EUV時代が見えてきたか、IntelがASMLと歩調を合わせ10nmに照��
EUV（Extreme Ultra Violet）リソグラフィ�\術の現�Xが��らかになった。Intelは2013�Qに14nmのトライゲートFETプロセスを導入するが、次の10nmノードでは193iとEUVのミックスになるだろうと予�Rする。これはEIDEC Symposium 2013で��らかにしたもの。 [→��きを読む]
材料・薬��・�雕�
» キーワード » 設��＆���] » 材料・薬��・�雕�
アベノミクスの成長戦�S、半導���噞の�發�味��(sh┫)か
アベノミクス��3本�`の矢に相当する、成長戦�Sの��要が�W倍��相から発表された。2012�Q度の�Q間63兆��の設��投�@�Yに�瓦靴�、今後3�Qの間に70兆��を�`指すことが含まれた。他に、今週、「人とくるまのテクノロジー�t」が開かれることでカーエレ�\術の半導��の発表が富士通、東��からあった。半導��材料メーカーも相次いで成長戦�Sを発表した。 [→��きを読む]
Agナノワイヤーの透��導電膜がなぜ商��化できたか、CEOが語る
銀（Ag）ナノワイヤーを�W(w┌ng)��する新しい透��導電性材料のメーカーである、カンブリオス社CEOのJohn LeMoncheck��（図1）がその�\術について語った。印刷�\術を�W(w┌ng)��して電極を形成するため、��来のITO（インジウムすず�┣��顱砲茲蠅皀灰好箸魏爾欧蕕譴覯���性が高く、�j(lu┛)�C積のフラットパネルディスプレイや照��に向く。ファインテックジャパンで発表した。 [→��きを読む]
半導��材料は2012�Qに初めて後工��材料が�i工��を��?j┼n)vった
2012�Qにおける半導��材料の出荷�Yは、�i�Q比2%��(f┫)の471億1000万ドルであったとSEMIが発表した。地域別では、��湾が2%�\に�瓦靴董�日本の7%��(f┫)となり、日本の��(f┫)少が�j(lu┛)きく�xいた。ただし、日本の材料出荷�Yは��湾に次ぎ依��として��2位である。 [→��きを読む]
