5Gの新しい基地局�\術O-RANに見られるようにシステムを分割するディスアグリゲーションが進んでいる。これまでは何でもかんでも��て統合化する��向にあったが、それらを分割し、�@��性を�eたせて顧客が専��機を作れるようにする「レゴ」のような発�[だ。それに向けたFPGA����をLatticeがリリース、O-RANソリューションスタックも���Tした。 [→��きを読む]
今後�Z載カメラが�何�個搭載されるようになると、カメラからのデータをクルマ内のドメインコントローラやECUなどカーコンピュータユニットに送られる配線は極めて��雑になる。��数の配線を1本にまとめるSerDesチップは�L(f┘ng)かせなくなる。この�x場を狙ったイスラエルのValens Semiconductorが日本の�O動�Z�x場にやってきた。 [→��きを読む]
IoTがDX（デジタルトランスフォーメーション）の基本�\術として�Q率20%で��実に成長している間に、エネルギーの効率化を�`指すグリーントランスフォーメーション（GX）も��実に始まっている。ここでは半導��とバッテリが基本�\術となる。トヨタが家庭��電池��業に参入、��(sh━)スタートアップが�W価な材料で低価格電池の開発、パナソニックが�j(lu┛)�\��、日立が送電線の点検監��サービス開始、といった動きが�`立つ。 [→��きを読む]
Industry 4.0は、そう�~単には進まない。世�c�Q地の工場はそれぞれ独�Oのネットワーク��格やプロトコルで動いているからだ。独�O��格をIndustry 4.0を実現するTSN（Time Sensitive Network）��格に変換しながら下位互換性を�eたせる作業を工場ごとにしなければならない。NXPはTSN��格と主要な��数の�噞��ネットワークを切り��えられるマイコン「i.MX RT1180」を?y┐n)���化した�? [→��きを読む]
2022�Q5月に最もよく読まれた記��は2カ月連��、「日本半導��企業ランキング: ��位はキオクシア、2位はソニー逆転のルネサス」であった。これはブロガーの�K����(d─n)��(hu━)がOmdia社のデータを基に日本の半導���岼魅薀鵐�ングを述べたもの。 [→��きを読む]
コンピュータの最�j(lu┛)のメリットは、共通のハードウエアを基にソフトウエアを入れ��えるだけでさまざまな機�Δ鮗存修任�ることだが、ロボットでもそれが可�Δ砲覆�。AMD-Xilinxは、FPGAを集積したSoCを搭載しR（ロボット）OS2 を採��したロボット向けのシステムオンモジュール（SoM）「Kria」を開発、そのスターターキットを発売した。ロボット開発が�j(lu┛)幅に�]縮されそうだ。 [→��きを読む]
メモリに��(d┛ng)い�x場調�h会社TrendForceによると、直�ZのNANDフラッシュメモリの売�幢Yランキングではキオクシアは2位を�x守した（参考�@料1）。2022�Q��1四半期におけるNANDフラッシュ�x場����では、�i四半期比3%��(f┫)の179.2億ドルとなったが、2位のキオクシアは不純�餾�入によるトラブルがあったのにもかかわらず、4.5%��(f┫)にとどまった。 [→��きを読む]
未来に向けた仕組み作りに半導��投�@が��発になってきた。先週�B��になった世�c��6位の半導��BroadcomによるVMwareの�A収を提案、UMCはシンガポールでの新工場建設��地使��権を�D�u(p┴ng)、SUMCOが合��3500億��を投�@、Si�T晶インゴット�攵妌場を日本と��湾に建設する。先端����ではQualcommが4nmプロセスのSnapdragonを開発した。 [→��きを読む]
2021�QのDRAM�x場は、�i�Q比42%�\の961億ドルになったとIC Insightsが報告した。約11兆��である。この内、Samsung、SK Hynix、Micron Technologyの3社が��める�x場シェアは94%で、寡��化が��いている。トップのSamsung、Hynix、Micronのそれぞれのシェアは、43.6%、27.7%、22.8%となっており、その他は5.9%しかない。 [→��きを読む]
![1200Vや2000V耐圧のSiC MOSFET発表相次ぐ、EV���]充電/再エネ��要加�]](/assets_c/900px/220524-sic2kv1_2kv.png "1200Vや2000V耐圧のSiC MOSFET発表相次ぐ、EV���]充電/再エネ��要加�]")
EV（電気�O動�Z）の���]充電や再�擴��Ε┘優襯�ーのDC-ACコンバータなどの����に向け、1200Vあるいは2000VのパワーSiC MOSFETでオン�B�^を��(f┫)らした����が��い合っている。UnitedSiCを�A収したQorvoが1200V耐圧でオン�B�^23mΩ(図1)、SiCデバイス販売�YトップのSTMicroelectronicsを�{いかけるInfineonが2000V耐圧でオン�B�^20mΩ��度のSiC MOSFETを発表した。 [→��きを読む]
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