65nmNORフラッシュから4G NAND、省ピンSPIまで��めに転じるスパンション
業績�v復から��めに転じ始めたスパンション社が��来の90nmおよび110nmのGLシリーズから65nmプロセスのGL-Sシリーズへと����を転換していく。このほど都内で記�v会見を開き、NANDと比べて高�]動作が可�Δ�NOR型フラッシュメモリーの����をすべて65nmラインに��えていく旨を発表した。 [→��きを読む]
�\術分析（半導������）
» セミコンポータルによる分析 » �\術分析 » �\術分析（半導������）
アルテラ、ハイエンドからローエンドまで��て同時に28nmプロセスを採��
アルテラは、ローエンドからミッドレンジ、ハイエンドに渡る広いアプリケーションに向けたFPGAを28nmプロセスで�k気に作ると発表した。これまでは、微細化プロセスはハイエンドから始まり、ミッドレンジ、ローエンドへとマイグレーションしてくるのが普通だった。今�vは��てのクラスを�k気に28nmへと�eってくる。 [→��きを読む]
ナショナルセミ、プログラム可�Δ淵札鵐機漆��ｽ萢�ICを開発ツールと共に提供
アナログ分野に�R��してきた�櫂淵轡腑淵襯札潺灰鵐瀬�ター社は、ICチップの設�����]からソリューション提供ベンダーへと脱皮し始めている。�a度センサーとそのコントローラで定�hのある同社は、異なるセンサーにも�官�し、設定をユーザーがプログラムできる1チップ信�ｽ萢�ICを開発、その開発ツールも��れずに提供する。 [→��きを読む]
ザイリンクスがハイエンドのFPGA、Virtex-7HTで28Gbpsの伝送実�xに成功
�櫂競ぅ螢鵐�スは、ハイエンドのFPGAであるVirtex-7 HTを使い、28Gbpsという、��高�]のシリアルトランシーバの性�Δ鮗他擇靴拭�1チップでこのような高�]のシリアルトランシーバは、これからのインターネットのトラフィック�\�jに�官�した、100〜400Gbpsのバックボーン通信システムを実現するために��要となる。 [→��きを読む]
ルネサスがローエンド�x場向け統合マイコンを発表、11�Q度��までに700���|
ルネサスエレクトロニクスが8/16ビットマイクロコントローラ（マイコン）の統�kアーキテクチャであるRL78ファミリを発表、2011�Q度�i半に350���|を発売するとして2011�Q度��までに700���|を発売する。統合後わずか1�Qで統�kアーキテクチャのマイコンを立ち�屬欧襪海箸砲覆襦� [→��きを読む]
��業からわずか6�Q間で8���|を立て��けに出荷する�櫂戰鵐船磧�Ambarella社
2004�Qに��業し、HDビデオ圧縮�\術と画�欺萢��\術を売り�颪砲掘¬鞅Mぎ早に8���|も����を出してきたベンチャー企業アンバレラ（Ambarella）がシーテック（CEATEC）に合わせてユーザー説��会を開いた。同社はファブレス半導��メーカーの集まりであるGSA（グローバル半導��アライアンス）から、2008�Q、2009�Qと立て��けに賞を�p賞した。 [→��きを読む]
2Dから3D映�気吠儡垢垢襯咼妊�処理プロセッサをアイルランド企業が開発
2Dから3D画�気吠儡垢垢襯愁侫肇Ε┘△鯣焼���チップに焼き��けたSoC（ホストCPUと�k緒に動作するコプロセッサ）をアイルランドの半導��ファブレスベンチャー、モビダス（Movidius）社が開発した。このチップを組み込みシステムに搭載すると、3次元ディスプレイテレビが�~単にできるようになる。そのための開発ツールも提供する。 [→��きを読む]
シリコンラボ、24ビットデュアルコアDSPを集積したD級アンプで新興�x場狙う
�盜颪涼聟�半導��ファブレスメーカーであるシリコンラボラトリーズ（SiLabs）社は、ローコストアンプ�x場を狙ったデジタルD級ステレオアンプICを開発した。EMIノイズ�敢�を内�鼎靴討い襪燭甞���けのノイズ�敢��v路がいらない。AM/FMラジオチューナを�Zづけられるため、携帯音楽プレーヤーのドッキングステーション設��の�O�y度が�屬�る。 [→��きを読む]
ルネサス、集積化などSiP�\術を�擇�したパワーMOSFETの差別化戦�Sを発表
ルネサスエレクトロニクスが新しい���Uでのパワーデバイスの�Dり組みについて、記�v会見を開き、��らかにした。それによると、2012�Q度までの中期��画では2009�Qに�瓦靴�1.6倍の売り�屬花`�Yを立て、2010〜2012�Q度の平均�Q率成長率CAGRは10%という�啜い亮�画となっている。そのけん引��はパワーデバイスの集積化である。 [→��きを読む]
NXPが高性�Ε潺�ストシグナル����と�Y����に�R��、ブランド戦�Sも差別化要因に
NXPセミコンダクターズは、2006�Qにフィリップスからスピンオフして以来、2008�Qにモバイル�靆腓鯒箋僉�2009�Qにはホーム�靆腓鯒箋僉�2009�Qから高性�Ε潺�ストシグナル分野と�Y����分野に�R��してきた。このほどそれぞれの分野を�啣修垢���動として、高�]・高分解�Δ離如璽織灰鵐弌璽燭鯣�表すると共に、ブランディング戦�Sを��らかにした。ブランディングこそ�Y����を差別化するための�_要な�}段と位����けている。 [→��きを読む]
<<�iのページ 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 次のページ »
