シリコンウェーハ出荷�C積、2024�Q��1四半期が�fか
シリコンウェーハの出荷�C積の��少がまだ�Vまらない。SEMIのSMG（Silicon Manufacturers Group）が発表した 2024�Q��1四半期におけるシリコンウェーハの出荷�C積は、�i�Q同期比13.2%��、�i四半期比でも5.4%��の28億3400万平�汽ぅ鵐舛殆�少した。ただし、これが�fかもしれない。 [→��きを読む]
材料・薬��・�雕�
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低コストのGe-on-Si半導��基���\術を東洋アルミが開発、GaAs半導��を�W価に
Si基���屬�Ge層を�]時間で�W価に作��する�桔，鯏賤離▲襯潺縫Ε爐�開発した。Ge層の厚さを�O�yに変えられるだけではなく、ストイキオメトリ（化学組成）も�U御できる。今のところ高価なGaAs�U半導��向けの基��としての�Oを提案している。�W価な�陵枦澱咾�Siフォトニクス、スピントロニクスなどの基��材料への応��を狙っている。 [→��きを読む]
2023�Qのシリコンウェーハ出荷�C積は�i�Q比14%��で�k�K�X��
2023�Qのシリコンウェーハの出荷�C積は、�i�Q比14.3%��の126億200万平�汽ぅ鵐舛世辰燭�SEMIのSMG（Silicon Manufacturers Group）が発表した（参考�@料1）。ウェーハ売り�屬欧蓮�10.9%��の123億ドルになった。2019�Qから3�Q連��ウェーハ�C積は拡�jしてきたが、2023�Qになって落ち込みを迎えた。 [→��きを読む]
ファウンドリが次々とシミュレーションベンダーと組む理�y
これまで半導���噞とは縁が薄かった、3D-CADとシミュレーションのベンダーが積極的に半導���噞にやってきている。2.5D/3D-ICやチップレット実�△覆匹膿�値���Qシミュレーションが設��時に�Lかせなくなってきたからだ。シミュレーションベンダーのAnsysがTSMCやGlobalFoundries、Samsungファウンドリ�靆隋�Intelファウンドリ�靆隋�UMCなどと次々と提携を発表している。 [→��きを読む]
Siウェーハの出荷�C積はQoQ、YoY共、マイナス、�v復はゆっくり
2023�Q��3四半期（7月〜9月）における半導��シリコンウェーハの出荷�C積は、�i四半期比（QoQ）9.6%��、�i�Q同期比（YoY）19.5%��の30億1000万平�汽ぅ鵐舛箸覆辰拭�2Qには少し�v復��向がみられたが再び�jきく落ちることになった。これはSEMIのSMG（シリコン���]グループ）が発表したもの。SMGは出荷されるウェーハを調�hしている。 [→��きを読む]
シリコンウェーハの出荷�Y、23�Qは7%��だが24�Qは8%�\へ
2023�Qのシリコンウェーハの販売�Yは、半導��不況の影�xを�pけ、�i�Q比7%��という数�Cが見込まれているが、2024�Qには�v復し�i�Q比8%成長で戻ってくると期待されている。これは、半導��材料専門の�x場調�h会社であるTechcet社が最新のレポートで予�[したもの。 [→��きを読む]
レゾナックが�Oらコンソーシアムを組�E化する理�yとは
旧昭和電工と旧日立化成工業が合��し、半導��に��を入れる化学材料メーカー、レゾナックは、これまでの合���Sとは��く異なる成長戦�Sを掲げている。それは仲間と�}を組もうというエコシステム「Joint2」を構成している点だ。その中心にいてまとめ役としてレゾナックがある。同じような化学材料メーカーとのコラボは、�\術情報が��れるのではないかと心配する向きはある。それでもレゾナックは発�tするだろう。なぜか。 [→��きを読む]
シリコンの出荷�C積、2四半期連��でマイナスに
2023�Q��1四半期（1Q）におけるシリコンウェーハの出荷�C積が�i四半期比9.0%��の32億6500万平�汽ぅ鵐舛砲覆辰燭�SEMIが発表した。�i�Q同期比では11.3%��となる。これはSEMIのSMG（Silicon Manufacturers Group）が発表したもの。SMGは、シリコン�T晶ウェーハの���]�vたちの集まり。 [→��きを読む]
半導��パッケージ材料�x場は2024�Qに5%成長へ、23�Qはほぼ横ばい
半導��パッケージ材料�x場は2022�Qの261億ドルが2027�Qには300億ドルに成長する。2023�Qにはパッケージ材料は�i�Q比0.6%��で少し���]するが、これは半導�������x場の原�Г砲茲襪發痢Ｈ焼����x場は2023�Q後半から�v復し始め2024�Qは再び同5%��度のプラス成長に転じると予�[されている。 [→��きを読む]
配線金�鑠譴鬚匹里茲Δ粉韶�にも��けられるi-SB�\術を岩�}�jが��業化へ
プリント基��だけではなく、テフロンなどの基��にも密��性の良い配線を形成できる�\術を岩�}�j学が開発、高周�S��性の優れた�v路を容易に形成できるようになる。岩�}�jのi-SBと�}ばれる�\術は、分子接合材を��いる異�|材料接合�\術である。�噞�cもすでに���`し始め、実��化に向けたエコシステムの構築中だ。この�\術を普及させるためのプラットフォームを今秋には構築する��画で進めている。 [→��きを読む]
