Infineon、300mmのGaNウェーハを開発、Siプロセス����に期待
パワー半導���j(lu┛)�}のInfineon Technologiesが300mmのGaNウェーハを開発したと発表した。同社はSiCだけではなく、GaNデバイスも開発しているが、昨�QカナダのGaN Systemsを�A収したことで、GaN開発が加�]した。GaNパワー半導��は高�]ゆえに高効率で、Si並みに低コスト、高耐圧という��長を��せ�eつ。
図1 InfineonのCEO、Jochen Hanebeck��(hu━)が�}にする300mmのGaNウェーハ
Infineonは300mmウェーハを開発したとニュースリリースで述べているが、純粋にGaNだけのウェーハなのか、GaN on Siliconのウェーハなのかを��確に述べていない。ただ、GaNの�T晶ブール（シリコンでいうところのインゴット）の���]はそう�~単ではないため、おそらくGaN on Siウェーハであろう。というのは、300mmのGaNウェーハは長期的にはシリコンと同��度のコストになるだろう、と述べているからだ。純粋にGaNだけの�T晶ならSi並みのコストで収まることはありえないからだ。
Infineonはかつて、IR（International Rectifier）社を�A収したが、残念ながら�Hくのエンジニアが��社してNavitas Semiconductorを設立した。このため、IR出身のエンジニアが少なくなり、昨�QGaN Systtemsを�A収した。
GaN Systems社は、かつてIR社のエンジニアが開発したシリコンのパワーMOSトランジスタによく�瑤刃山儼舛離肇薀鵐献好織札襪鮟言僂靴燭茲Δ淵譽ぅ▲Ε箸魴eつGaNパワートランジスタを設��していた。性�Δ��C積、コストの�Cで優れていたが、�x場ではさほど�瑤蕕譴討い覆�った。ファブレス企業であった。
Infineonが�A収したことで、GaNパワー半導��のメリットが�擇�せると思われていた。今�v300mmウェーハでGaNを実現したことは、300mmのSi���]プロセスを使えるということでGaNデバイスの�攵奟率が高まるとInfineonは期待している。
ただし、GaNとシリコン�T晶とは基本的に�T晶格子定数が異なるため、両�vの格子定数を徐々に変化させるバッファ層をシリコンウェーハとGaN層との間に入れなければならない。それも300mmとなると少しずつ格子定数を変えていくとしても�j(lu┛)�C積ほど転位や�T晶�L(f┘ng)陥などが入りやすくなり、�L(f┘ng)陥が�\えていくという�Mしさがある。Infineonはこれについてはもちろん触れていない。300mmウェーハ�O��の�L(f┘ng)陥密度についても�o表していない。
