Samsung、64霖3D-NANDの翁緩倡幌
Samsung Electronicsが64霖の256Gビット3D-NANDフラッシュメモリの翁緩を倡幌したと券山した。これまでキ〖カスタマ羹けに64霖の256Gビット3D-NANDフラッシュチップを1奉から欄緩していたが、このほどモバイルやストレ〖ジ劉彌など辦忍輝眷羹けに翁緩を倡幌した。
哭1 Samsungの64霖3D-NAND瀾墑 叫諾¨繼靠捏丁Business Wire
このセルは3ビット/セル數及で、メモリチャンネルの逢の眶は256G改の1/3ですむ。排富排暗は、48霖の箕の3.3Vより布げ、2.5Vとした。この馮蔡、エネルギ〖跟唯は30%羹懼したとしている。また、你排暗步したことでセルの慨完拉も48霖の256Gビット墑よりも20%羹懼したという。
64霖の3D-NANDフラッシュのデ〖タ啪流廬刨は1Gbpsと廬い。ペ〖ジ帽疤のプログラム箕粗は500µs、と10nm駱のプレ〖ナNANDの諾房弄なスピ〖ドよりも4擒廬く、しかも票家の驕丸の48霖の3ビット/セルの256Gビット墑と孺べても、1.5擒廬い。
驕丸の48霖から64霖に霖眶を籠やすことで、瀾隴プロセスは豈しくなり、潑にMNOS菇隴∈チャ〖ジトラップ數及∷の稱チャンネルの逢を堆辦にし、しかも稱メモリセルの冷憋攣を泅く堆辦に侯ることが豈しい。Samsungはこの啼瑪を詭繩したとだけ揭べている。
Samsungは64霖3D-NANDの翁緩を締いだ秦肥には澎記家柒のゴタゴタがある。Samsungはストレ〖ジメモリ輝眷で、頂圭とのリ〖ドを蓋めるため、64霖の翁緩を締いだとみられ、鉗瑣までにNANDフラッシュの欄緩翁の50%笆懼をこの媽4坤洛の64霖V-NAND∈Samsungは3D-NANDをV-NANDと鈣んでいる∷に積っていきたいとしている。
5奉29泣にはSamsungは面柜の3D-NANDフラッシュ供眷への抨獲を斧流ったと券山した。碰介、票家は面柜の3D-NAND供眷にも89帛1000它ドル∈腆1名邊煎∷を抨獲すると山湯していた。これも面柜廓の叼絡な抨獲による納い懼げを焚顫しているためであろう。面柜の染瞥攣緩度は、ファウンドリよりもDRAMとNANDフラッシュに故り哈んで蝸を掐れるように染瞥攣里維を恃構してきている。面柜ではDRAM供眷に叼絡抨獲をすでにしているが、NANDフラッシュ供眷にも票屯の緘を蝗うことは箕粗の啼瑪だ。
Samsungとしては碰燙のライバルである澎記を2016鉗媽4煌染袋に汗を弓げた。媽3煌染袋では澎記との汗は、輝眷シェアで16.8%ポイントだったが、媽4煌染袋には18.8%ポイントへと弓げた。海攙の64霖の翁緩步によって、この汗をさらに弓げようとしている。票箕に3D-NAND禱窖では、布疤礁媚にいたMicronがSamsungの肌にのし懼がり、SamsungとしてはMicron/Intel寥からも汗を弓げたい。Samsungは、面柜抨獲よりも64霖の翁緩惟ち懼げを締ぎ、躥柜柜柒への抨獲に蝸を廟いでいくことになろう。澎記は、メモリ柴家の卿笛でもたもたしているヒマはないはずだが。
