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セミコンポータルによる分析

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Industry 4.0導入を早められるマイコン、NXPが開発

Industry 4.0導入を早められるマイコン、NXPが開発

Industry 4.0は、そう~単には進まない。世cQ地の工場はそれぞれ独Oのネットワーク格やプロトコルで動いているからだ。独O格をIndustry 4.0を実現するTSN(Time Sensitive Network)格に変換しながら下位互換性をeたせる作業を工場ごとにしなければならない。NXPはTSN格と主要な複数の噞ネットワークを切りえられるマイコン「i.MX RT1180」を化した。 [→きを読む]

AMD-Xilinx、ロボットOS2搭載のSoMスターターキットを発売

AMD-Xilinx、ロボットOS2搭載のSoMスターターキットを発売

コンピュータの最jのメリットは、共通のハードウエアを基にソフトウエアを入れえるだけでさまざまな機Δ鮗存修任ることだが、ロボットでもそれが可Δ砲覆襦AMD-Xilinxは、FPGAを集積したSoCを搭載しR(ロボット)OS2 を採したロボット向けのシステムオンモジュール(SoM)「Kria」を開発、そのスターターキットを発売した。ロボット開発がj幅に]縮されそうだ。 [→きを読む]

NANDフラッシュ、22Q1Qは販売YがQoQ3%るも2Qは10%成長の期待

NANDフラッシュ、22Q1Qは販売YがQoQ3%るも2Qは10%成長の期待

メモリに咾ぽx場調h会社TrendForceによると、直ZのNANDフラッシュメモリの売幢Yランキングではキオクシアは2位をx守した(参考@料1)。2022Q1四半期におけるNANDフラッシュx場では、i四半期比3%の179.2億ドルとなったが、2位のキオクシアは不純餾入によるトラブルがあったのにもかかわらず、4.5%にとどまった。 [→きを読む]

半導投@が発に、A収や新工場建設に動く

半導投@が発に、A収や新工場建設に動く

未来に向けた仕組み作りに半導投@が発になってきた。先週Bになった世c6位の半導BroadcomによるVMwareのA収を提案、UMCはシンガポールでの新工場建設地使権をDu、SUMCOが合3500億を投@、SiT晶インゴット攵妌場を日本と湾に建設する。先端ではQualcommが4nmプロセスのSnapdragonを開発した。 [→きを読む]

DRAMのトップ3社によるx場シェアは94%、寡化く

DRAMのトップ3社によるx場シェアは94%、寡化く

2021QのDRAMx場は、iQ比42%\の961億ドルになったとIC Insightsが報告した。約11兆である。この内、Samsung、SK Hynix、Micron Technologyの3社がめるx場シェアは94%で、寡化がいている。トップのSamsung、Hynix、Micronのそれぞれのシェアは、43.6%、27.7%、22.8%となっており、その他は5.9%しかない。 [→きを読む]

1200Vや2000V耐圧のSiC MOSFET発表相次ぐ、EV]充電/再エネ要加]

1200Vや2000V耐圧のSiC MOSFET発表相次ぐ、EV]充電/再エネ要加]

EV(電気O動Z)の]充電や再擴Ε┘優襯ーのDC-ACコンバータなどのに向け、1200Vあるいは2000VのパワーSiC MOSFETでオンB^をらしたがい合っている。UnitedSiCをA収したQorvoが1200V耐圧でオンB^23mΩ(図1)、SiCデバイス販売YトップのSTMicroelectronicsを{いかけるInfineonが2000V耐圧でオンB^20mΩ度のSiC MOSFETを発表した。 [→きを読む]

4人乗り軽O動ZのEV化が本格的に、歃j統襪Samsung訪問を最初に

4人乗り軽O動ZのEV化が本格的に、歃j統襪Samsung訪問を最初に

4人乗りEV(電気O動Z)の軽O動Zが本格的に登場した。日O動Zと菱O動Zが共同開発したもの。走行{`は180kmと]いものの、\金のになっており180万に抑えられている。EVの]充電の普及も進んでいる。コンピュータ(ECU)化と共にクルマのOSも普及している。半導に咾ぼf国を、日本より先にバイデンj統襪訪問した。 [→きを読む]

笛吹けど踊らず、中国でのIC攵がくれている

笛吹けど踊らず、中国でのIC攵がくれている

中国の半導ICx場(ICを使って電子機_を作る噞)は2021Qに1870億ドルだったが、国内のIC攵は16.7%の312億ドルに里泙襪海箸わかった。これは定点莟RをけているIC Insightsの調hからわかった。中国共欃Bが半導の振興を}びXけても噞としてなかなか立ち屬らないことをしている。笛吹けど踊らずXだ。 [→きを読む]

ルネサス、閉鎖中の工場建颪鮑鴇W、300mm攵ライン構築へ

ルネサス、閉鎖中の工場建颪鮑鴇W、300mm攵ライン構築へ

ルネサスエレクトロニクスは、冤県甲Bにある空っぽの建屋を改]し300mmウェーハの攵ラインを作ることを発表した。元々甲B工場は150mmと200mmウェーハの攵ラインの工場であったが、工場の売却先が見つからず、2014Q10月に閉鎖された。半導不Bがまだ解消されないこの折、ここに半導攵ラインを作ることをめた。 [→きを読む]

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