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WSTS、今Qの半導販売Yを下(sh┫)Tするも13.9%\の2桁成長

WSTS(世c半導x場統)は、6月に2022Qと23Qの見通しを発表した数C(j┤)である16.3%\を13.9%\へと早くも下(sh┫)Tした。中国経済と個人消Jの(f┫)]を反映してスマホとPCの出荷が落ちていることからTした。とはいえまだ2桁成長だ。半導不Bがいているx場もあるからだ。中長期的に半導噞の成長がくことは間違いなさそうだ。

WSTSが24日に発表した改ネ任虜cQの半導予Rは、iQ比13.9%\の6330億ドル(約85兆(d┛ng))となった。6月時点の予Rは5月にQ社が集したもので、その後半導Q社は2022Q2四半期(4〜6月期)のQを発表した。このQそのものはしてKくなかったが、次の3四半期(7〜9月期)の見通しが良くなかったためにこれを考慮に入れて今v下(sh┫)Tした。2023Qの成長率も6月発表の同5.1%\から、今vは同4.6%\の6620億ドルにTした。

今Qの半導x場の別では、スマホのアプリケーションプロセッサを含むロジックが同24.1%成長、アナログは同21.9%成長、センサが同16.6%成長となっている。25日の日本経済新聞によると、メモリの成長率は22Qの18.7%を8.2%に、23Qの3.4%を0.6%に見直されたという。

パソコンゲームのアクセラレータやコンピュータでこれまで業績をPばしてきたNvidiaにブレーキがかかった。8月24日に発表した2023Q度2四半期(2022Q5〜7月期)の売幢Yは67億ドルとiQ同期比わずか3%\しかなく、i四半期比では19%(f┫)であった。営業W(w┌ng)益はNon-GAAP(k時的な益を除いた調D後の会金Y)で、13.25億ドルと営業W(w┌ng)益率19.8%になった。にパソコンゲームのアクセラレータボードやGPUの落ち込みがひどく、ゲーム売幢YはiQ同期比33%(f┫)で、i期比44%(f┫)の20.2億ドルにとどまった。プロ向けのビジュアル化はiQ同期比4%(f┫)、i期比20%(f┫)の4.96億ドルとなった。この分野はメタバースや同社のOmniverse靆腓あり、まだそれほどPびていない。


図1 Nvidia CEOのJensen Huang 出Z:GTC 2022から

図1 Nvidia CEOのJensen Huang 出Z:GTC 2022から


Nvidiaの業績をけん引したのはデータセンターとクルマ。データセンターの売幢YはiQ同期比61%\、i期比1%\の38.1億ドルと好調で、GPU、CPUに加え、AI向けの言語モデルのフレームワークや量子コンピュータ開発ツール、エッジAI、学{ベンチマークなどのソフトウエアツールセットが貢献した。O動Z向けは未だ金Yは少ないが、O動運転向けにを入れている分野だ。売幢YはiQ同期比45%\、i期比59%\の2.2億ドルである。来期(8〜10月期)の同社のQ見通しは、59億ドル±2%となっており、依としてゲーム応は来期もマイナスの見込みであるが、データセンターとクルマが]ち消すことになりそうだと見ている。

クルマの半導はこれからも間違いなく成長する分野である。日の英国陲離汽鵐澄璽薀鵐氷場では、内\エンジン向けのシリンダーヘッドの攵を2024Qに終えることをらかにした、と24日の日経が報じた。日は同工場を中心に10億ポンド(約1600億)を投じ、電気O動Z(EV)の]からZ載電池の攵まで}Xける画を掲げているという。

26日の日経は、櫂リフォルニアΔ隆超当局が2035Qにガソリンのみで~動する新Zの販売をC禁Vする新たなU(ku┛)案を定した、と報じた。ハイブリッドZも35Q以Tには販売禁Vにするという。ただし、バッテリや水素だけで約80km以崛れるプラグインハイブリッドZは認められている。

スマートフォンやパソコンでは半導は在U調Dに,辰討たが、噞向けなど少量の半導は未だ薄がいており、半導]に使う半導不Bも深刻だ。TSMCのy本工場など九Δ任蓮]向けの半導が不Bしており、やっと入り始めたという商社のBを、24日の日経噞新聞が紹介している。

中長期的な半導のj(lu┛)要になりうるメタバースの世cに関しても24日の日経噞が伝えており、(j┤ng)来1兆ドルx場への期待が高まるとしている。メタバースはデータセンターのQξを屬欧要があり、j(lu┛)量のCPUやメモリを\やしていくだけではなく、端のVRゴーグル内のチップ要も\えていく。端ではビデオ処理、グラフィックス処理、そして5G通信が須になる。

23日の日経は、富士通が理化学研|所と共同で量子コンピュータを開発し、23Q度にo開して研|にかしてもらう、と報じた。量子コンピュータのU(ku┛)御にも半導要は擇泙譴襦N婿厶Xをみ出すためのデバイスとして電導SQUIDや極低a(b┳)動作の半導トランジスタなどの量子デバイスの]にはシリコンウェーハを基として使い、デバイスの]も半導の長で要となろう。

(2022/08/29)
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