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パワー・パワーマネジメント

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STMicroelectronics、SiPパッケージを~使、パワーICソリューションにR

STMicroelectronics、SiPパッケージを~使、パワーICソリューションにR

STMicroelectronicsがパワー半導のシグナルチェーンにおいて、SiP(システムインパッケージ)}法をいて、モータドライブの半導開発にかしている。パワー半導がシリコンのMOSFETからGaN HEMTやSiC MOSFETなどに変わっても、このシステムは変わらない。SiPは、小型、インテリジェント、高性Α低コストなどメリットはHい。 [→きを読む]

AIデータセンター電源を高効率へ;Infineon、ルネサス、STMicro

AIデータセンター電源を高効率へ;Infineon、ルネサス、STMicro

パワー半導の新しいx場としてAIデータセンターの電源にR`が集まっている。Infineon Technologies、ルネサスエレクトロニクス、ST MicroelectronicsなどがAIデータセンターの電源を根本的に見直し始めた。AIデータセンターはj量の電を消Jすることから電源システムを見直そうというlだ。少しでも無Gな消J電をらす。 [→きを読む]

TI、データセンターに向け最j6kWまで並`接できる電子フューズIC

TI、データセンターに向け最j6kWまで並`接できる電子フューズIC

Texas Instrumentsは、並`接により最j6kWまでの電を扱うことのできる電子フューズ(eFuse)IC、「TPS1685」を開発した。これによりますます電を消Jするデータセンターの電源を確保できるようになる。k般のeFuseをただ単に並`にしても、MOSFETのオンB^や配線パターンのB^やコンパレータのしきい電圧のバラつきなどによって、弱い霾に電流集中がこりやすくなる。しかしこれを防いだ。 [→きを読む]

AI要にきパワー半導も動き出す、半導設にも経愱がмq

AI要にきパワー半導も動き出す、半導設にも経愱がмq

2025QもAIデータセンター要が発になることをHくのアナリストが指~しているように、TSMCが史嶌嚢發900億ドル(13.5兆)を売り屬欧燭里鬚呂犬瘻湾のAI向けビジネスは好調だ。長期的にEV要に応えるため、Infineonがタイに後工場を設立、ルネサスは新型パワーMOSFETを発売し、SCREENはパワー半導要の200mm]の新工場を設立する。 [→きを読む]

アドバンテスト、SiC/GaN向け高電圧パワー半導テスターを開発

アドバンテスト、SiC/GaN向け高電圧パワー半導テスターを開発

アドバンテストは、ダイシングフィルム屬妊僖錙屡焼をテストできるシステムを開発した。数V、数Aという高電圧・j電流を扱うパワー半導では、W性をしっかり確保することが何よりも最優先。このため、テスターの経xlかなイタリアCREA(Collaudi Elettronici Automatizzati S.r.l.)社を2022Q8月にA収、SiCやGaNなどのワイドギャップ・パワー半導のテスターに進出した。 [→きを読む]

onsemi、1〜90V動作可Δ淵▲淵蹈亜Ε潺ストシグナルIC「Treo」の戦S

onsemi、1〜90V動作可Δ淵▲淵蹈亜Ε潺ストシグナルIC「Treo」の戦S

インテリジェントパワーと、インテリジェントセンサをY榜するonsemiは、それらの中間に位するアナログプラットフォームをk新、センサからパワーまでのシグナルチェーンを完成させた。O動運転Zやロボット、ドローンなどO的に動作するシステムではセンサからアクチュエータまで動かせる。来日した同社CEOのHassane El-Khouryがその戦Sを語った。 [→きを読む]

TIが会塙場でGaNを攵凮始、Infineonは厚さ20µmの300mmウェーハ\術

TIが会塙場でGaNを攵凮始、Infineonは厚さ20µmの300mmウェーハ\術

パワー半導\術が発になっている。Texas Instrumentsは、テキサスΕ瀬薀更場に加え、日本の会塙場でもGaNパワー半導の工場をn働させたことを発表した。ダラスのGaN1工場だけでなく会箸2工場がフル攵するようになると攵ξは4倍になるという。またInfineon Technologiesは厚さがわずか20µmのSi 300mmウェーハを使える攵を構築した。 [→きを読む]

TI、DLPディスプレイのコントローラなどチップセットを刷新

TI、DLPディスプレイのコントローラなどチップセットを刷新

Texas Instrumentsは、DLP(Digital Lighting Processing)ディスプレイのコントローラ(図1)とDMD(Digital Micromirror Device)などのチップセットをk新させた。DMDはMEMS\術を使って、画素ごとに微小なアルミのミラーを操作して光を反oさせるプロジェクタに使う半導チップ。この度4KのUHD(Ultra-High Definition)ディスプレイ~動チップセットを発売した。 [→きを読む]

Infineon、300mmのGaNウェーハを開発、Siプロセスに期待

Infineon、300mmのGaNウェーハを開発、Siプロセスに期待

パワー半導j}のInfineon Technologiesが300mmのGaNウェーハを開発したと発表した。同社はSiCだけではなく、GaNデバイスも開発しているが、昨QカナダのGaN SystemsをA収したことで、GaN開発が加]した。GaNパワー半導は高]ゆえに高効率で、Si並みに低コスト、高耐圧という長をせeつ。 [→きを読む]

onsemiに見るサステナビリティ・脱カーボン戦S

onsemiに見るサステナビリティ・脱カーボン戦S

ESGや気t変動に瓦垢襯汽好謄淵咼螢謄は半導工場でも_要なテーマとなっている。パワー半導とセンサのonsemiは、2030Qまでに工場で使うエネルギーの50%を再擴Ε┘優襯ーに代えていく`Yをeち、脱カーボンにRし効率アップを`指している。このほど来日した同社シニアVPでCMO(Chief Marketing Officer)のFelicity Carsonにonsemiの脱カーボン戦Sを聞いた。 [→きを読む]

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