アドバンテスト、SiC/GaN羹け光排暗パワ〖染瞥攣テスタ〖を倡券
アドバンテストは、ダイシングフィルム懼でパワ〖染瞥攣をテストできるシステムを倡券した。眶紗V、眶澆Aという光排暗ˇ絡排萎を胺うパワ〖染瞥攣では、奧鏈拉をしっかり澄瘦することが部よりも呵庭黎。このため、テスタ〖劉彌の沸賦誰かなイタリアCREA∈Collaudi Elettronici Automatizzati S.r.l.∷家を2022鉗8奉に傾箭、SiCやGaNなどのワイドギャップˇパワ〖染瞥攣のテスタ〖に渴叫した。
哭1 SiC/GaN羹け瘦割攙烯烹很パワ〖染瞥攣テスタ〖 叫諾¨アドバンテスト
パワ〖染瞥攣はSiのIGBT∈冷憋ゲ〖ト房バイポ〖ラトランジスタ∷からSiCやGaNを蝗ったMOS/MIS FET∈ワイドギャップ染瞥攣トランジスタ∷への敗乖がいよいよ舍第袋に掐り、1200V や1600Vといった光排暗のパワ〖染瞥攣デバイスを撬蟬せずに盧年しなければならなくなってきた。これまでのような400V廢のEV∈排丹極瓢賈∷システムから800V廢のシステムへと敗乖するためだ。潑に締廬郊排に灤炳するためには光排暗に灤炳する澀妥がある。潑に郊排スタンドでは締廬郊排はEVの舍第に風かせない。毋えば800V廢笆懼なら10尸で塔郊排の80%まで郊排できるといわれている。
アドバンテストは、CREAのテスタ〖≈MTシリ〖ズ∽に、アドバンテストが評罷なダイˇプロ〖バの糠瀾墑≈HA1100∽を寥み圭わせた琵圭テストˇセルˇソリュ〖ション≈KGD Test Cell∽を倡券した。窗喇したウェ〖ハをダイシングしてフィルムなどの毀積フィルムに很せたまま、チップごとに眶紗Vを磅裁してDC潑拉やスイッチング潑拉などを盧年できる。
光排暗ˇ絡排萎を萎すパワ〖染瞥攣の盧年には錯副を燃うだけではなく、デバイスや盧年達を撬祿するリスクもある。毋えば疙って攙烯を沒晚させたときに佰撅な絡排萎が萎れ、染瞥攣デバイスを撬蟬し、さらにプロ〖ブや攙烯の辦嬸を締な券錢で拖かしてしまう恫れもある。そうなると盧年劉彌の肋灑を餞妄しなければならないためラインを賄めなければならなくなり、蒼漂唯が絡升に皖ちてしまう。
CREA家はPCI∈Probe Card Interface∷ Technologyと鈣ぶ潑釣艱評貉みの禱窖がある。これは盧年達柒嬸で佰撅排萎を浮叫するとデバイスを甲們して瘦割する禱窖だ。ダイシングした稿のダイの覺輪でテストできるだけではなく、ダイを剩眶改答饒に很せて答饒の活賦、さらにその答饒をモジュ〖ルに悸劉したモジュ〖ルの活賦も材墻になる。
アドバンテストによると、テスト劉彌と、DUT∈Device Under Test∷をテスト劉彌に嚷流するハンドラ〖とはこれまで侍菇喇になっており、パワ〖染瞥攣ではユ〖ザ〖が圭わせていたという。この糠瀾墑≈HA1100+MTシリ〖ズ∽では、テスト劉彌とハンドラ〖を辦攣步しているため蝗いやすい。裁えて、辦攣步してもダイごとに盧年できるため、圭呈したダイと、憚呈嘲れや稍紊墑のダイとの寒哼を松ぐことができるため。モジュ〖ル活賦での殊偽まり羹懼も袋略できる。
HA1100は2025鉗媽2煌染袋に坤腸弄に任卿する徒年となっている。
