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セミコンポータルによる分析

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STMicro、推b専NPU集積のマイコンを量凮始

STMicro、推b専NPU集積のマイコンを量凮始

STMicroelectronicsは、ニューラルプロセッサを集積したマイコンを化した。AI性600 GOPS(Giga Operations per Second)、その電効率は3 TOPS/Wとなっており、AI性δ_とはいえISP(画欺萢プロセッサ)やコーデックなども集積したSoCライクなマイコンとなっている。ここまで高性Δ焚気(j┫)としたAIプロセッサをマイコンに組み込んだのはなぜか。 [→きを読む]

セミコンがらみのニュースが相次ぎ、盜颪任魯櫂好Nvidiaでj(lu┛)@ぎ

セミコンがらみのニュースが相次ぎ、盜颪任魯櫂好Nvidiaでj(lu┛)@ぎ

先週は、セミコン・ジャパン(SEMICON Japan)が東Bビッグサイトで開かれ(図1)、新聞QLもセミコン関係のニュースが相次いだ。14日の日本経済新聞はTSMCのy本工場は12月中に量凮始とし、キオクシアが新型メモリへのT欲を見せた。スタートアップEdgeCortixのAIチップ、13日にはラピダスの東会長の(sh┫)針や中国の要動向などもセミコンからのニュースであった。盜颪任Nvidiaの次に期待されるBroadcomがBとなった。 [→きを読む]

世c半導]x場は26Qに20兆模に

世c半導]x場は26Qに20兆模に

世cの半導]x場は、2025Qというよりも26Qにj(lu┛)きく成長しそうだ。SEMIは、SEMICON Japan開に合わせて最新の]x場予Rを発表した。これによると、2024QはiQ比6.5%\の1128億ドル、25Qはさらに7.7%\の1215億ドル、26Qはさらに14.8%\の1394億ドル(20兆咫砲棒長すると予Rしている。 [→きを読む]

新半導工場の周囲に建設される]やサービス工場、相次ぐ

新半導工場の周囲に建設される]やサービス工場、相次ぐ

半導工場の周りに]や流通拠点などの新工場が々建設投@に{いている。TSMCのy本工場、ラピダスのh歳工場の周囲工場だけではなく、湾の南、南xのTSMC工場Zくにも東Bエレクトロンの新工場ができた。南工業団地の攵Yが陲凌腑汽ぅ┘鵐好僉璽での攵Yを初めてえたという。Intelは2024Q3四半期の業績K化によりP(gu─n)at Gelsinger CEOが任した。 [→きを読む]

TI、NPU搭載マイコン、リアルタイムU御マイコンなど啣

TI、NPU搭載マイコン、リアルタイムU御マイコンなど啣

Texas Instruments(TI)は、AI処理を行うNPU(ニューラルプロセシングユニット)を集積したマイコン(マイクロコントローラ)と、DSPコアを2個搭載したマイコンを開発、pR動に入った。ivのTMS320F28P55xシリーズと後vのF29H85xシリーズは、共にリアルタイムU御可Δ淵泪ぅ灰鵑任△。噞ロボットやソーラーパネルの故障検出などを[定している。 [→きを読む]

世cの半導x場は2025Qに初の100兆のj(lu┛)に、WSTS予R

世cの半導x場は2025Qに初の100兆のj(lu┛)に、WSTS予R

2024Qの世c半導x場は、iQ比19%\の6268.7億ドル(約94兆)になりそうだという見通しをWSTS(世c半導x場統)が発表した。これは11月19〜21日間に渡り盜颯リフォルニアΕ汽鵐妊エゴxで予R会議が開され、加盟Q社で議bして予Rを立てたもの。WSTS加盟半導企業は49社。2025Qはさらに11.2%成長し6971.8億ドルになると予[している。 [→きを読む]

OSAT2位のAmkorが1位のASEにき日本に研|開発拠点を設

OSAT2位のAmkorが1位のASEにき日本に研|開発拠点を設

OSAT(半導後工の]佗藏版v)世c2位のAmkor Technologyが福Kxに研|開発拠点を設けると発表した。AI向けチップの実△棒菽璽僖奪院璽犬使われており、先端パッケージを巡る動きはしい。Applied Materialsはシンガポールで先端パッケージの研|開発を啣修垢。先端パッケージングからパワー半導もカバーできるモールドをアピックヤマダが開発した。 [→きを読む]

onsemi、1〜90V動作可Δ淵▲淵蹈亜Ε潺ストシグナルIC「Treo」の戦S

onsemi、1〜90V動作可Δ淵▲淵蹈亜Ε潺ストシグナルIC「Treo」の戦S

インテリジェントパワーと、インテリジェントセンサをY榜するonsemiは、それらの中間に位するアナログプラットフォームをk新、センサからパワーまでのシグナルチェーンを完成させた。O動運転Zやロボット、ドローンなどO的に動作するシステムではセンサからアクチュエータまで動かせる。来日した同社CEOのHassane El-Khouryがその戦Sを語った。 [→きを読む]

NANDフラッシュ・ラッシュ;SK hynix が321層、Micronは 60TBの小型SSD

NANDフラッシュ・ラッシュ;SK hynix が321層、Micronは 60TBの小型SSD

f国SK hynixがこれまで最高層数となる321層のNANDフラッシュの攵を2025Qi半に開始すると発表、Micron Technologyは来の20%消J電の低い60TB(テラバイト)のSSD(半導ディスク)を開発、顧客向けの認証プロセスを開始した。共にTLC(3ビット/セル)(sh┫)式のNANDフラッシュで、今後のx場v復に向けて新を出してきた。 [→きを読む]

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