EVで走行しながら充電することが現実味を帯びてきた、ここにもSiC新�x場
EV（電気�O動�Z）を走行しながら充電するという�\術が現実味を帯びてきた。ロームやデンソー、ブリジストンなどの企業と�k緒に開発を進めていた東�B�j学の藤本�F志教�bのグループが小さな電池だけで菹罎鯀�行できることをシミュレーションで��し、柏の��キャンパスの周辺で実証実�xを開始することになった。2025�Q3月まで実�xを�M��する。 [→��きを読む]
カーエレクトロニクス
東��、TOB成立で�崗貲凅Vへ、新成長プランに向け���U�Dえる
経営の混乱が��いていた東��は、投�@ファンドの日本�噞パートナーズ（JIP）と国内連合20社��による東��へのTOB（株式�o開�Aい��け）が成立した、と発表した。東��は�Q内にも�崗貲凅Vとなる見通し。また、SiCやGaN材料を�W��したパワー半導��への投�@が�rんになってきた。けん引��はもちろん電気�O動�Z（EV）だが、サーバー��電源も見込まれている。 [→��きを読む]
半導��や蓄電池など成長�噞への税�U優遇が可�Δ�
ようやく半導��や蓄電池などの成長�噞メーカーへの税�U優遇が達成できそうになってきた。これまで世�cでは工場誘致での税�U優遇策を講じてきていたが、日本では税�U優遇がなく他国へ流れたケースが�Hかった。半導��投�@にも��みがつきそうだ。蓄電池も電気�O動�Zだけではなく再�擴��Ε┘優襯�ーにも�~効で、日本での�Dり組みを加�]させる。 [→��きを読む]
パワーデバイスの真のスイッチング��性を�uる�R定�_をKeysightがデモ
ガレージ実�x室から始まったHewlett-Packard社をルーツに�eつKeysight TechnologyがSiCやGaNなど高�]パワーデバイスのダイナミック��性を�Rる���R�_「PD1550A」（図1）をKeysight World 2023で�t��した。もともと高周�S�R定機に�咾�Keysightが、パワー半導��の�R定にもその�咾澆鯣�ｧする。��にSiCのスイッチング動作に�椶泙気譴討�たエンジニアには福音となる。 [→��きを読む]
�殤��Bが半導��とAI、量子�\術の�潅羹乘@を�U限・禁�Vする法案を推進
��休みに入った企業が�Hい中、�盜颪��潅耋�策がまた�k段と厳しくなった。�盜颪任蓮�中国への輸出ではなく中国への出�@をきびしく�U限する法��が出てきた。8月9日、バイデン�j統�襪蓮∪菽雫\術、すなわち半導��、AI、量子情報�\術を中国で投�@することを禁�Vあるいは�U限する法案にサインした。また、TSMCが欧�Δ棒瀘�する工場の��要が��らかになった。 [→��きを読む]
�Z載半導���x場の成長と共に拡�jするSiC�x場
パワー半導���x場が�k般�噞��から�O動�Z��へと拡�jするにつれ、SiCパワーMOSFET�x場も拡�jしている。それに合わせて新工場の設立や8インチ化の開発が進んでいる。�Z載�x場もこれまでのEV（電気�O動�Z）化からインホィールモーター（IWM）や、ステアリング-バイ-ワイヤー（Steering by Wire）などへ拡�j、SiCやGaNの�x場は拡�jする勢いだ。 [→��きを読む]
onsemi、クルマ��業へのシフトで最新売�幢Yを1�Q�iよりプラス成長
�x場ではクルマと�噞向け半導��にフォーカスし、����ではパワーとイメージセンサにフォーカスする。��onsemiの戦�Sが��確になって以来、同社は半導��不況の中でも、成長し��けている。絶好調だった昨�Qの��1四半期と比べ売り�屬欧鰺遒箸酷Hくの半導��企業の中で、今�Qの��1四半期もわずかながらプラス成長を果たした。1�Q�i、日本法人代表�D締役社長に��任した林孝浩��に同社の秘�Sを聞いた。 [→��きを読む]
日本�Q地に半導��ユーザーからサプライヤーまで新拠点建設相次ぐ
半導��の開発拠点や工場を新設する動きが相次ぐ中、半導��ユーザーである�盜�IT業�vを�O�E��が誘致し始めた。日本のITは世�cでは圧倒的に弱いため、これを�啣修垢���要がある。Microsoftは神戸�xにAI Co-innovation Labsを設立する。半導���笋皀�オクシアや、SUMCO、SCREEN、��版などがポスト半導��不況に向け新拠点・工場を設立する。 [→��きを読む]
ソフトウエア定�Iのクルマを��確にしてくれたNVIDIAのCEO
これからのクルマは、ソフトウエア定�Iのクルマ（Software-defined Vehicle）になると言われているが、SD-Vとは何か、コンピュータやドメインコントローラやゾーンコントローラとは何が違うのか、��確な説��が実はあまりなされてこなかった。NVIDIAのCEOであるJensen Huang��は、MediaTekとの提携の中ではっきりと定�Iした。 [→��きを読む]
TI、SiCを効率よく�~動するドライバICでEVの走行�{�`を��ばす
Texas Instruments（TI）が開発したSiCパワートランジスタ向けのゲートドライバIC����「UCC5880-Q1」は、SiCパワーMOSFETの�L点を解消したドライバICだ（図1）。SiCはIGBTと比べ、少数キャリアの蓄積時間がない分、高�]にスイッチできる。しかし、オーバーシュートやリンギングなどのノイズを発�擇靴�ちになる。TIのチップはこの�L点を解消した。 [→��きを読む]
