GaNの歩�里泙�90%や、耐圧1200Vの�e型構�]など新GaNパワーFET
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GaNの歩�里泙蠅�90%に�屬欧蕕譴覯���性のある設���}法、GaNの耐圧を1200Vまで�屬欧討皀�ン�B�^が1.8mΩcm2とSiC並みに�ZづけることのできるMOSFETなどが試作され、GaNデバイスの常識が変わりつつある。�h��県幕張メッセで開��されたテクノフロンティア2015では、新しいパワー半導��GaNに�jきな進歩がみられた。 [→��きを読む]
材料・薬��・�雕�
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ウェーハ出荷�C積は半導��売�屬寮莵垰愃Y
2015�Q��1四半期(1〜3月)に出荷されたシリコンウェーハの�C積は�垉邵嚢發�26億3700万平�汽ぅ鵐舛砲覆辰拭�これはSEMIが発表したもので、�i四半期（2014�Q10〜12月）に比べて3.4%�\加した。 [→��きを読む]
曲�Cフレキシブル�\術が相次ぎ、�L外とのコラボも�rんに
先週、プリンテッドエレクトロニクス�t/ファインテックジャパン/フォトニクスジャパンなどの材料関係の総合�t��会があったせいか、フレキシブルパネルの発表が相次いだ。Samsung��の曲�Cの�~機ELを使ったスマートフォンや、��版印刷の曲�Cタッチパネルなどが発表された。�L外企業との共同開発の発表も相次いだ。 [→��きを読む]
2014�Qのシリコンウェーハ�C積は�垉邵嚢�
2014�Qのシリコンウェーハの出荷�C積が�i�Q比11%�\の100億9800万平�汽ぅ鵐舛砲覆辰拭�2013�Qは90億6700万平�汽ぅ鵐舛世辰拭�これはSEMIが発表したものだが、14�Qの出荷�C積は�垉邵嚢發涼佑任△�(図1)。 [→��きを読む]
半導��、絶縁��、蛍光の��つのナノ材料で�~機エレクトロニクスを容易に
英国Manchester�j学をスピンオフして設立したChromition（クロミションと発音）がナノパーティクルのポリマー材料で�~機エレクトロニクスビジネスを始めた。3�Q�iに設立させたが、�@金がなく��動できなかった。このほど�k般�x場から�@金を調達、パーティクルのサンプルを試作、このほどナノテク�tで日本のパートナー探しにやってきた。 [→��きを読む]
シリコンウェーハ�C積、2014�Qは�垉邵嚢發砲覆蠅修�
SEMIは2014�Qから2016�Qにかけてのシリコンウェーハの出荷量予�Rを発表した。これによると、2014�Qのシリコンウェーハ�C積は�i�Q比7%�\の94億1000万平�汽ぅ鵐舛砲覆觚�込みである。 [→��きを読む]
シリコンウェーハ�C積の拡�jに勢い
2014�Q��2四半期におけるシリコンウェーハの出荷�C積は、�i期から9.5%�\加し、25億8700平�汽ぅ鵐舛砲覆辰燭函�SEMIは発表した。これは�i�Q同期比でも8.2%�\である。3ヵ月�iの記��で、�S�]ちながら緩やかに成長していることを分析した(参考�@料1)が、その��向を裏��ける�T果になった。 [→��きを読む]
Element Six社、GaN on Diamondウェーハで�X�B�^を4割削��
電気的には絶縁��ながら�X伝導率がCuの5倍と高いダイヤモンドウェーハを、英国のElement Six Technologies社が開発しているが、このほど直径4インチのGaN-on-Diamondウェーハを開発、発�Xの�jきな高周�Sパワーデバイスに向くことを実証した。このウェーハは今��に販売するという。 [→��きを読む]
ノリタケ、�X膨張率を下げたCuペーストをNEDOプロジェクトで開発
ノリタケカンパニーリミテドは、NEDOの�мqを�pけた「低炭素社会を実現する新材料パワー半導��プロジェクト」において、ファインセラミックス�\術研�|組合の�k�^として、�a度サイクル試�xに�咾�Cuペーストを開発した。-40〜+250℃を1000�vクリアしている。 [→��きを読む]
Rambus、解�掬戮歪磴い�レンズなしの��小型カメラ�\術を提供
テクノロジー開発会社のRambusが、1mm角以下の��小型カメラ�\術を開発した。レンズを��く使わないため解�掬戮魯ぅ泪ぅ舛世�、�H数並べて使うような応��に向く。IoTやセンサネットワークなどを狙ったセンサといえよう。 [→��きを読む]
