7月最終週にカレンダー�Qを���Q�Q度にしている半導��メーカーから��2四半期（4〜6月）の���Qが発表された。ファウンドリ企業、ファブレス企業、メモリ企業からも発表があり、�j�}で最も高い成長を��したのがAMDで、�i�Q同期比70%�\、営業�W益率は30%と健��な財��を��した。その�T果、最新の世�c半導��ランキングの予�Rができ、Intelは��3位に落ちた。 [→��きを読む]
日�殞章��Bが次世代半導��の量��に向けた共同研�|を始めることが経済版2+2の�Bし合いで��まった。�盜駭��Bの�嗄�な要�个如�日本が���Bレベルで半導��に��を入れることが�k歩進んだ。国内に2nmプロセスノードを開発する研�|所を作る。�盜颪任�527億ドルの���\金を投じる法案がやっと両議会を通�圓靴拭��盜颪慮絏，靴覇�本が半導��に�`覚めたことは望ましい。 [→��きを読む]
![Micronの232層NANDフラッシュは1Tビットの高集積+2.4GB/sの高�]化](/assets_c/900px/220729-micron232layers.png "Micronの232層NANDフラッシュは1Tビットの高集積+2.4GB/sの高�]化")
Micron Technologyがこれまで最�Hのセル層数である232層の3D-NANDフラッシュメモリを開発（図1）、それを搭載したCrucialブランドのSSDのサンプル出荷を限定ユーザー向けに始めた（参考�@料1）。量��は2022�Q��になる見込みだ。232層と3ビット/セル�\術でNANDフラッシュは1Tビットのチップと2Tバイトのパッケージ容量を実現できるという。 [→��きを読む]
2022�Q��2四半期におけるSiウェーハ出荷�C積が�i四半期比0.68%�\とほぼ横ばいの37億400万平�汽ぅ鵐舛任△襪�SEMIが発表した。Siウェーハ�C積は、厳密には歩�里泙蠅忘���される�Cはあるが、それがほぼ�k定だとすると半導��チップの数量を表す指�Yとなっている。2021�Q��3四半期から37億平�汽ぅ鵐��i後で推�，靴討い襦� [→��きを読む]
![6月の日本��半導�����]����販売�Yは�i月比7.5%��に](/assets_c/900px/220728-juneseajmarket.png "6月の日本��半導�����]����販売�Yは�i月比7.5%��に")
SEAJ（日本半導�����]����協会）が発表した2022�Q6月の日本��半導�����]����は、�i�Q同月比14.1%�\の2845億8400万��となった。1�Q�iと比べるとプラス成長ではあるが、�i月比では7.5%の��少となった。毎月の������半導�����]����は2021�Q12月を最後にSEMIが�o表しなくなったため、SEAJの発表する数�Cで景況ぶりを見ていくことにする。 [→��きを読む]
�毫x場調�h会社のGartnerは、2022�Qの半導��デバイス�x場は�i�Q比7.4%�\の6392億ドルになりそうだと、下�巨T��した（参考�@料1）。WSTSが6月の�x場予�Rで、16.3%�\と���巨T��したばかりだが、ここに来て��ブレーキがかかったようだ（参考�@料2）。Gartnerは四半期�iには今�Qの半導���x場は13.6%成長と予�Rしていた（参考�@料3）。 [→��きを読む]
Infineonは7月マイコンセミナーを開��、��来のXMCマイコンに加え、�A収したCypressのpSoC、それ以�iの旧富士通�UのFMシリーズマイコンを融合・拡張性を�eつ新マイコンを開発していることを��らかにした。��てArm Cortex-MシリーズのCPUコアを�△┐討い襪燭瓠�比較的融合させやすく、3社の��長を集積したものになりそうだ。 [→��きを読む]
LTEや5G基地局向けの通信機�_メーカーであるNokiaが独�Oのシリコンチップを開発していることをすでに報じていたが（参考�@料1）、独�Oチップをさらに高集積化・微細化を進めることが��らかになった。通信機�_は�_く20〜30kgもあるが、独�Oチップを使うともっと�j容量で、もっと軽くなる。独�Oチップで通信機�_を進化させることが同社の狙い。 [→��きを読む]
半導���噞は直�Zではメモリの下落による�k時的な景気���]が懸念されるが、中長期的には成長�噞であることには変わりはない。東�Bエレクトロンは��の賞与を平均30万���崟僂澆垢襪汎�経が報じた。半導���噞での人材確保は�K烈を極めている。これまで�A陽�噞と喧伝されてきたことへの反動がようやく表れてきたからだ。 [→��きを読む]
IBM Researchは、東�Bエレクトロンとパートナーシップを�Tび、�櫂縫紂璽茵璽��Δ離▲襯丱法爾砲�いて共同で300mmウェーハ同士を接��するための3D-ICスタック�\術を開発したとブログで��らかにした。3D-ICは、TSV（through silicon via）�\術で2��以�屬離ΕА璽脇瓜里鮴橙�して3次元的に集積する�\術。薄いウェーハを容易に�Dり扱えるようにした。 [→��きを読む]
<<�iのページ 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 次のページ »
