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噞分析

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GaNパワー半導の逆バイアス試x(sh┫)法がJEDECYとなった

GaNパワー半導の逆バイアス試x(sh┫)法がJEDECYとなった

化合颯僖錙屡焼のGaNデバイスの逆バイアス信頼性h価法(図1)がJEDECでY化された(参考@料1)。JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)はメモリのピン配などのY化をみんなでめるための世c的なY化団。ここでまった仕様は半導のYとなり、の普及だけではなくコストを下げる役割もある。 [→きを読む]

]に広がっているオープンスタンダードのRISC-Vコア

]に広がっているオープンスタンダードのRISC-Vコア

RISC-V(リスクファイブと発音)が]に広まってきた。データセンター向けのアクセラレータやAIチップ、セキュリティ啣酬燭離◆璽テクチャ、クルマコンピュータのプラットフォーム、あるいはマイコンなどさまざまなコンピュータのプラットフォームとして広がりを見せている。オープンスタンダードは根fにあるからだ。 [→きを読む]

SiC、Z載向け800Vインバータ、OBCの実v路をす時代へ、GaNもZ載可Δ

SiC、Z載向け800Vインバータ、OBCの実v路をす時代へ、GaNもZ載可Δ

SiC・GaNのWBG(Wide Band Gap)半導がもはや単ではなくシステムボードをい合う時代に入った。東Bビッグサイトで開かれたオートモーティブワールド2024では、パワー半導トップのInfineon Technologiesと、SiCトップのSTMicroelectronicsがガチンコM負を見せた。InfineonがGaN応ポートフォリオをし、STは8インチウェーハSiCデバイスとシステムを見せた。 [→きを読む]

クルマが走るデータセンターになる可性、高まる

クルマが走るデータセンターになる可性、高まる

クルマは走るデータセンターに瑤討た。ドメインコントローラやゾーンコントローラによる仮[化、光ファイバによる800Gbpsの高]転送、收AIによる巨jなソフトウエアを処理するためのj容量転送、さらにカスタムAIアクセラレータなど、高まるデータセンター要に眼^する高集積ICに化するMarvell Technology。Z載向けもこれと瑤討い襦 [→きを読む]

RISC-Vの開発ボードを提供するQuintauris社を半導5社でミュンヘンに設立

RISC-Vの開発ボードを提供するQuintauris社を半導5社でミュンヘンに設立

欧勢がクルマ向けのSoCを狙い、RISC-Vリファレンスデザインの開発ボードを提供する会社Quintauris社をドイツのミュンヘンに設立した。欧Δ鮹羶瓦鉾焼企業5社がこの会社に出@した。RISC-Vは日本以外ではR`されており、盜颪斑羚颪にX心だ。欧Δ任發修瞭阿が出てきた。日本だけがRISC-Vをいまだに様子見Xしている向きがHいが、j丈夫か? [→きを読む]

セミコンジャパン2023、先端パッケージング\術が出(2)

セミコンジャパン2023、先端パッケージング\術が出(2)

3D-ICでは積み_ねるチップをウェーハ段階から薄く削りDらなければならないが、来は、約850µmの厚さのシリコンウェーハのj霾(90%度)を削って捨ててしまっていた。環境にもコスト的にもKかった。そこでウェーハ表Cを薄くはぎDって、残りを再W(w┌ng)するという発[が出てきた。2陲任呂海譴蕕肇謄好拭爾砲弔い鴇匆陲垢襦(1陲呂海舛) [→きを読む]

セミコンジャパン2023、先端パッケージング\術が出(1)

セミコンジャパン2023、先端パッケージング\術が出(1)

セミコンジャパン2023では、OSATのアオイ電子、i工の]のTEL、ウシオとAMATの提携、良チップを積層した後のテストを探るアドバンテストなど、2.5Dや3DのICやチップレットを実△垢訐菽璽僖奪院璽献鵐斡\術が出した。2.5D/3D-ICやチップレットなどをHして集積度をQ段に屬欧襪海箸できる。先端パッケージングのメーカーが出した。1陲2陲吠けて掲載する。 [→きを読む]

ファウンドリが次々とシミュレーションベンダーと組む理y(t┓ng)

ファウンドリが次々とシミュレーションベンダーと組む理y(t┓ng)

これまで半導噞とは縁が薄かった、3D-CADとシミュレーションのベンダーが積極的に半導噞にやってきている。2.5D/3D-ICやチップレット実△覆匹膿値Qシミュレーションが設時にLかせなくなってきたからだ。シミュレーションベンダーのAnsysがTSMCやGlobalFoundries、Samsungファウンドリ靆隋Intelファウンドリ靆隋UMCなどと次々と提携を発表している。 [→きを読む]

Infineon、CAGR17%の高成長分野に絞り、センサ開発を推進

Infineon、CAGR17%の高成長分野に絞り、センサ開発を推進

Infineon Technologiesがセンサをこれまでのクルマ応から、スマートフォンやレーダ、3D ToFイメージセンサ、CO2の環境センサへとさまざまな分野へ拡jしてきた。もともとZ載ではヨーレートセンサや加]度センサなどMEMS\術を~使したセンサでは実績があった。最Zはそのを拡jしている。MEMSマイクロフォンではトップに立った。 [→きを読む]

旟研が10〜20nmプロセス開発を検討中

旟研が10〜20nmプロセス開発を検討中

噞\術総合研|所が10〜20nmプロセスの開発を検討していることがわかった。同研|所は、社会問を解することと噞争を高めるмqをミッションとし、半導噞をS瞰している。昨Qラピダス社の誕擇閥ΔLSTC(最先端半導\術センター)も擇泙譴拭さらにこの10月から先端半導研|センター(S称:SFRC)も発Bした。半導にをRぐ旟研の今をレポートする。 [→きを読む]

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