが最�Z��まったためだ。Snapdragon 835はARMv8-Aのアーキテクチャを使っており、これまでの×86アーキテクチャではないパソコンが久しぶりに�x場に出てくるようになる。Intelの牙城であったモバイルパソコン�覦茲鯤�す格好だ。

TSMCはA11プロセッサを量��する�屬�、NvidiaのGPU（グラフィックスプロセッサ）も量��している。今後のAI向けのGPUは��並�`なマッシブコアを並べており、Nvidia の�T在感はTSMCにとって�咾ぬ��気箸覆辰討い�。また、Samsungがファウンドリ��業を�啣修垢襪箸�にTSMCからエンジニアを�j量に奪われたという被害�v�T識も、両社の��争・�肝�に拍�Zをかけているとみられる。

日経によると、Samsungは2018�Q�i半にEUVリソグラフィを使った7nm��の量��を開始し、TSMCも2018�Q�i半から7nm��を量��し、EUVリソグラフィは翌19�Qから導入する予定だとしている。最初から7nmでのEUVはリスクが伴うため、TSMCの�気���実なロードマップである。しかし、量�牸�里泙蠅魍諒櫃任�る�気��Mちなので、どちらが優れているとはまだ言えない段階だ。

9日の日経�噞新聞は、Samsungが中国の���W工場に3D-NANDを�攵�するため、2019�Qまでの3�Q間で段階的に1兆��を投�@すると報じた。NANDフラッシュの�攵��ξ�を月��22万��に�屬欧襪箸靴討い襦�このSamsungの投�@は東��に差をつけるためと見られており、東��が内�雉�情でもたつく間に�j投�@を行い、圧倒的な差を広げようとみることはごく�O��である。すでにSamsungは東��に�瓦靴萄垢鮃�げている。2社の�x場シェアは、2016�Q��3四半期に16.8%ポイントの差であったが、同�Q��4四半期には18.8%ポイントの差に広がっている（参考�@料1）。

Samsungの��勢はスマホにまで及んでおり、日本向けのGalaxy Feelを6月中旬に投入する、と7日の日経が伝えた。そのデビュー�iに、東�B�q谷-原�U間にある「ギャラクシースタジオ」でヘッドマウントディスプレイを�⊂�しVR（仮�[現実）を����したアトラクションを無料で���xできる。これまでSamsungのスマホは日本以外では圧倒的な�T在感を��すが、日本では�岼�5位にも入らない��新型Galaxyで日本�x場に��勢をかける。

��湾のOSAT（後工��とテストの�佗藏版v）トップのASEと��3位のSPILとの合��に関して中国商��省が独��禁�V法に基づく審�h機関を��長したことが判��したと8日の日経が報じた。元々SPILはASEからの�A収提案に反発して、中国�@本を導入しようとした経緯がある。��湾の�c主進歩党の蔡英文��権が�擇泙譴燭海箸�、中国がSPIL�A収を��念した。今�vの措��は、この�T�貶屬靴任呂覆い�との見�気��咾ぁ�

参考�@料
1. NANDフラッシュ、Samsungが差を広げ、Micronが�{いかける (2017/03/08)