ams OSRAM、光照oとセンサでこれからのO動Zやロボットをスマートに

LED照など積極的に照分野にRしてきたOSRAMと、センサやその周辺ICをuTとしてきたams(旧Austria Micro Systems)は2020Q7月に合したが、その後の動について日本ではほとんど瑤蕕譴覆った。ams OSRAMの CEO兼D締役会会長であるAldo Kamper(図1)がこのほど来日し、今後の戦Sについて語った。狙う分野は、O動Z、噞、医、モバイル、である。 [→きを読む]
LED照など積極的に照分野にRしてきたOSRAMと、センサやその周辺ICをuTとしてきたams(旧Austria Micro Systems)は2020Q7月に合したが、その後の動について日本ではほとんど瑤蕕譴覆った。ams OSRAMの CEO兼D締役会会長であるAldo Kamper(図1)がこのほど来日し、今後の戦Sについて語った。狙う分野は、O動Z、噞、医、モバイル、である。 [→きを読む]
高性ΔCPUとAI専のNPU(ニューラルプロセッシングユニット)を集積したIP(的財)コアをArmが開発した。高性Ε咼妊伝送をはじめとする高]IoT(Internet of Things)に官するIPコアである。高性Δ紛\術であるArmv9をエッジAIのプラットフォームとして使うが早くも擇泙譴燭燭瓩法△海里茲Δ聞眄IoT向けのIPを開発した。的にはどのようなだろうか。 [→きを読む]
先週はニュースが立て込んだ。NvidiaのQ報告(参考@料1)をはじめ、AppleがテキサスΔ某傾場を設立するというニュースや、Amazonが收AIを導入した音mアシスタント「アレクサ・プラス」などがあった。さらにWestern DigitalがNANDフラッシュ靆腓任△SanDiskをスピンオフさせ、ナスダック証wD引所に崗譴気擦拭 [→きを読む]
Micron Technologyが1γnmノードのDDR5DRAMをサンプル出荷した。1γnmというサイズは10nmクラスのようで、EUVの導入が須になる。Micronの微細な\術によって、スピードは現世代の1βnmノードのDRAMと比べ、8Gbpsから9.2Gbpsと高]になり、消J電は20%削され、集積度は30%屬欧襪海箸できる(図1)。 [→きを読む]
Nvidiaの4四半期(4Q)におけるQがらかになった。売幢YはiQ同月比(YoY)78%\、i四半期比(QoQ)で12%\の393億ドル、営業W(w┌ng)益はNon-GAAPで255億ドル、GAAP(盜餡饉基)でも240億ドルとなった。W(w┌ng)益率にしてNon-GAAPの255億ドルは64.9%にも達している。同社は7カ月連、垉邵嚢發魑{してきたと言える。さらに次の四半期も4Q25の数Cをえると予[している。 [→きを読む]
歟肬易Coによって、O国内でモノづくりをせざるをuなくなってきた中国は、その攵をけてきた。k(sh┫)で、Appleがサーバー工場をテキサスΔ忘遒襪海箸鯣表、日本はO国内に発電所にpった形でAIデータセンターを作るという構[を発表した。中国のはどの度なのか、おぼろげながらその気少しずつ見えてきた。 [→きを読む]
OSAT (Outsourced Semiconductor Assembly and Test:後工専門の佗薀咼献優) で世cトップの湾ASE(Advanced Semiconductor Engineering:日月光投蓮砲マレーシアのペナンにある工場敷地内で5工場を立ち屬欧襪犯表した。現在の3.4倍となる340万平(sh┫)フィートの工場になる。なぜいま拡張するのか。 [→きを読む]
2024Qにおけるシリコン半導ウェーハの出荷C積がiQ比2.7%の122億6600万平(sh┫)インチだったとSEMIが発表した。そのQのウェーハ売幢Yは同6.5%の115億ドルだった。出荷C積の少よりも出荷売幢Yの少の(sh┫)がjきいということは、在U調Dがゆっくりで、ファブのn働率を屬欧襪茲Δ塀j量攵`のデバイス要が弱かったことをT味する。 [→きを読む]
先週、キオクシアとソニー、中国SMICから2024Q4四半期(10〜12月期;4Q)のQ発表があった。キオクシアがv復、ソニー半導は昨Q並み、SMICは30%成長えというT果だった。湾の月次が発表され、TSMCは相変わらず成長だ。小さな記でTSMCのD締役会が盜颪燃されるというニュースがあった。 [→きを読む]
STMicroelectronicsは、ゾーンアーキテクチャに向いたMCU(マイコン)「Stellar」のシリーズをらかにした。先行して販売していたStellar Eシリーズに瓦靴董Armマルチコアによる仮[化\術を採り入れている。その高集積化のためNORフラッシュメモリに代わりPCM(相変化メモリ)をい28nm、18nmへと微細化で官する。 [→きを読む]
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